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RSS订阅原创 《炬丰科技-半导体工艺》单晶片材料去除和表面生成的研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：单晶片材料去除和表面生成的研究编号：JFKJ-21-519作者：炬丰科技关键词:单晶碳化硅；材料移除；表面生成；超声波化学机械抛光；超声波研磨摘要超声研磨和超声化学机械抛光均可降低双体磨损，降低表面粗糙度的峰谷值，超声波在研磨中的作用有助于后续化学机械抛光获得更高的MRR和更好的表面质量。化学机械抛光中的超声辅助振动可以促进化学反应，提高MRR，改善表面质量。超声波化学机械抛光和超声波研磨的组合实现了最高1.057米/小时的MRR和最低0.4...
2021-10-16 13:53:13
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》EUV掩模的碳污染对光刻性能的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：EUV掩模的碳污染对光刻性能的影响编号：JFKJ-21-789作者：炬丰科技关键词:EUV，口罩，污染，清洁摘要研究了EUV掩模表面碳膜的沉积特性、碳沉积对光刻性能的影响以及EUV掩模上沉积碳膜的清洗。通过x光反射率测量发现，碳膜的密度几乎是石墨的一半。用固体EUV模拟了碳沉积对光刻性能的影响。掩模上碳沉积引起的临界尺寸变化取决于吸收体图案上的沉积分布。故意制造的被污染的面罩通过使用原子氢的清洁过程进行处理。讨论了膜材料的清洗效率和耐久性。
2021-10-15 11:20:02
354
原创 《炬丰科技-半导体工艺》制造氮化镓微电子层的方法
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：制造氮化镓微电子层的方法编号：JFKJ-21-554作者：炬丰科技摘要通过将硅层的表面转化为3c-碳化硅，制备了氮化镓微电子层。然后在硅层的转化表面上外延生长一层3c-碳化硅。然后在3c-碳化硅的外延生长层上生长一层2h-氮化镓。然后将2h-氮化镓层横向生长，产生氮化镓微电子层。在一个实施例中，硅层是硅基板，其表面被转化为3c-碳化硅。在另一实施例中，）硅层是植入OXygen(SIMOX)硅衬板分离的一部分，其中包括定义硅基底上的层的植入氧
2021-10-15 11:18:20
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》植入后刻蚀率的调整：硅、多晶硅和氧化物
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：植入后刻蚀率的调整：硅、多晶硅和氧化物编号：JFKJ-21-609作者：炬丰科技摘要离子注入是半导体掺杂的常用方法，但也可以在局部改变硅和二氧化硅的蚀刻速率。事实上，当在蒸汽高频中蚀刻时，离子注入引起的损伤可以使二氧化硅的蚀刻率增加200倍。n型或p型的掺杂种类显著增加了HNA中硅的蚀刻速率。取代硼植入硅可以将硅的蚀刻率降低200倍。离子注入对蚀刻速率的修改对于制备埋藏掩模、牺牲层和蚀刻停止层具有重要意义。介绍离子植入在半导体处理中的主
2021-10-15 11:15:35
356
原创 《炬丰科技-半导体工艺》植入物表面的钛纳米级蚀刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：植入物表面的钛纳米级蚀刻编号：JFKJ-21-362作者：炬丰科技摘要公开了一种形成要植入活骨的植入物的方法。该方法包括使植入物表面的至少一部分粗糙化以产生微米级粗糙化表面的行为。该方法进一步包括将微米级粗糙化表面浸入含有过氧化氢和碱性溶液的溶液中以产生纳米级粗糙化表面的动作，该纳米级粗糙化表面由叠加在微米级粗糙化表面上的纳米点蚀组成。纳米级粗糙表面具有促进骨整合的特性。发明领域本发明总体上涉及种植体，尤其涉及具有纳米级表面形貌的牙种植
2021-10-15 11:13:10
320
原创 《炬丰科技-半导体工艺》制造半导体的湿化学蚀刻技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：制造半导体的湿化学蚀刻技术编号：JFKJ-21-376半导体器件的制造工程使光电仪器、激光二极管和无线通信设备以及许多其他现代设备成为可能。从 1947 年 Bardeen、Brittain 和 Shockley 在贝尔实验室发明晶体管以及大约十年后 Kilby 和 Noyce 引入集成电路开始，半导体器件极大地推动了计算和电子行业的发展。半导体材料，如硅、锗、砷化镓和磷化铟，既不是良好的绝缘体，也不是良好的导体，但它们具有固有的电气特性，因此通过控制
