一.电阻
湿度电阻 热敏电阻 光敏电阻 压敏电阻 磁敏电阻 气敏电阻 力敏电阻 熔断电阻
排阻 水泥电阻 可变电阻 电位器
电阻计算,串联相加R1+R2+R3+R4+RN 并联1/(1/rR1+1/R2+1/R3+1/RN)
1.上拉电阻 把某个点电压拉到指定电压,把电压拉高 2.下拉电阻 一端接地,把电压拉低。
3.降压 把电压分掉就降压了 3.隔离电阻 两端间加电阻两端电阻不为0
4.电压转电流 电压源加上电阻有电流输出
5.分压电阻 电阻串联电压分压6.分流电压 电阻并联电流分流
7.限流 防止电流过大保护元件
二.电容
电解电容,有极性 无极性 陶瓷电容,分低频陶瓷电容和高频陶瓷电容 涤纶电容 等
电容通直流隔交流容抗效应,电容感抗Xc=1/2πfc 电容等于1uf当等于直流电时f频率等于0那么直流电的Xc是0 电容等于1uf当交流电频率等于1K时容抗=1/0.00628=159 当信号频率越高容抗越大
旁路电容主要对输入信号进行滤波处理;功能主要是要减小电路里面纹波的幅值,从而保证电路正常工作。
滤波电容主要对电源进行滤波处理,功能主要是要减小电源纹波的幅值,从而保证电路正常工作。
去耦电容主要对输出信号的干扰作为滤除对象;功能主要有两个;1、储能,主要是负载瞬态电流发生变化时,电容对负载放,担负局部电源作用;2、阻抗,主要是降低电源系统的交流阻抗

1.耦合电容 耦合就是=连接 隔交流通直流 
2.滤波电容,通过的电容充电放电原理使得电源不会突变减少电源纹波
3.保护电容,电容两边不能突变二极管不会一下子升高
组合电阻电容
sss时间常数RC电路 两个状态计算充满和冲到阈值 充满时间=R*C 10*1000*4.7*0.000001=0.047S
阈值3.4V时间=-R*C*ln((6-3.4)/6)=-0.047*ln(0.4333)=0.039s
验证V*(1-(E^-t/rc))=6*(1-(e^-0.039/0.047))=3.38
当C1=10uf R1=10k 满RC=10*1000*10*0.000001=0.1S
3.5V S=-rc*ln((6-3.5)/6)=-0.1*ln(0.4166...)=0.0875 验证=6*(1-(e^-0.0875/0.1))=3.498V

上面电压下面信号
高通电路,高于频率通过F=1/2πRC 1/(2*3.14*2K*0.39UF0=1/0.0048984=204Hz
低通电路 低于频率通过 F=1/(3.14*2*1.1k*0.1uf)=1/0.0006908=1447596hz
取中间值,先低通在高通 低于408K高于0.16hz

MOS管
MOS G-栅级 D-漏级 S-源级
MOS管分NP,还有耗尽和增强型 耗尽型G为0时D有漏电流 增强型G为0时D没有漏电流

导通条件 N型当G-S压差为0时没有电流D-S不导通 当G-S压差大于开启电压VGS(th)时D-S导通,负载在上面时大于开启电压,但是负载在地和S之间开启电压加上D级上面的电压才能工作
导通条件 P型当S-G压差为0时导通D-S不导通没有电流, 当S-G压差为开启电压VGS(th)时D-S导通有电流 负载要在下端在上段会有漏电流
总结一下,N管电压G-S要有压差且大于开启电压,负载放在电源端放下面开启电压加上VCC才行
P型管S-G压差要大于开启电压,负载在下面接地端

应用和解析 开关N管 控制电源P管 按键开机上P下N
反相 充电保护

双边互补影响

运放
比较器应用,同相比反向大输出高 同相比反向小输出低 反相器需要加上拉电阻属于OC输出
第一个比较电压控制输出高低 第二个控制电压区域在这个区域就高不在就低

运算放大器两个特性
1.虚短 运算放大器虚短就是只要加了负反馈+-电压都是相同的 需要加上负反馈V+=V-
2.虚断 运算放大器虚断输入端内部电阻无限大,电流几乎为零 这就是虚断i=0
应用同相放大A=1+(R21/R23)放大倍数正
反向放大A=-(R26/R27)放大倍数负在多接一断就负负的可以缩小
电压跟随器,输入多少输出就是多少
反向加法运算 输入电阻和反馈电阻要相同 同相下拉电阻要是前面电阻的并联值 在把电压转正
比较简单不用计算
同相加法电路,下面条件同相电阻相同,负相 反馈电阻和拉地倍数关系 需要注意 反馈电阻和输入端口
要是电阻不同其他公式 UO=(Rf/R1 *U1)+(Rf/R2 *U2)+(Rf/Rn *Un)

减法运算 差分运算 注意电阻平衡性,顿口数量平衡 单口的注意电阻值要相同

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