目录
增强型PMOS(Enhancement Mode PMOS)
1. 绝对最大额定值(Absolute Maximum Ratings)
2. 电气特性(Electrical Characteristics)
3. 开关特性(Switching Characteristics)
4. 热特性(Thermal Characteristics)
5. 安全工作区(Safe Operating Area,SOA)
7. 频率特性(Frequency Characteristics)
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MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一种常用的场效应晶体管,用于开关和放大电路。MOSFET是现代电子电路中最常见的一种晶体管,广泛应用于模拟电路和数字电路。MOSFET有两种主要类型:N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)。
MOSFET是场效应管中的一种,另一种是JFET,本文不赘述,可参考文章:结型场效应管(JFET)_结型场效应管csdn-CSDN博客
1.NMOS:
NMOS(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种场效应晶体管,属于MOSFET的一种,广泛应用于数字和模拟电路。NMOS利用电子作为主要的载流子,具有较高的导电性能和开关速度。以下是对NMOS的详细介绍:
输入和输出的特征图像在增强型和耗尽型
结构
- 源极(Source)和漏极(Drain):掺杂N型杂质,形成N型区域。
- 栅极(Gate):通常由多晶硅或金属制成,通过一层薄薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层与基底隔开。
- 等效模型图:
工作原理
NMOS的操作基于栅极电压(Vgs)相对于源极电压的变化:
阈值电压(Vth)以下:
- 当栅极电压(Vgs)小于阈值电压(Vth)时,P型基底中没有形成导电沟道,NMOS处于关断状态,源极和漏极之间没有电流流动。
阈值电压(Vth)以上:
- 当栅极电压(Vgs)大于阈值电压(Vth)时,在栅极下方的P型基底中形成一个N型反转层(导电沟道),连接源极和漏极,NMOS导通。
- 线性区(Triode Region):当漏源电压(Vds)较低时,NMOS工作在线性区,漏极电流(Id)与Vds成正比。
- 饱和区(Saturation Region):当漏源电压(Vds)较高时,NMOS工作在饱和区,漏极电流(Id)主要由Vgs控制,基本与Vds无关。
特性
- 高输入阻抗:由于栅极和基底之间有绝缘层,NMOS具有非常高的输入阻抗。
- 快速开关速度:NMOS的电子迁移率高,开关速度快,适用于高速电路。
- 低导通电阻:导通时,NMOS的电阻较低,能够承受较大的电流。
应用
- 数字电路:广泛应用于CMOS逻辑电路中,与PMOS一起组成CMOS技术。
- 模拟电路:用于放大器、模拟开关等。
- 电源管理:应用于开关电源、电压调节器等。
NMOS的工作区域
- 截止区(Cutoff Region):Vgs < Vth,NMOS关断,没有导电沟道,Id ≈ 0。
- 线性区(Triode Region):Vgs > Vth 且 Vds < Vgs - Vth,NMOS导通,Id ∝ Vds。
- 饱和区(Saturation Region):Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth,NMOS导通,Id主要受Vgs
- 控制,与Vds无关。
2.PMOS:
PMOS(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种利用空穴作为主要载流子的MOSFET,广泛应用于各种模拟和数字电路中。与NMOS相比,PMOS在某些电路设计中具有独特的优势和特性。
输入和输出的特征图像在增强型和耗尽型
PMOS的结构与工作原理
结构
- 基底(Substrate):通常为N型半导体材料。
- 源极(Source)和漏极(Drain):掺杂P型杂质,形成P型区域。
- 栅极(Gate):通常由多晶硅或金属制成,通过一层薄薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层与基底隔开。
工作原理
PMOS的操作基于栅极电压(Vgs)相对于源极电压的变化:
阈值电压(Vth)以下:
- 当栅极电压(Vgs)高于阈值电压(Vth)时,N型基底中没有形成导电沟道,PMOS处于关断状态,源极和漏极之间没有电流流动。