2021-10-15 11:09:35
267
原创 《炬丰科技-半导体工艺》ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究编号：JFKJ-21-826作者：炬丰科技摘要氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性和强可控性而备受关注。以往的大部分报道都强调单个氮化镓薄膜的电感耦合等离子体刻蚀特性。本研究采用电感耦合等离子体刻蚀法对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀，刻蚀气体为氯气，添加气体为三氯化硼。研究了刻蚀气体
2021-10-14 13:43:49
363
原创 《炬丰科技-半导体工艺》沉积方法对颗粒去除效率的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：沉积方法对颗粒去除效率的影响编号：JFKJ-21-770作者：炬丰科技摘要在半导体制造中，随着器件集成密度的增加，晶圆表面清洗是最重要的过程之一。[1]为了开发清洁过程，应在晶片表面沉积各种颗粒，以测量颗粒去除效率。颗粒可以悬浮在空气或液体中，然后沉积在液体和空气中的晶圆表面中。介绍本文采用不同的沉积方法对硅片表面亚微米氧化铝颗粒的去除效率。采用IPA和去离子水进行干式沉积和湿式喷雾沉积。实验为了从理论...
2021-10-14 13:41:52
185
原创 《炬丰科技-半导体工艺》KOH蚀刻对镓面极性n-GaN表面性质的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：KOH蚀刻对镓面极性n-GaN表面性质的影响编号：JFKJ-21-829作者：炬丰科技网址：半导体工艺资料_半导体清洗工艺_湿法腐蚀工艺_氮化硅的湿法腐蚀_湿法腐蚀工艺参数_炬丰科技关键词：表面性能，接触力学，电学性能，氮化镓，金属化摘要通过x射线光电子能谱、原子力显微镜、反射高能电子衍射、电流电压和电子束诱导电流表征，研究了氢氧化钾处理对n型氮化镓表面性质和相关Au/n-GaN接触点的影响。比较了分子束外延和金属有机化学气相沉
2021-10-14 13:40:01
445
原创 《炬丰科技-半导体工艺》GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即氧化锌、氮化镓和碳化硅。虽然氧化锌很容易在许多酸溶液中蚀刻，包括硝酸/盐酸和氢氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很难湿法蚀刻，通常使用干法蚀刻。已经研究了用于氮化镓和碳化硅的各种蚀刻剂，包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技
2021-10-14 13:36:42
590
原创 《炬丰科技-半导体工艺》不同电解质对多孔氮化镓的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：不同电解质对多孔氮化镓的影响编号：JFKJ-21-825作者：炬丰科技关键词:电解质；光电化学蚀刻；多孔性摘要本文报道了氮化镓在使用四种不同电解质的光电化学蚀刻过程中的性质和行为。测量结果表明，孔隙率强烈依赖于电解质，并高度影响蚀刻样品的表面形态，这已被扫描电子显微镜(SEM)图像揭示。多孔氮化镓样品的光致发光(PL)光谱的峰值强度被观察到增强，并强烈依赖于电解质。在样品中，峰位置差异较小，说明孔隙率的变化对PL峰位移的影响较大，而对峰强...
2021-10-14 13:33:31
356
原创 《炬丰科技-半导体工艺》不同沉积介质对颗粒粘附和去除的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：不同沉积介质对颗粒粘附和去除的影响编号：JFKJ-21-772作者：炬丰科技摘要本研究的目的是探讨不同沉积介质对颗粒粘附和去除的影响。使用不同的悬浮介质:空气、异丙醇IPA和去离子水，将50 μm的聚苯乙烯胶乳PSL颗粒沉积在涂有热氧化物和氮化硅的硅片上，然后在干燥环境中去除。结果表明，由于在所有沉积介质中范德华力较高，沉积在氧化物上的PSL粒子比沉积在氮化物上的更容易去除。此外，沉积在空气中的干燥颗粒比沉积在液体介质中的颗粒更容...
