Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体、Zn1-xCoOx晶体、Zn1-xSnxO晶体

中文名称：Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体
纯度：99.9%
存储：-20℃冷藏、密封、避光
保存时间：1年
规格：mg
包装：瓶装/袋装

Cr掺杂ZnO是指在氧化锌（ZnO）晶体中引入铬（Cr）离子。通过将铬掺杂到ZnO晶体中，可以改变其磁性质，使其具备稀磁半导体的特性。稀磁半导体是一类同时具有半导体和磁性质的材料，其在磁性存储、磁传感器等领域具有潜在应用。通过调控掺杂浓度和掺杂方式，可以改变材料的磁性质，使其在磁学和半导体器件方面发挥作用。

中文名称：Zn1-xCoOx晶体
英文名称：
纯度：99.9%
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保存时间：1年
规格：mg
包装：瓶装/袋装

Zn1-xCoOx指的是锌氧化物（ZnO）和钴氧化物（CoO）的混合物或复合材料，其化学组成Zn1-xCoOx。它是一个固溶体材料，其中部分锌（Zn）离子被钴（Co）离子替代，并且存在氧缺陷（Ox）。

这种复合材料具有一系列物理和化学性质，这取决于钴掺杂的浓度、晶体结构和氧缺陷的程度。钴掺杂可能会影响该材料的磁性、光学性质以及导电性。因此，Zn1-xCoOx这种材料在磁性材料、光电子学和半导体器件等领域具有应用潜力。

中文名称：Zn1-xSnxO晶体
纯度：99.9%
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保存时间：1年
规格：mg
包装：瓶装/袋装

Zn1-xSnxO是指锌（Zn）和锡（Sn）的氧化物混合物或固溶体材料。这种化学组成表明在氧化锌（ZnO）晶体中部分锌离子被锡离子替代形成了固溶体。

锡掺杂可以改变ZnO的性质，例如电学、光学和磁学性质。这种掺杂可能会影响材料的晶格结构、能隙和导电性能。Zn1-xSnxO这种材料在光电子学、半导体器件和光学传感器等领域可能具有潜在应用，具体取决于锡掺杂的浓度和制备条件。

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以上文中提到的产品仅用于科研，不能用于人体及其他用途。