专题：手把手学习硬件基础------6、MOS管

一、基本概述

1、场效应管：英文简写为FET，利用输入回路的电场效应控制输出回路电流的一种半导体器件。

2、场效应管分类

分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管

结型场效应管使用较少，重点介绍绝缘栅型场效应管；

绝缘栅型场效应管，也称金属氧化物半导体场效应管，简称MOS-FET，也就是我们通常所说的MOS管；

MOS管分为N沟道和P沟道，每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此，MOS管共有四类：N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型

增强型：Ugs电压为0时，Ids=0的管子

耗尽型：Ugs电压为0时，Ids≠0的管子

我们常常使用的是增强型的管子，所以我们着重介绍N沟道增强型、P沟道增强型

a、增强型N沟道

P型衬底，导电的是N沟道

b、增强型P沟道

N型衬底，导电的是P沟道

3、常用封装

二、增强型NMOS管

注意，MOS管内部衬底是和S极相连的；

1、符号

2、输入输出曲线

工作原理简介：如下图

将GS端加上电源，G极为正电荷，这样的话，就在绝缘层形成布满上面正电荷，下面负电荷，相当于一个电容，名为寄生电容，N+参杂浓度很高，衬底参杂浓度很低，电容侧不断挤满负电荷，N+和N+形成N沟道，可通过电流

3、输出特性曲线分析

开启电压 -> Ugs(th)

预夹断轨迹 -> Ugd = Ugs(th) = Ugs - Uds -> Uds = Ugs - Ugs(th)

夹断区：Ugs < Ugs(th) ，此时Id = 0

可变电阻区：Ugs >= Ugs(th)，Uds < (Ugs - Ugs(th))，此时Id随Uds的增大而增大

恒流区：Ugs >= Ugs(th)，Uds > (Ugs - Ugs(th))，此时Id大小仅仅取决于Ugs

4、输入特性曲线分析

Ugs < Ugs(th) ，此时Id = 0

Ugs >= Ugs(th)，Uds为一定常量时，Ugs越大，Id越大

5、应用说明

实际应用时，NMOS管常做低端驱动与开关使用，此时，MOS管工作在夹断区和可变电阻区

夹断区，Id=0，功率P=Id*Uds=0;

可变电阻区，Uds相对较小，功率P=Id*Uds相对也较小

三、增强型PMOS管

1、符号

2、输入输出曲线

工作原理简介：如下图

将GS端加上电源，G极为负电荷，这样的话，就在绝缘层形成布满上面负电荷，下面正电荷，相当于一个电容，名为寄生电容，P+参杂浓度很高，衬底参杂浓度很低，电容侧不断挤满正电荷，P+和P+形成P沟道，可通过电流

3、输出特性曲线分析

开启电压 -> Ugs(th)，为负压

预夹断轨迹 -> Ugd = Ugs(th) = Ugs - Uds -> Uds = Ugs - Ugs(th)

夹断区：|Ugs| < |Ugs(th) |，此时Id = 0

可变电阻区：|Ugs| >= |Ugs(th)|，|Uds| < |(Ugs - Ugs(th))|，此时Id随Uds的增大而增大

恒流区：|Ugs|>= |Ugs(th)|，|Uds| >| (Ugs - Ugs(th))|，此时Id大小仅仅取决于Ugs

4、输入特性曲线分析

|Ugs|

|Ugs |>= |Ugs(th)|，Uds为一定常量时，Ugs越大，Id越大

5、应用说明

实际应用时，NMOS管常做低端驱动与开关使用，此时，MOS管工作在夹断区和可变电阻区

夹断区，Id=0，功率P=Id*Uds=0;