2021-10-13 15:55:00
302
原创 《炬丰科技-半导体工艺》GaN清洗程序分析
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN清洗程序分析编号：JFKJ-21-725作者：炬丰科技摘要众所周知，在器件制造过程中反复使用的RCA标准清洁1会导致硅的蚀刻。在一些工艺流程中，当制造具有薄膜的器件时，例如在绝缘体上硅技术中，这种蚀刻可能是重要的。我们显示，当在二氧化硅上的裸露硅层上涂覆10分钟时，25-30埃的硅被改良版的SC1清洗剂(1:8:64重量份的NH4OH、H2O2和H2O)蚀刻掉。介绍制造业中使用了许多湿法化学清洗方案，其中最流行...
2021-10-13 15:49:51
380
原创 《炬丰科技-半导体工艺》GaN在碱性 S2O82-溶液中的光刻机理
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN在碱性 S2O82-溶液中的光刻机理编号：JFKJ-21-819作者：炬丰科技摘要本文利用n型氮化镓在碱性过氧二硫酸盐S2O2−8溶液中的电化学研究，解释了开路条件下半导体的光刻机理。观察到的铂直接接触半导体或电接触的光蚀刻速率的增强主要是光光效应。阐明了决定蚀刻动力学和表面形态的因素。介绍单晶氮化镓和三元第三族氮化物引起了科学界的极大兴趣，它们优越的化学和物理性能在高性能光电和电子器件中得到了应用。蚀刻是器件制造中必
2021-10-13 15:43:21
335
原创 《炬丰科技-半导体工艺》n-GaN的电化学和光刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：n-GaN的电化学和光刻编号：JFKJ-21-820作者：炬丰科技摘要本文利用旋转盘伏安法、循环伏安法和电阻抗测量方法，研究了n-GaN在各种水溶液中的（光）电化学行为。结果表明，半导体的边缘位移超过60mV/pH单位，表明在界面上存在酸碱平衡。在硫酸和氢氧化钾溶液中，阳极偏置下的光电流与三等效反应下的半导体氧化有关，导致表面的溶解和粗糙化。在1.2M的盐酸溶液中，由于氯气离子的竞争氧化，n-GaN被稳定为阳极分解。在草酸和柠檬酸的...
2021-10-13 15:38:51
301
原创 《炬丰科技-半导体工艺》采用RCA-1进行硅蚀刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：采用RCA-1进行硅蚀刻编号：JFKJ-21-725作者：炬丰科技摘要众所周知，在器件制造过程中反复使用的RCA标准清洁1会导致硅的蚀刻。在一些工艺流程中，当制造具有薄膜的器件时，例如在绝缘体上硅技术中，这种蚀刻可能是重要的。我们显示，当在二氧化硅上的裸露硅层上涂覆10分钟时，25-30埃的硅被改良版的SC1清洗剂(1:8:64重量份的NH4OH、H2O2和H2O)蚀刻掉。介绍制造业中使用了许多湿法化学清洗方案，其中最流...
2021-10-13 15:35:13
327
原创 《炬丰科技-半导体工艺》准原子层蚀刻的硅氮化物
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：准原子层蚀刻的硅氮化物作者：炬丰科技编号：JFKJ-21-727摘要原子层蚀刻(ALE)是一种很有前途的技术，可以解决与连续或脉冲等离子体过程相关的挑战——选择性、轮廓和长宽比相关的蚀刻之间的权衡。与硅、氧化物等材料相比，氮化硅的原子层蚀刻尚未得到广泛的报道。在本文中，作者演示了氮化硅在一个商业等离子体蚀刻室中的自限性蚀刻。本文所讨论的过程包括两个连续的步骤：在氢等离子体中的表面修饰和去除氟化等离子体中的修饰层。除了ALE的特性外，作者还证明了
2021-10-12 13:33:22
316
原创 《炬丰科技-半导体工艺》种植体表面酸蚀氧化铝的稳定性
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：种植体表面酸蚀氧化铝的稳定性编号：JFKJ-21-333作者：炬丰科技摘要背景： 本研究的目的是通过对植入物的存活率、成功率、初级和二级稳定性、并发症和边缘骨丢失的回顾性分析，评估酸蚀表面用氧化铝喷砂的植入物的长期临床稳定性。方法： 2008 年 1 月至 2008 年 1 月至韩国釜山首尔国立大学医院的 Osstem（韩国釜山，Osstem Implant Co.， 2010 年 12 月被选中进行研究。回顾性分析患者的病历和 X 光片（全景
2021-10-12 13:11:06
270
原创 《炬丰科技-半导体工艺》自对准双图案的蚀刻研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：自对准双图案的蚀刻研究编号：JFKJ-21-271作者：炬丰科技摘要 提出了一个完整的FinFET蚀刻模块的工艺流程，作为实验，以确保目标薄膜以适当的速度均匀地蚀刻。提出的工艺流程是在RIT开发的，旨在紧密复制了半导体行业使用的自对齐双模式 (SADP)过程模块，同时推进了RIT目前的洁净室设施能力。 图形蚀刻研究的动机...
