N沟道增强型MOSFET

微电子爱好者

已于 2024-02-05 10:23:23 修改

阅读量346

点赞数 7

文章标签：嵌入式硬件

于 2024-02-04 21:54:15 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_58526902/article/details/136032793

版权

$v_{DS}=V_{DSQ}-i_dR'L=V{DSQ}-(i_D-I_{DQ})R'L$
（“ $i_d$ ”表示交流电流(信号放大的电流)，“ $i_D$ ”表示小信号的总电流，“ $I_{DQ}$ ”表示小信号的直流电流）

符号	说明	解释
$V_{TN}$	开启电压	threshhold voltage
$V_{PN}$	夹断电压	pinch off voltage
$I_{DSS}$	饱和漏极电流	对于耗尽型的FET，在 $v_{gs}=0$ 时， $\mid v_{DS} \mid>\mid V_PN \mid$
$R_{GS}$	直流输入电阻	$R_{GS}$ 的范围大约 $10^9$ ~ $10^{15}$ Ω
$r_{ds}$	输出电阻	$r_{ds}=[\lambda K_n(V_{GS}-V_{TN})^2]^{-1}$ （λ：沟道长度调制参数）
$g_m$	低频互导	互导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
$g_m=2K_n(v_{GS}-V_{TN})$ ，其单位为： $mS$ 或 $\mu S$
$P_{DM}$	最大耗散功率

静态工作状态：当输入信号 $v_i=0$ 时的状态。静态工作点： $I_{DQ}$ ， $V_{GSQ}$ ， $V_{DSQ}$
静态工作状态时， $V_{GS}=V_{GG}=V_{GSQ},v_i=0$
$v_{GS}=V_{GSQ}+v_i=V_{GSQ}+V_{im}sinwt$
漏极电流： $i_D=I_{DQ}+i_d$ （” $i_d$ ”为交流电流）
漏极电压： $v_{DS}=V_{DD}-i_DR_d=V_{DSQ}+v_{ds}$ 。（ $v_{ds}$ 就是输出电压 $v_o$ ，与 $v_i$ 的相位相反）
$V_{GG}$ 要合理选择，使放大器工作在临近点和截至点之间。
交流负载线是通过静态工作点Q的。

其它知识点
1. 必须依靠栅极电压的作用，才形成感生沟道的FET，称为增强型FET。
2. 由于存在电位梯度（靠近源极s—接地的电位高于靠近漏极的电位），导致沟道的厚度是不均匀的。（近源端厚，近漏端薄）
3. 在饱和区域内，可近似看成 $i_D$ 不随 $V_{DS}$ 变化，是受 $V_{GS}$ 控制的可变电阻。

关注