使用隔离式栅极驱动器的设计指南

本设计指南分为三部分，旨在讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器，并分享实战经验。本文为第一部分，主要包括隔离式栅极驱动器的介绍和选型指南。

本文引用地址：

安森美的隔离栅极驱动器专为满足 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）等技术所需的最高开关速度和系统尺寸限制而设计，为 MOSFET 提供可靠的控制。电力电子行业的许多设计人员在使用 Si MOSFET、SiC 和 GaN MOSFET 方面具有丰富的经验，可谓是专家级用户。系统制造商对提高设计的能效越来越感兴趣。为了在市场中取得领先地位，高能效与低成本的结合至关重要。从半导体材料的角度来看，该领域已经取得了显著进步，现在有一些产品能够高速开关，从而提高系统级效率，同时减小尺寸。

栅极驱动器——是什么、为何使用以及如何工作？

功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。

为了操作 MOSFET，通常需要将电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。

栅极驱动器用于导通和关断功率器件。为此，栅极驱动器对功率器件的栅极充电，使其达到最终的导通电压 VGS(ON)，或者驱动电路使栅极放电到最终的关断电压 VGS(OFF)。为了在两个栅极电压电平之间实现转换，栅极驱动器、栅极电阻和功率器件之间的环路中会产生一定的功耗。

如今，用于中低功率应用的高频转换器主要利用栅极电压控制器件，如 MOSFET。

对于高功率应用，当前使用的最佳器件是碳化硅 (SiC) MOSFET，快速导通/关断这种功率开关需要更高的驱动电流。栅极驱动器不仅适用于 MOSFET，而且适用于宽禁带中目前只有少数人知道的新型器件，如碳化硅 (SiC) FET 和氮化镓 (GaN) FET。

栅极驱动器是一种功率放大器，它接受控制器 IC 的输入，并产生适当的大电流以驱动功率开关器件的栅极。

以下简要总结了使用栅极驱动器的原因：

栅极驱动阻抗

  栅极驱动器的功能是快速导通和关断功率器件以减少损耗。为了避免米勒效应或某些负载下的慢速开关所导致的交叉导通损耗，驱动器必须以比相对晶体管上的导通状态更低的阻抗建立关断状态。负栅极驱动裕量对于减少这些损耗起着重要作用。

源极电感

  这是栅极驱动器电流环路和输出电流环路共享的电感。负栅极驱动电压裕量与源极引线电感相结合，会对负载下输出的开关速度产生直接影响，这是源极电感的源极退化效应（源极引线电感将输出开关电流耦合回栅极驱动&#