阈值电压(Vth)以上:
- 当栅极电压(Vgs)低于阈值电压(Vth)时,在N型基底中形成一个P型反转层(导电沟道),连接源极和漏极,PMOS导通。
- 线性区(Triode Region):当源漏电压(Vds)较低时,PMOS工作在线性区,漏极电流(Id)与Vds成正比。
- 饱和区(Saturation Region):当源漏电压(Vds)较高时,PMOS工作在饱和区,漏极电流(Id)主要由Vgs控制,基本与Vds无关。
增强型PMOS与耗尽型PMOS
增强型PMOS(Enhancement Mode PMOS)
- 特点:在栅极电压(Vgs)为零时处于关断状态。
- 导通条件:当栅极电压低于阈值电压(Vth)时,形成P型沟道,MOSFET导通。例如,典型的阈值电压Vth为-0.5V,只有当Vgs < -0.5V时,PMOS才会导通。
耗尽型PMOS(Depletion Mode PMOS)
- 特点:在栅极电压(Vgs)为零时处于导通状态。
- 关断条件:当栅极电压高于阈值电压(Vth)时,耗尽层扩展,导电沟道变窄甚至完全关闭,MOSFET关断。
应用
- 数字电路:广泛应用于CMOS逻辑电路,与NMOS一起组成CMOS技术。
- 模拟电路:用于放大器、模拟开关等。
- 电源管理:应用于开关电源、电压调节器等。
PMOS的工作区域
- 截止区(Cutoff Region):Vgs > Vth,PMOS关断,没有导电沟道,Id ≈ 0。
- 线性区(Triode Region):Vgs < Vth 且 Vds < Vgs - Vth,PMOS导通,Id ∝ Vds。
- 饱和区(Saturation Region):Vgs < Vth 且 Vds > Vgs - Vth,PMOS导通,Id主要受Vgs控制,与Vds无关。
3.增强型与耗尽型:
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增强型(Enhancement Mode)
一开始是没有沟道的,在外部电压的控制下,才有沟道
特点
- 阈值电压(Vth):增强型MOSFET在栅极电压(Vgs)为零时处于关断状态,没有导电沟道。
- 导通条件:NMOS需要正的Vgs(大于阈值电压Vth)来增强导电沟道;PMOS需要负的Vgs(小于阈值电压Vth)。
工作原理
NMOS增强型:
- 当Vgs > Vth时,在P型基底下方形成N型反转层,MOSFET导通。
- 例如,典型的阈值电压Vth为0.5V,只有当Vgs > 0.5V时,NMOS才会导通。
PMOS增强型:
- 当Vgs < Vth时,在N型基底下方形成P型反转层,MOSFET导通。
- 例如,典型的阈值电压Vth为-0.5V,只有当Vgs < -0.5V时,PMOS才会导通。
耗尽型(Depletion Mode)
一开始有沟道,在外部电压下,逐渐没有沟道
特点
- 阈值电压(Vth):耗尽型MOSFET在栅极电压(Vgs)为零时处于导通状态,已有导电沟道。
- 关断条件:NMOS需要负的Vgs(低于阈值电压Vth)来耗尽导电沟道;PMOS需要正的Vgs(高于阈值电压Vth)。
工作原理
NMOS耗尽型:
- 当Vgs < 0时,耗尽层扩展,导电沟道变窄甚至完全关闭,MOSFET关断。
- 当Vgs为正时,导电沟道增强,MOSFET导通。
PMOS耗尽型:
- 当Vgs > 0时,耗尽层扩展,导电沟道变窄甚至完全关闭,MOSFET关断。
- 当Vgs为负时,导电沟道增强,MOSFET导通。
4.数据手册参数:
对于每个具体的参数都有解释:MOS管参数详解-CSDN博客
AO3401A_AOS-AO3401A中文资料_PDF手册_价格-立创商城 (szlcsc.com)以NMOS作为参考器件
1. 绝对最大额定值(Absolute Maximum Ratings)
这些参数表示器件在短时间内可以承受的最大极限值,超出这些值可能会损坏器件。
- Vds(Drain-Source Voltage):漏源电压,指漏极和源极之间的最大电压。
- Vgs(Gate-Source Voltage):栅源电压,指栅极和源极之间的最大电压。
- Id(Drain Current):漏极电流,指漏极能够承受的最大电流。
- Pd(Power Dissipation):功耗,指器件可以散发的最大功率。
2. 电气特性(Electrical Characteristics)
- Vth(Threshold Voltage):阈值电压,指MOSFET开始导通时栅源电压的最小值。
- Rds(on)(On-Resistance):导通电阻,指MOSFET在完全导通时漏极与源极之间的电阻。
- Idss(Zero-Gate Voltage Drain Current):零栅极电压漏极电流,在栅源电压为零时漏极的漏电流。
