本文介绍了英思特在SiGe合金中采用SON结构和各向异性刻蚀技术，实现对硅的高选择性刻蚀，以提升晶体管性能。研究了在减压CVD设备中的蚀刻过程，发现有选择性蚀刻现象并探讨了沉积物形成机制。结果表明，已优化的工艺可达到250nm/min的蚀刻速率，适用于先进器件制造需求。
引言
目前，硅的电气和热性能在微电子技术领域中应用广泛。锗化硅（SiGe）合金的使用频率越来越高，在互补金属氧化物半导体技术中，英思特通过使用SON结构以及进行各向同性刻蚀，将该工艺扩展到对Si进行Si选择性刻蚀。
为了提高晶体管性能，基于SiGe中的传导沟道的技术目前已经在开发中。这种蚀刻是基于四氟化碳/N2/O2的气体混合物中的过程，其特征具有选择性，即Si隧道深度与SiGe层消耗之间的比值（图1）。
图1：样品用于研究该过程的选择性
实验与讨论
该工艺在减压化学气相沉积设备中进行，其用于表征各向同性蚀刻的样品是由多层Si和SiGe层组成的。当在单晶硅衬底上通过外延生长SiGe时，只要厚度低于塑性临界厚度，SiGe层就会在压缩中产生应变。我们通过光学光刻连接0.4微米厚的光刻胶层，然后使用各向异性蚀刻工艺转移多层中的图案，从而使掩埋的Si和SiGe层可接触到蚀刻物质。
图2：一个蚀刻速率
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