N沟道增强型MOSFET

已于 2024-02-05 10:23:23 修改
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文章标签： 嵌入式硬件
于 2024-02-04 21:54:15 首次发布
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  • 主要公式

    1. 在可变电阻区内：$r_{dso}=\frac{dV_{DS}}{di_d}=\frac{1}{2K_n(v_{GS}-V_{TN})}$（$K_n$为电导常数——单位$mA/V^2$，$V_{TN}$为开启电压）

    2. $K_n=\frac{K^{'}_n}{2}*\frac{W}{L}=\frac{\mu_n C_ox}{2}(\frac{W}{L})$

      $K^{'}n$为本征导电因子，$\mu_n$为反型层的电子迁移率，$C{ox}$为栅极氧化层单位面积电容，W为沟道宽度，L为沟道长度。

    3. 在饱和区内：$i_D=K_n(v_{GS}-V_{TN})^2$
      若考虑沟道调制效应：$i_D=K_n(v_{GS}-V_{TN})^2(1+\lambda v_{DS})$ , （

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射频功放学习之N沟道增强型MOSFET
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浅析N沟道增强型MOS管的工作原理
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模拟电路设计（7）--- 增强型MOSFET
diudiulala的博客
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MOS管工作区间及开通过程分析——以N沟道增强型MOS为例
qq_32437519的博客
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【电子基础】N-MOS和P-MOS管符号区别对比(增强型&耗尽型)
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增强型 MOSFET需要施加合适的栅电压才能导通，在栅电压为 0 时是关闭状态。耗尽型 MOSFET在无栅电压时已经导通，施加反向栅电压时才会关闭导电通道。这两种类型的 MOSFET 主要区别在于它们的工作原理和导通条件，选择哪种类型取决于电路的具体需求。特性增强型 MOSFET（E-MOSFET）耗尽型 MOSFET（D-MOSFET）栅极符号直线连接，无特殊标识直线连接，带有横线或缺口标识导电通道的特性无栅电压时关闭，需施加栅电压开启无栅电压时导通，施加反向栅电压关闭箭头方向（N通道）
模拟电子技术-场效应三极管及其放大电路
彐雨
06-25 3887
文章目录一、金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管1-1 N沟道增强型MOSFET1-2 N沟道耗尽型MOSFET(非考点)1-3 P沟道MOSFET(非考点)1-4 沟道长度调制效应1-5 MOSFET的主要参数二、MOSFET基本共源极放大电路三、图解分析法(定性分析)四、小信号模型分析法\color{Red}{四、小信号模型分析法}四、小信号模型分析法五、非考点(暂未总结，之后有时间更新)5-1 共漏极和共栅极放大电路5-2 集成电路单极MOSFET放大电路5-3 多级放大电路5-4 结型场效应管（J
P沟道与N沟道MOSFET的基本概念
Yin_w的博客
02-29 9172
MOSFET：M~(Metal金属)~O~(Oxide氧化物)~S~(Semiconductor半导体)~，FET（Field Effect Transistor场效应晶体管)，即以金属氧化物场效应半导体场效应晶体管，是一个三端控制器，电压控制、高输入阻抗的单极器件。在电路中可视为一个开关管，其通断频率和峰值电压都非常高，且价格便宜，因此被广泛应用于各种电子电路中。后文将以N沟道增强型MOSFET为例讲其工作原理，P沟道MOSFET可进行类比。
一文解释好 耗尽型和增强型MOSFET、BJT、IGBT
zhy07321517526的博客
06-25 1万+
一文解释清楚 耗尽型和增强型MOSFET、BJT（三极管）、IGBT等
G5N10VR-G 电子器件规范:N沟道增强型MOSFET特性与参数详述及应用
03-02
深圳绿新威科技公司推出的一款全新N MOS 耐压100V 5A电流 容概要：本文主要对一款特定的小信号N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）进行详细的介绍。它涵盖了该组件的基本特征，包括电气特性和机械...
N沟道增强型MOSFET与三极管特性分析
"本文介绍了N沟道增强型MOSFET，并结合了三极管特性曲线参数，探讨了场效应管的工作原理和特性。" 在电子技术领域，N沟道增强型MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种重要的半导体器件，其工作基于电场...
N沟道增强型MOSFET IRF640
07-22
### N沟道增强型MOSFET IRF640：关键知识点解析 #### 一、产品概述 N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）IRF640是一种高性能的电力电子组件，由费尔柴德半导体公司设计与生产。该型号的MOSFET在2001...
N沟道MOS管和P沟道MOS管.pdf
09-15
N沟道MOS管和P沟道MOS管pdf,MOS管也有N沟道和P沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的区别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生（iD=0）。而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏-源极间就有导电沟道存在。
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057N06N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
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048N12N-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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RDS(ON)：5mΩ@VGS=10V表示当栅极电压为10V时，MOSFET的静态漏极-源极电阻为5mΩ，这决定了MOSFET的导通时的电阻大小。- 电源模块：由于048N12N-VB具有较低的漏极-源极电阻和较高的漏极电流能力，因此适用于高性能电源模块，如高端计算机电源和工业电源。- VGS：20V（±）是该MOSFET的最大栅极-源极电压范围，超过这个范围可能导致器件损坏。- VDS：100V是该MOSFET的最大漏极-源极电压，超过这个电压可能导致器件损坏。- 型号：048N12N-VB。
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本文主要介绍了N沟道增强型MOSFET的工作原理、MOSFET的分类、基本结构和应用。
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A4926和A4927集成有独特的电荷泵稳压器，能够针对大多数应用提供完整的门驱动，即便是在电池电压低至5.5V时。它们带有可选自举管理的自举电容器，可用于提供N沟道MOSFET所需的高于电池的电源电压。 A4926和A4927具有的集成式诊断功能可以提供多种内部故障、系统故障和电源桥故障的指示，并可配置为在大多数数短路条件下保护功率MOSFET。串行接口除了能够提供对桥控制的完全访问之外，还可用于改变死区时间、VDS阈值、门驱动电流和故障空白时间（fault blank TIme）等可编程设置，通过串行接
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