- Igss(Gate-Source Leakage Current):栅源漏电流,指栅极和源极之间的漏电流。
3. 开关特性(Switching Characteristics)
- Qg(Total Gate Charge):总栅电荷,指使MOSFET从关闭到完全导通所需的总电荷。
- Qgs(Gate-Source Charge):栅源电荷,栅极到源极所需的电荷。
- Qgd(Gate-Drain Charge):栅漏电荷,栅极到漏极所需的电荷。
- tr(Rise Time):上升时间,指MOSFET从关闭到导通状态的时间。
- tf(Fall Time):下降时间,指MOSFET从导通到关闭状态的时间。
4. 热特性(Thermal Characteristics)
- RθJC(Thermal Resistance Junction-to-Case):结到外壳的热阻,表示结温和外壳温度之间的热阻。
- RθJA(Thermal Resistance Junction-to-Ambient):结到环境的热阻,表示结温和环境温度之间的热阻。
5. 安全工作区(Safe Operating Area,SOA)
显示了MOSFET在不同电压和电流条件下安全工作的区域,确保器件在这些条件下不会损坏。
6. 封装类型(Package Type)
表示MOSFET的物理封装形式,例如TO-220、TO-247、D2PAK等,影响散热和安装方式。
7. 频率特性(Frequency Characteristics)
- fT(Transition Frequency):转移频率,表示器件在高频下的性能。
- Ciss(Input Capacitance):输入电容,表示栅极到源极之间的电容。
- Coss(Output Capacitance):输出电容,表示漏极到源极之间的电容。
- Crss(Reverse Transfer Capacitance):反向传输电容,表示栅极到漏极之间的电容。
关于Pd:
但一般计算时,可以作为Pd=Is*Vds
关于Rds:
1.Rds(ON) 与 VGS 的关系
通常情况下,栅极源极间电压VGS越高,导通电阻Rds越小。在相同的 VGS条件下,Rds(on)还会因通过的电流不同而有所变化。因此,在计算功率损耗时,需要同时考虑 VGS和漏极电流ID,以选择适合的 Rds(on)值,从而优化MOSFET的性能和效率。
2.MOSFET的导通电阻与栅极源极间电压特性
一般而言,MOSFET的芯片尺寸(表面积)越大,导通电阻 Rds(on)越小。在不同封装条件下,封装尺寸越大,能够搭载的芯片尺寸也就越大,因此 Rds(on) 会更小。在应用中,选择较大尺寸的封装,可以实现更低的 Rds(on)。
3.MOSFET的导通电阻与温度关系
除了栅极源极电压 Vgs之外,温度是影响导通电阻 Rds(on) 的主要因素。无论是在放大状态还是开关状态,温度对 Rds(on的影响都非常明显。因此,在应用中需要特别注意温度对MOSFET性能的影响,以确保电路的可靠性和稳定性。
4.导通电阻与结温特性
在饱和导通条件下,MOSFET的导通电阻 Rds(on)随着温度的升高而增加。当结温 从 25℃ 升高到 100℃ 时,Rds(on) 可能增加约一倍。这意味着随着温度升高,漏—源极的压降增加,漏极电流有减小的趋势,而漏极功耗则有增加的趋势。因此,在配置独立散热器时,需要特别注意这一点,以确保MOSFET在高温环境下的可靠性和性能。
5.导通电阻与耐压的关系
MOSFET需要承受一定的电压。为了提高耐压能力,MOSFET的厚度通常会增加。然而,较厚的MOSFET通常具有较高的导通电阻 Rds(on),具有低导通电阻的MOSFET具有更大的竞争优势。因此,制造商在材料和工艺上不断改进,以降低导通电阻。如今,某些MOSFET的导通电阻可以低至 1 mΩ,从而显著减少功耗
关于寄生电容:
- fT(Transition Frequency):转移频率,表示器件在高频下的性能。
- Ciss(Input Capacitance):输入电容,表示栅极到源极之间的电容。
- Coss(Output Capacitance):输出电容,表示漏极到源极之间的电容。
- Crss(Reverse Transfer Capacitance):反向传输电容,表示栅极到漏极之间的电容。
各个寄生电容的定义:电路杂谈——MOS管各引脚间结电容对电路的影响_mos结电容-CSDN博客
寄生电容对电路的影响,以及串联电阻的作用:MOS管_用mos的限流保护-CSDN博客
MOS管可以参考的文章:
彻底搞懂MOS管的工作原理及应用_mos管的作用及原理-CSDN博客
这位博主写的PCB信号完整性写的也很好:
详解集成电路中MOS管的基本原理和工作特性_mos管工作原理-CSDN博客