DDR3读写时序

最新推荐文章于 2024-08-31 14:03:57 发布
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本文详细介绍了DDR3内存的读写时序，包括预充电、激活、写入和读取等关键步骤，帮助读者理解DDR3内存的工作原理。

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DDR3读写时序

 
1.DDR3时序参数
意思是说，当我们选择了187E芯片的时候，他所能支持的最大速率是1066MT/s，即DDR3的时钟频率是533MHz。此时tRCD=7 tRP=7 CL=7。
时钟周期是1.87ns因此CL=1.87*7=13.1ns。
tRCD指的是从ACTIVATE到READ或WRITE的时间
tRP指的是PRECHARGE的时间
CL指的是从读命令发出到读数据出现的时间
后文还会有CWL，这个参数是指从写命令发出到写数据出现的时间
 
 
在DDR3的Features中有上面的描述，可见CL是可以设置为5~11之间的数值的。
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