变频器主要功率元器件损耗分析

最新推荐文章于 2023-07-22 13:57:49 发布

悟坑

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分类专栏：对象对象文章标签： IGBT 变频器

本文链接：https://blog.csdn.net/King_Yo/article/details/48209031

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本文分析了变频器的主要损耗来源，包括IGBT模块、整流桥和整流滤波电容的损耗。通过对这些元器件的损耗探讨，揭示了变频器工作过程中的能量转换效率和发热情况。

摘要由CSDN通过智能技术生成

摘自基于热仿真分析的低压变频器散热结构研究。

变频器是一种控制交流电动机的电控设备，它可以改变电机的工作电源频率。变频器的主要组成部分有整流、滤波、逆变、制动单元、驱动单元、控制单元等。依靠内部IGBT模块的导通和断开，变频器能够按照电机的工作需求，对输出电源的频率和电压进行调整，从而完成调速节能工作。

变频器通常由四部分组成：整流、电容、逆变和控制单元。
整流单元的工作内容是将固定工频的交流电源转换为直流电源。
电容的作用是储存转换后的电能。
由大功率开关晶体管阵列组成的逆变单元，将直流电转化成不同频率和幅
度的方波。
控制单元能够按按照编定的程序控制输出方波的幅度与脉宽，叠加得到近
似正弦波的交流电，提供给交流电动机。

IGBT模块损耗

IGBT的等效电路

图2-2 为IGBT 的等效电路。当将驱动正电压加在IGBT 内部的发射极和栅极之间，MOSFET 便会导通，这时晶体管导通，因为PNP 晶体管的集电极与基极之间为低阻状态；当IGBT 内部的发射极和栅极之间的电压为0V 时，OSFET将截止，PNP 晶体管的基极电流被切断，晶体管截止。

当IGBT 的驱动电压不足时ÿ