专题：手把手学习硬件基础------6、MOS管

一、基本概述

1、场效应管：英文简写为FET，利用输入回路的电场效应控制输出回路电流的一种半导体器件。

2、场效应管分类

分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管

结型场效应管使用较少，重点介绍绝缘栅型场效应管；

绝缘栅型场效应管，也称金属氧化物半导体场效应管，简称MOS-FET，也就是我们通常所说的MOS管；

MOS管分为N沟道和P沟道，每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此，MOS管共有四类：N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型

增强型：Ugs电压为0时，Ids=0的管子

耗尽型：Ugs电压为0时，Ids≠0的管子

我们常常使用的是增强型的管子，所以我们着重介绍N沟道增强型、P沟道增强型

a、增强型N沟道

P型衬底，导电的是N沟道

b、增强型P沟道

N型衬底，导电的是P沟道

3、常用封装

二、增强型NMOS管

注意，MOS管内部衬底是和S极相连的；

1、符号

2、输入输出曲线

工作原理简介：如下图

将GS端加上电源，G极为正电荷，这样的话，就在绝缘层形成布满上面正电荷，下面负电荷，相当于一个电容，名为寄生电容，N+参杂浓度很高，衬底参杂浓度很低，电容侧不断挤满负电荷，N+和N+形成N沟道，可通过电流

3、输出特性曲线分析

开启电压 -> Ugs(th)

预夹断轨迹 -> Ugd = Ugs(th) = Ugs - Uds -> Uds = Ugs - Ugs(th)

夹断区：Ugs < Ugs(th) ，此时Id = 0

可变电阻区：Ugs >= Ugs(th)，Uds < (Ugs - Ugs(th))，此时Id随Uds的增大而增大

恒流区：Ugs