用于栅极凹槽的 GaAsAlAs 湿法选择性蚀刻工艺

引言

栅极凹槽在场效应晶体管（FETs）1-6的制造中起着重要的作用，如金属半导体场效应晶体管（MESFETs）1-2和高电子迁移率晶体管（HEMTs），3-6栅极凹槽过程是影响器件均匀性的主要因素之一。

众所周知，功率mesfet对信道区域的表面状态和缺陷陷阱非常敏感。功率MESFET过程中的栅极凹槽步骤必须均匀，不会产生表面状态和缺陷陷阱。研究了非选择性湿化学蚀刻的栅凹过程。（江苏英思特半导体科技有限公司）

然而，非选择性蚀刻在均匀性控制方面存在问题。均匀的栅极-凹槽工艺对于制造砷化镓的综合网格和高频集成电路以及单片微波集成电路（MMICs）至关重要。在栅极凹槽过程中使用选择性蚀刻器是提高晶体管均匀性的一种好方法。本文提出了一种基于柠檬酸/柠檬酸/柠檬酸钾/过氧化氢溶液和AlAs蚀刻停止层的高选择性湿式化学蚀刻工艺。采用双栅凹槽工艺提高了击穿电压。不仅显示了均匀性数据，还显示了直流和射频特性。在这项工作中开发的器件显示了高击穿电压和非常均匀的挤压电压。（江苏英思特半导体科技有限公司）

实验

对于在现代低压无线应用中使用的功率mesfet，这些设备通常具有非常大的外围和低阻抗。希望该器件具有均匀的夹断电压，便于电路匹配和制造。均匀性控制对于外围功率较大的先进功率fet来说是极其重要和困难的。（江苏英思特半导体科技有限公司）

此外，对于大功率砷化镓MESFET，希望器件具有高击穿电压，以便器件可以在高漏极电压下使用，以保持高输出功率和高功率效率，电源网中的门凹槽必须保持凹区的光滑轮廓，以避免高电场积累和实现高击穿电压。如图1所示，MESFET的材料结构是通过分子束外延（MBE）生长出来的。未掺杂的砷化镓缓冲层，未掺杂的AlGaAs/GaAs超晶格缓冲液，以及未掺杂的砷化镓缓冲液，在衬底上依次生长。砷化铝镓/砷化镓超晶格缓冲液抑制了砷化镓通道和未掺杂的砷化镓底物之间的载流子注入。

该结构的活性通道为n掺杂的砷化镓层，掺杂浓度为2 31017/cm3。在沟道层上生长一个20 A AlAs蚀刻停止层，以获得均匀的栅极凹槽控制。在AlAs层上生长了大量掺杂硅的砷化镓层，以提供良好的欧姆接触并降低源电阻。图3显示了1M柠檬酸M C6H8O7 H2O:1 M K3C6H5O7 2O:H2O2 = 5:5:2。

图3。1M柠檬酸的蚀刻深度与时间 H2O:1 M K3C6H5O7 H2O：H2O2 = 5：5：2的溶液。

图1.砷化镓功率MESFET的外延结构示意图。

 图2.砷化镓层间AlAs蚀刻停止层的TEM照片。

结果和讨论

在高漏极偏置下的ide砷化镓功率MESFET。举例说明了输出功率（Pout）、功率增加效率（PAE）和功率增益。当在10 V和500 mA和1.88 GHz下工作时，MESFET提供的最大输出功率为38.8 dBm，功率增加效率为49.5%，增益为8.42 dB。线性增益为12.2 dB，1 dB压缩点（P1dB）处的输出功率为37.7dBm，PAE为50.7%。最大PAE为52.5%。性能表明，湿式化学蚀刻工艺和蚀刻停止层的结合，导致蚀刻轮廓，可以维持高击穿的大功率MESFET制造的电压。

结论

使用一个薄的AlAs蚀刻停止层和柠檬酸H2O:K3C6H5O7开发了用于选择性栅极凹槽的H2O：H2O2基溶液。本研究中AlAs/GaAs的选择性高于3800。本研究开发的选择性蚀刻工艺既适用于需要高击穿电压的大功率器件，也适用于需要良好的夹断电压均匀性、良好的功率效率和线性度的低压功率器件。采用该工艺开发的功率器件具有良好的功率性能，包括高输出功率密度、高功率效率和良好的功率线性度。所开发的器件在3英寸上也具有良好的挤压均匀性。封信条在处理过的器件中没有观察到表面状态效应。所开发的选择性蚀刻工艺简化了栅极凹槽的步骤，并提供了良好的器件均匀性。（江苏英思特半导体科技有限公司）