2021-10-11 11:52:30
179
原创 《炬丰科技-半导体工艺》原子层沉积(ALD)工艺
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：原子层沉积(ALD)工艺编号：JFKJ-21-676作者：炬丰科技关键词: 原子层沉积(ALD)；原子层外延；薄膜摘要本文介绍了原子层沉积(ALD)法的原理，强调了前体和表面化学的重要性。通过适当调整实验条件，即温度和脉冲时间，生长通过饱和步骤进行。作为例子，描述了最近为微电子学中使用的薄膜开发的选定的ALD工艺。这些包括沉积用于电介质的氧化膜，以及用于金属化的氮化物和金属膜。使用等离子体源来形成自由基将ALD薄膜的选择范围扩大
2021-10-11 11:51:02
1607
原创 《炬丰科技-半导体工艺》自清洁半导体异质结衬底
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：自清洁半导体异质结衬底编号：JFKJ-21-643作者：炬丰科技摘要由于对消除水、土壤和空气中的大量污染的需求越来越大，环境修复领域的新兴技术正变得越来越重要。我们设计并合成了MoS2/fe2o3异质结纳米复合材料(NCs)作为易于分离和重复利用的多功能材料。以双酚A(BPA)为探针分子，对制备的样品进行了微量检测性能的检测，检测限低至10−9M；该检测限在所有报道的半导体衬底中都是最低的。在紫外照射下，用MoS2/Fe2o3NCs进行快速光催
2021-10-11 11:48:08
348
原创 《炬丰科技-半导体工艺》自选择性化学镀
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：自选择性化学镀编号：JFKJ-21-719作者：炬丰科技关键词:自选择性无电镀;纳米线；树突摘要自选择性无电电镀是一种生产功能性一维纳米材料的新方法。该技术基于传统的无静电电镀，利用基底和表面金属沉积来产生所需的功能纳米结构。综述了过去6年的进展和进展，包括通过自选择性无电电镀实现的硅纳米线阵列和伴随的贵金属树突的生产、可能的生长机制和未来的挑战。本文讨论了这种方法对未来发展新颖和独特的纳米器件的作用，这是用传统的制造技术无法实现的。.
2021-10-11 11:46:20
210
原创 《炬丰科技-半导体工艺》表面粗糙度对晶圆直接键合的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：表面粗糙度对晶圆直接键合的影响编号：JFKJ-21-675作者：炬丰科技摘要本文提出了一种描述初始直接晶圆键合过程的理论。基于弹性固体的接触和粘附理论，研究了表面微粗糙度对粘结性的影响。提出了一种有效的粘合能，其中最大值是粘附的比表面能，来描述粘合界面的真实结合能，包括晶片表面微粗糙度的影响。粗糙表面之间的有效结合能和真实的接触面积都依赖于一个无量纲的表面粘附参数u。以粘附参数为指标，可以确定三种晶圆接触界面的粘附性。非键合状态u＞1...
