用于栅极凹槽的 GaAsAlAs 湿法选择性蚀刻工艺

引言

栅极凹槽在场效应晶体管（FETs）1-6的制造中起着重要的作用，如金属半导体场效应晶体管（MESFETs）1-2和高电子迁移率晶体管（HEMTs），3-6栅极凹槽过程是影响器件均匀性的主要因素之一。

众所周知，功率mesfet对信道区域的表面状态和缺陷陷阱非常敏感。功率MESFET过程中的栅极凹槽步骤必须均匀，不会产生表面状态和缺陷陷阱。研究了非选择性湿化学蚀刻的栅凹过程。（江苏英思特半导体科技有限公司）

然而，非选择性蚀刻在均匀性控制方面存在问题。均匀的栅极-凹槽工艺对于制造砷化镓的综合网格和高频集成电路以及单片微波集成电路（MMICs）至关重要。在栅极凹槽过程中使用选择性蚀刻器是提高晶体管均匀性的一种好方法。本文提出了一种基于柠檬酸/柠檬酸/柠檬酸钾/过氧化氢溶液和AlAs蚀刻停止层的高选择性湿式化学蚀刻工艺。采用双栅凹槽工艺提高了击穿电压。不仅显示了均匀性数据，还显示了直流和射频特性。在这项工作中开发的器件显示了高击穿电压和非常均匀的挤压电压。（江苏英思特半导体科技有限公司）

实验

对于在现代低压无线应用中使用的功率mesfet，这些设备通常具有非常大的外围和低阻抗。希望该器件具有均匀的夹断电压，便于电路匹配和制造。均匀性控制对于外围功率较大的先进功率fet来说是极其重要和困难的。（江苏英思特半导体科技有限公司）

此外，对于大功率砷化镓MESFET，希望器件具有高击穿电压，以便器件可以在高漏极电压下使用，以保持高输出功率和高功率效率，电源网中的门凹槽必须保持凹区的光滑轮廓，以避免高电场积累和实现高击穿电压。如图1所示，MESFET的材料结构是通过分子束外延（MBE࿰