DDR3的时序

今天我们来看一下DDR3是什么，怎么用？

具体的介绍大家自行查找，我仅列出我觉得重要的，方便我自己记忆。

SRAM->SDRAM->DDR，他们应该是祖孙三代，都属于静态随机存储器。

随机存储器我理解是，一片正方形区域内有很多很多厂房，我们随即把数据找个仓库存起来，当然，我们是知道哪个数据对应的厂房的。

我们重点看下DDR的时序

它的结构是不是乍一眼看的迷糊，不用看！

我理解的是，它类似于我们在单片机实验中经常使用到的BCD数码管，我们不是有很多数码管嘛，那我们就要先选择使用哪一个BANK（DDR里面是这个），BANK就类似于数码管，操作时片选。

然后我们先寻找行，在寻找列，找到我们要存储或者读取的仓库。

这就要引入两个参数RAS 与CAS，我们还是按照英文来记忆，

RAS: row address strobe

CAS: column address strobe

这样我们就能来看看时序了：

1 tRCD：全称是RAS-to-CAS delay，行寻址到位寻址之间的延迟，

我们先将BANK地址和行地址一起发出，即仓库区域的选择和仓库所在行的选择同时发出，在经过tRCD时间后我们会将列地址和读写指令一起发出。

2 AL：全称是additive lantency，翻译是附加潜伏期，这个是在tRCD的基础上，为了防止DDR中的指令冲突，我们就不是在tRCD完全结束后，好像我们出发寻找仓库存储物品，我们按照原来的方案是，先找到仓库所在区域然后再找到仓库所在的行最后才去找仓库所在的列；但是引入AL之后，我们在开始寻找仓库的行和区域之后过一小段时间后就打开时缺德地图开始寻找列，但是这并不意味着我们立刻就能写数据了，我们还是要经过完整的tRCD时间，然后才能到达仓库位置，我们这个操作只不过是为了防止指令冲突罢了，

3 CL：全称是CAS lantency，翻译是列地址选通潜伏期，因为在列地址发出后出发数据传输，但是数据从存储单元到内存芯片IO还需要一段时间

4 RL：Read lantency，读潜伏期，RL=AL+CL。

MMDC：multiple mode DDR contorl 多模式DDR控制器

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