模拟电路复习--总结

模拟电路复习–总结

1. 晶体管，二极管的区别：

晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体管里的一种

2.什么是载流子，P型和N型的区别：

运载电荷的粒子为载流子；P型为三价元素掺杂，多数载流子为空穴，N型为五价元素掺杂，多数载流子为电子；

3.扩散运动与漂移运动的成因：

扩散运动是由浓度差导致的，漂移运动是由电场作用导致的；

4 PN结在什么时候形成，

PN结形成：当多数载流子的扩散运动与少数载流子的漂移运动相等时，PN结形成；

5 PN结中正向电压和反向电压对应的运动是什么？

正向电压让耗尽层缩小，增强其扩散运动，形成扩散电流；反向电压让耗尽层变大，增强其漂移运动，形成漂移电流（由于其很小，视为截止）；

6 雪崩击穿，齐纳击穿的区别：

齐纳击穿一般是在重掺杂PN结内发生，击穿电压较小，低于5～6V；
雪崩击穿一般是在轻掺杂PN结内发生，击穿电压较大，高于5～6V；

其中一般二极管是雪崩击穿，齐纳击穿大多发生在稳压二极管中；

雪崩击穿是PN结反向电压增大到一定值时，载流子倍增像雪崩一样，增加的快而多，而齐纳击穿是在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能直接破坏；

7 二极管，三极管（BJT），场效应管（FET or MOS）的区别：

Diode ---- 二极管
1.利用PN结的单向导电性（但由于PN结的电容效应，其存在最高工作频率，当电压变化超过这个频率，二极管中的PN结将失去单向导电性）

能用于稳压，整流，检波；

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Bipolar-junction transistor(BJT) -----双极型晶体管
1.电流控制电流的流控器件（I_B 控制 I_C，基极电流控制集电极电流）
2.有两种载流子参与导电过程(这也是为什么叫双极型的原因），多子是电子，少子是空穴(以NPN型举例），少子容易受温度影响,热稳定性差
3.输入输出回路皆有电流参与，故功耗相对来说比较大
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Field-effect transistor(FET or MOS)------场效应管
1.电压控制电流的压控器件
2.只有一种载流子参与导电，也称为单极型管，也正如此，受温度影响较低，热稳定性好
3.只有一个回路参与导电，故功耗相对较低
4.最小可制作到纳米级，容易集成，所以广泛应用于大规模集成电路中

8 三极管中各电流产生原因：

发射极电流由于扩散运动，基极电流由于复合运动（电子与空穴结合），集电极电流由于漂移运动

9 三极管放大系数β是不是常数，什么是理想三极管？

β不是常数，在Ic过大或过小时β会变小；

理想三极管便是，无穿透电流，β处处相等

10 放大电路放大的是什么，以及为什么需要静态工作电压？

放大电路放大的是动态信号（需要把小的变化量放大出来），如果没有静态工作电压，放大电路没法激活（U_BE都没法达到，及输入电压都没达到三极管的开启电压，I_B都一直是0，自然没法放大，导致失真）

11 在三极管组成的放大器中，基本偏置条件是什么?

发射结正偏;集电结反偏

12 共射极放大电路，输入输出是正相还是反相？

反向的，具体原理需结合电路图分析，输入电压变大，导致I_B变大，导致I_C变大，导致Rc的分压变大，因为VCC不变，所以输入电压变小，所以反向；

13 放大电路的失真有哪几种，原因是什么？

截止失真和饱和失真；

截止失真是因为Q点太低（只能通过增大VBB来解决）；饱和失真是因为Q点过高，可以增加Rb，减小Rc从而降低Q点（也可以通过改变电压，比如减小VBB，但一般不使用改变电压的方法来做，这样不好）

14 三极管静态工作点一般位于三极管输入输出曲线的什么位置？

在放大区中央