可变电阻区，Uds相对较小，功率P=Id*Uds相对也较小

四、寄生参数

1、寄生电容

如下图，由于源极和衬底B相连，源极S、栅极G、绝缘膜刚好组成寄生电容Cgs，此电容大小为pF级别，一般规格书可以查到

使用时，要特别注意GS管脚的寄生电容Cgs，控制MOS管的导通和截止，本质上就是控制Cgs的充放电；

如果要求MOS管快速导通与截止，此时需要驱动源能够提供足够大的驱动电流，以提供Cgs电容的瞬间充放电；

如果仅仅作为开关使用，可以串电阻，以减少Cgs的充放电电流，此时，对驱动源的要求不高，单片机的IO口（推挽输出时，可以提供20mA的驱动电流）可以直接驱动

2、寄生二极管、

如下图，为NMOS管的构造，衬底与源极S、漏极D均存在PN结，由于源极S与衬底相连，左边的二极管无效，源极S与漏极D存在寄生二极管，方向为S指向D。

如果为PMOS管，衬底为N型半导体，漏极为P型半导体，源极S与漏极D同样存在寄生二极管，方向为D指向S。

使用的时候，要特别注意内部寄生二极管，如果接反，将导致无法关闭MOS管，另外，某些场合可以巧用寄生二极管，比如做防反接使用；

五、选型依据

1、一般选择NMOS管，同等工艺条件下，导通电阻更小，发热更低，允许通过的电流更大，型号也更多

2、Vgs电压

需要考虑开启电压，驱动电压，极限电压

3、Id电流

通常，尺寸越大，导通电阻Ron越小，允许的Id越大，具体手册为准

4、开关性能

如果作为开关使用，需要考虑开关速率，开关性能，主要受寄生电容的影响，因为开关过程中需要对寄生电容充放电，产生开关损耗

六、MOS管与BJT的差异

场效应管的栅极g，源极s，漏极d对应于晶体管的基极b、发射极e、集电极c，作用比较类似，都可以作为开关、放大使用，但结构，工作方式，性能差异较大。

1、场效应管只有多子参与导电，为单极性；而晶体管的多子于少子均参与导电，为双极性；

2、因为少子数目受温度、辐射影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。

3、场效应管用Ugs控制漏极电流Id，输入阻抗达10的10次方Ω，栅极电流几乎为0；而晶体管工作时基极需要一定的电流。因此，要求输入阻抗高的电路应选用场效应管；

4、场效应管的电流方向可以为D到S，也可以S到D，而晶体管的电流方向只能为C到E（NPN）或E到C(PNP)，不能同时两个方向。

备注：NMOS -> 方向D至S，与寄生二极管反向，NMOS管可控

方向S至D，与寄生二极管同向，NMOS管不能关闭

PMOS -> 方向D至S，与寄生二极管同向，PMOS管不能关闭

方向S至D，与寄生二极管反向，NMOS管可控

七、应用

1、NMOS管用于防反接保护

a、NMOS管使用的时候必须将G端接在高电位，S端接在低电位，寄生二极管朝向为S->D，利用寄生二极管防止反接

b、可以当成Vin与S端接通，由于二极管方向相同，S端电位相当于0.7V，G端通过VIN->通过R87与R88分压，G端可得电压大于0.7且高于Uth，这样的话，NMOS管导通

c、如果电源反接的话，GND变为VIN，与二极管方向相反，直接将回路通过二极管断开。

2、PMOS管用于防反接保护

a、同样是利用PMOS管的寄生二极管，PMOS管在防反接的时候，与NMOS管连接方式不同，PMOS管要高端驱动，NMOS管要低端驱动，PMOS管要接负电压，也就是S端的电位高于D端，并且Vgs要大于Vgs(th)

b、VIN与寄生二极管方向相同，S端的电位为VIN-0.7，之后通过R29和R31分压，得到电压，使得Vgs>Vgs(th)

c、D5是稳压二极管，使得Vgs的电压不能超出PMOS管的Vgs极限电压，如下表

3、NMOS管用于低端开关

用于低端开关的话，需要2个条件，NMOS管需要工作在夹断区与可变电阻区

满足夹断区和可变电阻区的要求即可

夹断区：Ugs < Ugs(th)

可变电阻区：Ugs > Ugs(th) ，Uds < Ugs - Ugs(th)

查表可知，AO3400的Ugs(th) = 1.45V Ugs - Ugs(th) = 3.3-1.45 = 1.85V

JQC-3FF/12-1ZS的电阻为400Ω，AO3400A的Rds为Ugs=3.3，约为40mΩ

计算可得，NMOS管的Uds = 0.00116V -> 1.16mV，远远小于1.85V，所以工作在可变电阻区。

在NMOS管用于通断的时候，必须考虑其寄生电容，考虑其充电电流不能过大，一般都要接限流电阻，可以大些，因为开关频率低，电容是pF级，很小。

由于单片机的电压没有超过Vgs的极限电压，所以GS端不需要并电阻到地。

4、NMOS管用于低端开关

a、如果VIN的电压小于单片机IO口电压，可以去掉U6，直接控制U5；上图是输入可控制为5-28V，如果输入大于30V，有可能烧毁U6，因为U6的Uds极限电压为30V

b、R10、R12电阻分压，调整Vgs的电压，|Vgs|电压尽量大，这样Ron越小，压降越小，损耗越低；

c、R12同时起限流的作用，U6导通时，Cgs寄生电容通过R12充电，避免过大的充电电流流经U6，出现大批量生产的时候，击穿U6；

d、R16同样起到限流的作用，单片机输出低电平的时候，Cgs寄生电容通过R16放电，避免过大的放电电流流过单片机的IO口，出现大批量生产时，单片机IO口被击穿的现象；

5、PMOS管作为BUCK降压电路的开关管

a、注意PMOS要高端驱动

b、G端电位要低于S端电位，S端为电源端，G端为开关电源IC端，复合条件，寄生二极管起到电路无输出时防止漏电的功能；

6、MOS管构成H桥全桥驱动电机