概述
该产品采用 H
桥电路结构设计,内部集成
N
沟道和 P
沟道功率
MOSFET
,特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成过温保护,当电路内部温度超过设定值时 (典型值
150
℃
)
,关断负载电流。当电路的结温下降到预设温度(
典型值
130
℃
)
时,电路返回正常工作状态;但电路不具有短路保护功能,当输出对地短路、输出对电源短路、输出端短路时易导致电路损坏,使用时应避免发生短路,或者加入限流措施避免发生类似损坏。逻辑控制电源 VCC 与功率电源 VDD
内部完全独立,实际使用中应分开布线,禁止将 VCC
与
VDD直接接到一起,以防止 VDD
高压对电路
VCC
端造成损伤。
特性
低待机电流 (
小于
0.1uA)
工作电压范围:2V-8.6V
最大持续输出电流:1.4A(VDD=6.5V)
最大峰值输出电流:3A(VDD=6.5V)
低导通内阻
—
1400
毫安输出电流时,内阻
0.35
欧姆
—
200
毫安输出电流时,内阻
0.3
欧姆
较小的输入电流
— 逻辑输入
INA\INB
集成
15K
对地下拉电阻
内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)
抗静电等级:4KV (HBM)
应用范围
2-4
节
AA/AAA
干电池供电的玩具马达驱动
2-5
节镍
-
氢
/
镍
-
镉充电电池供电的玩具马达驱动
2
节锂电池供电的马达驱动
典型应用图
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/d48d22b6454a51f9f7fae50ff20f38f2.png)