研究背景
本文介绍了一个简单且成本低廉的实验，为学生提供了制备半导体材料并使用UV-可见光谱法表征其光学性质与带隙能量(Eg)之间联系的机会。实验是作为CASPiE项目的一部分开发的，其中学生进行与真实和当前研究相关的实验。这里呈现的实验是为该应用准备的为期六周的实验室模块的摘录，可以在一个实验室周期内完成。整个模块（包括这里描述的实验）已由注册CASPiE实验课程的普通化学学生试点。实验基于使用简化的喷雾热解方法制备宽带隙ZnO薄膜及其固溶体Zn1-xCoxO。
研究主旨
实验通过简单的喷雾热解技术制备ZnO薄膜及其固溶体，展示了如何通过改变材料的组成来调整带隙，从而影响材料的光学性质和颜色。通过引入钴离子，可以观察到ZnO的带隙向可见光区域移动，这直接影响了材料的颜色。实验不仅加深了学生对半导体带结构的理解，还介绍了太阳能转换的概念，如光伏和光电化学电池，使用半导体材料实现。这是一个低成本、直观的实验，适合于普通化学教育，有助于学生理解固体材料的结构、带隙能量和颜色之间的关系。
研究特点
半导体电子带结构的概念（价带、导带和带隙能量）对于学生理解半导体的化学和物理至关重要。能够展示带隙存在及其与材料其他结构性或组成因素关系的实验将极大地促进学生对半导体带结构的理解。然而，由于固体合成和表征（如高温炉、真空系统和X射线衍射仪）所需相对昂贵的设备限制了这些概念实验在本科课程中的应用，尤其是在普通化学课程中。
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