2021-10-11 11:41:33
491
原创 《炬丰科技-半导体工艺》SiGe的蚀刻和沉积控制
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：SiGe的蚀刻和沉积控制编号：JFKJ-21-771作者：炬丰科技摘要嵌入式硅锗在最近的技术节点中被应用于互补金属氧化物半导体中，以提高器件性能并实现扩展。本文发现硅锗表面相对于沟道的位置对功率因数校正阈值电压和器件可变性有显著影响。因此，嵌入式硅锗的凹槽蚀刻和沉积必须得到很好的控制。我们展示了器件对填充工艺的敏感性，并描述了用于优化外延控制的前馈和反馈技术。介绍在进入制造业的最新CMOS技术节点，由于传统的栅极长度和厚..
2021-10-09 14:11:53
212
原创 《炬丰科技-半导体工艺》TSV对3DIC集成系统级封装热性能的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：TSV对3DIC集成系统级封装热性能的影响编号：JFKJ-21-765作者：炬丰科技摘要在传热和CFD（计算流体动态）分析的基础上，本文研究了三维IC集成系统(SiP)与TSV（通过硅通过）插入器/芯片的热性能。用测定各种铜填充、铝填充的聚合物直径、螺距和长径比的等效导热系数，三维ICSiP与各种TSV插入器的连接温度和热阻，三维叠加8个TSV存储芯片的连接温度和热阻，测定TSV芯片厚度对其热点温度的影响。为方便的工程实践提供了有用的设计图表和
2021-10-09 14:09:00
2275
原创 《炬丰科技-半导体工艺》IPA溶液的界面和电动特性
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：IPA溶液的界面和电动特性编号：JFKJ-21-777作者：炬丰科技摘要在本研究中，异丙醇异丙醇异丙醇和去离子水的混合物的界面和电动现象与半导体晶片干燥进行了研究。随着异丙醇加入去离子水，异丙醇溶液的介电常数从78线性下降到18。异丙醇溶液的粘度随着异丙醇在去离子水中的体积百分比的增加而增加。还在异丙醇溶液中测量了二氧化硅颗粒和硅片的ζ电势。随着异丙醇在去离子水中体积比的增加，ζ电位接近中性。当异丙醇浓度增加到30体积%时，测量到表面张力从
2021-10-09 14:06:14
503
原创 《炬丰科技-半导体工艺》TSV芯片中超临界二氧化碳电镀铜参数的研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：TSV芯片中超临界二氧化碳电镀铜参数的研究编号：JFKJ-21-766作者：炬丰科技关键词:超临界二氧化碳，电镀铜，TSV，密封摘要本研究使用超临界电镀来填充芯片中的硅通孔。本研究利用电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP RIE)工艺技术刻蚀硅通孔，讨论了不同的超临界CO2电镀参数，如超临界压力、电镀电流密度对TSV铜柱填充时间、伏安曲线、电阻和气密性的影响。此外，上述所有测试的结果都与传统电镀技术的结果进行了比较。对于测试
2021-10-09 14:02:58
322
原创 《炬丰科技-半导体工艺》PECVD沉积退火后 SiC 薄膜的蚀刻研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：PECVD沉积退火后 SiC 薄膜的蚀刻研究编号：JFKJ-21-737作者：炬丰科技摘要本文采用等离子体化学气相沉积技术在室温下制备了非晶碳化硅薄膜。后退火用于使碳化硅薄膜结晶。这些膜在反应离子蚀刻系统中使用SF6 + O2气体混合物进行蚀刻。用质谱技术研究了过程中氧气浓度的影响。使用这种技术，可以估计蚀刻速率最佳的更好条件，也可以验证像氟和氧这样的蚀刻剂种类对产生主要挥发性产物四氟化硅、一氧化碳和二氧化碳的贡献。介绍无定
2021-10-09 13:57:11
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》GaN 表面的清洁
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 表面的清洁编号：JFKJ-21-744作者：炬丰科技关键词：俄杰电子能谱(AES)、氮化镓、金属化、欧姆接触、表面分析、表面清洁、热解吸摘要本文所描述的工作是对氮化镓的表面清洁和欧姆接触策略的系统研究的一部分。本研究的目的是确定最有效的湿化学和热解吸清洗去除氧(O)和C)碳的方法。比较了氢氯（HC1）和氢氟(HF)酸基清洗处理，并在超高真空(UHV)条件下将热解吸作为温度的函数进行了表征。在整个研究过程中，俄杰电子能谱...
2021-10-08 14:35:15
417
原创 《炬丰科技-半导体工艺》IC 制造中的 HF 浓度控制
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：IC 制造中的 HF 浓度控制编号：JFKJ-21-774作者：炬丰科技摘要硅表面蚀刻二氧化硅层是湿法加工技术中最关键的步骤之一。尽管已经进行了大量的研究来分析这些过程的机理和动力学，但是很少注意监测和控制过程浴中的化学浓度。为了获得一致性和更具成本效益的集成电路制造，化学浓度控制对于晶片加工变得至关重要。本文演示了如何使用电导率传感器来监控HF蚀刻溶液的浓度。已经研究了蚀刻副产物对电导率测量的影响。一旦蚀刻副产物被表征和说明，结果表...
2021-10-08 14:32:40
2513
原创 《炬丰科技-半导体工艺》HF溶液中二氧化硅刻蚀机理
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：HF溶液中二氧化硅刻蚀机理编号：JFKJ-21-741作者：炬丰科技摘要在高频水溶液中，SiO的蚀刻可以通过电场的应用而被阻碍或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以导致这种影响。对溶解过程提出了平行反应路径，并加上电场在中间步骤中停止或重定向反应的能力。介绍SiO2在高频溶液中的溶解是集成电路制造的一个基本步骤。基于这些技术背后的知识，蚀刻结构如图所示1。与n+区域以上的磷掺杂材料相比，在p+区域上发现的...
2021-10-08 14:29:15
763
原创 《炬丰科技-半导体工艺》HF溶液中硅蚀刻过程中银的双重作用
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：HF溶液中硅蚀刻过程中银的双重作用编号：JFKJ-21-721作者：炬丰科技关键词：硅纳米线，银，高频，蚀刻，催化摘要据报道，在硅蚀刻过程中，银起到了有争议的作用。一些研究人员争论银可以保护硅，同时，其他研究人员证实银可以催化下面的硅。在本文中，我们给出了实验结果，证明了银在硅纳米结构形成过程中的双重作用。我们证明了银的作用取决于银在硅晶片上沉积过程中的实验细节和内在性质。通过我们的研究，我们追踪了表明涉及哪种机制的银粒子。用...
2021-10-08 14:26:27
196
原创 《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集37
一：《碳化硅薄膜的选择性刻蚀》二：《碳化硅衬底和外延》三：《碳化硅衬底及其制造方法》四：《碳化硅热氧化》五：《碳化硅单晶的制造方法》六：《碳化硅的化学机械抛光》七：《碳化硅等薄膜及沉积方法》八：《碳化硅等离子刻蚀方法》九：《碳化硅晶体的生长方法》十：《碳化硅衬底上的氮化物基晶体》十一：《铜锌锡硫薄膜的化学气相沉积》十二：《微型LED技术的多视图显示》十三：《形成不含氧的硅基薄膜的方法》十四：《旋涂、喷涂和电沉积技术比较》十五：《退火对InP上ZnO薄膜
2021-10-08 14:24:08
188
原创 《炬丰科技-半导体工艺》3D集成技术：现状及应用发展
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：3D集成技术：现状及应用发展编号：JFKJ-21-748作者：炬丰科技摘要正如ITRS路线图所预测的那样，仅靠缩小晶体管栅极尺寸主导的半导体产业发展将无法克服未来集成电路制造的性能和成本问题。如今，基于硅通孔(TSV)的三维集成是一种公认的方法，可以克服性能瓶颈，同时缩小尺寸。已经演示了几种全3D工艺流程，但是市场上仍然没有基于3D TSV技术的微电子产品——除了互补金属氧化物半导体图像传感器。没有TSVs的存储器和逻辑器件的3D芯片堆
2021-09-30 13:18:30
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》GaAs表面湿法清洗在旋转超声雾化溶液中的处理
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaAs表面湿法清洗在旋转超声雾化溶液中的处理编号：JFKJ-21-749作者：炬丰科技关键词:GaAs；清洁；超声波雾化摘要本文介绍了一种新的GaAs表面湿法清洗工艺。它的设计是为了技术上的简单和在GaAs表面产生的最小损害。它结合了GaAs清洗和三个条件，包括去除热力学不稳定的物质和热清洗后必须完全去除表面氧化层，以及(3)必须提供光滑的表面。清洗过程采用旋转超声雾化技术。首先通过有机溶剂去除杂质；第二次NH4OH : H2O2: H.
2021-09-30 13:16:23
301
原创 《炬丰科技-半导体工艺》 3D-TSV集成的材料和工艺研究进展
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：3D-TSV集成的材料和工艺研究进展编号：JFKJ-21-755摘要3D集成中的各种过程需要考虑多种材料。这些材料对于关键工艺的发展至关重要，例如穿层过孔(TSV)、晶圆和芯片键合以及晶圆处理。本文回顾了一些可变材料和工艺的最新进展，比较了它们的优势和技术挑战，并讨论了实现完全三维TSV集成的选择。介绍半导体技术是过去半个世纪中最强大的技术之一，它遵循著名的摩尔定律呈指数级发展。从单核微处理器(CPU)，到双核、四核、现在的
2021-09-30 13:14:10
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集36
一：《湿式热氧化GaN构成》二：《平面碳化硅半导体衬底》三：《晶片清洗工艺评估》四：《磷化铟纳米管的合成》五：《晶圆级封装的可靠性分析》六：《晶圆级键合工艺》七：《晶圆级微光学制造》八：《晶圆键合制造技术回顾》九：《宽禁带半导体微纳米器件》十：《磷化铟的热力学性质》十一：《磷化铟光子电路》十二：《磷化铟光子集成的优势》十三：《磷化铟直接键合方法》十四：《晶圆级倒装芯片器件封装方法》十五：《磷化铟晶片退火处理研究》十六：《减少碳化硅氧化层缺陷的方法》
2021-09-30 13:10:23
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》衬底对氮化钛薄膜APCVD生长的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：衬底对氮化钛薄膜APCVD生长的影响编号：JFKJ-21-694作者：炬丰科技摘要通过大气化学气相沉积在560°C到四氯化钛和氨的660°C温度范围内，并在成核和生长、晶体取向和杂质方面进行了研究。薄膜沉积在一个冷水壁，大气压CVD反应堆，旨在鼓励层流条件，并在相似的温度和质量传输条件下适应许多不同的基质。用扫描电子和原子力显微镜对薄膜进行表征表明，成核密度增加，表面粗糙度随温度降低。直平角x射线衍射决定了薄膜相对于基底和沉积温度的结晶度和取向
2021-09-29 12:52:01
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》衬底温度对ZnO薄膜的结构和光学特性的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：衬底温度对ZnO薄膜的结构和光学特性的影响编号：JFKJ-21-693作者：炬丰科技关键词:氧化锌薄膜；衬底温度；光学性质；APCVDXRD扫描电镜，原子力显微镜。摘要在这项工作中，氧化锌(氧化锌)薄膜沉积在玻璃基板上的技术。氧气流速(4NL/h)用于各种衬底温度(300，350，400、500和550 ̊C)，沉积时间为30分钟。XRD分析显示，在500 ̊C和氧气流速(4 NL/h)下沉积的ZnO出现了一个尖锐的峰，这表明薄膜完全生长。
2021-09-29 12:49:32
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》单晶硅制造工艺
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：单晶硅制造工艺编号：JFKJ-21-553作者：炬丰科技摘要本文公开了一种在区域精炼操作中制造单晶硅芯的方法。在此过程中，在硅区精炼操作之前和期间，将包含氢气和如氩气的混合气引入或“净化”到区域精炼器的腔室中。在该气体混合物中选择的不超过5%的氢气体的体积，可以消除之前在蚀刻区精炼硅片后发现的硅漩涡。技术描述这是一个标准程序元素硅的区域精炼：（1)在真空进行区域精炼操作(2）使用惰性气体，如氩气，取代区域精炼室的空气或其他气...
2021-09-29 11:55:57
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2021-07-28
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南通华林科纳第三届半导体湿法工艺培训会邀请函
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2021-07-26
空空如也
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