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常说的三极管，是双极结型三极管（Bipolar Junction Transistor，BJT），场效应三极管（FET）也是三极管，常见的是金属-氧化物-半导体三极管（MOSFET）。
BJT是电流控制器件
三极管的类型：
三极管是电流控制元件，电流控制导通（静态电流相较于MOS管（0）很大，等效为一个二极管在（B）与（E）之间），同时也是Ib的电流也能控制Ic电流的最大值，在这个之中会有一个β作为放大倍数的符号，Ib*β = Ic，这个值的大小一般为30~300
不管是什么类型的三极管：都是Ib控制Ic
发射极永远都有箭头指向，与基极在箭头两端
N型三极管（NPN）：
B基极：Base E发射极：Emitter C集电极：collector
B极到E极之间相当于一个二极管，B极是二极管的正极，E极是二极管的负极（等效，因此会有一个压降，同时b的电流会流向e）
方便理解：
在BE极间施加电源后，若电源电压超过0.7V，则此二极管将实现正向导通，允许电流通过。然而，一旦E极电位相对于B极变得更高，二极管即进入反向截止状态，阻止了电流的流动。简而言之，BE极间展现了与标准二极管相同的单向导电特性，只允许电流在特定方向（正向）上通过。
由于三极管是电流控制元件，相当于be之间的电流Ib控制着ce之间的导通于关闭
控制信号必须是从B流向E的电流
Ie=Ib+Ic
导通条件:
三极管的导通电压（Ube>0.7V）
三极管要想导通，就得有Ib电流，如果没有Ib电流，三极管是截止的，有Ib电流，需要满足对于N管，要让BE极之间的电压差大于0.7V，BE之间的电压差大于0.7V，BE之间的二极管就导通了，也就是三极管就导通了(等效为一个二极管)
在为三极管的基极（B）和发射极（E）之间施加电压时，两者间即建立起了一个导电通道，使得电流能够在此回路中顺畅流动。然而，此回路设计尚不完善，因为它缺少了至关重要的限流电阻。若直接如此连接，根据欧姆定律I=U/R，在电阻R近乎为零的情况下，电流I将异常巨大，可能导致电路损坏或三极管过热。
为了解决这个问题并确保电路的安全稳定运行，我们需要在该回路中串联一颗限流电阻。这样一来，电路便完整地包含了电源、导电回路以及必要的阻抗元件，形成了稳定可靠的电流控制体系。这样的设计不仅保护了电路元件免受过大电流的冲击，还确保了电路能够按照预期的功能正常工作。
截止条件：
三极管的截至电压（Ube<0.7V）
二极管导通的必要条件是电压大于0.7V。由于三极管的基极（B）与发射极（E）间相当于一个二极管，因此三极管导通的条件是BE极间的电压差Vbe必须大于0.7V。然而，当基极电流Ib所在的回路导通后，Vbe会被二极管的钳位特性限制在约0.7V左右。值得注意的是，虽然为了交流方便，我们常将BE极的钳位电压简化为0.7V，但实际上Vbe和三极管的放大倍数β一样，都会因器件差异而有所不同。
P型三极管（PNP）：
Ic=Ie-Ib
发射极一端的电流会流向一部分给b基极，剩下的一部分流向c集电极，Ib控制着Ic
三极管工作的三种状态：
1.截止状态：
1. 截止区（Cutoff Region）
- BE结：反偏
- BC结：反偏
- 特性：在截止区，三极管几乎没有电流流过，集电极电流（Ic）和基极电流（Ib）都接近于零，三极管处于关闭状态。适用于开关电路中的“断开”状态。
- 工作情况：Vc ≈ Vcc（对于NPN型三极管），Vb < Vbe（通常为负电压或0V）。
2.饱和状态
2. 饱和区（Saturation Region）
- BE结：正偏
- BC结：正偏
- 特性：在饱和区，三极管处于完全导通状态，集电极电流（Ic）达到最大值，且接近于受限于外部电路的电流。适用于开关电路中的“闭合”状态。
- 工作情况：Vb > Vbe（通常为正电压），Vc ≈ Ve（对于NPN型三极管），Vc < Vb。
3.放大状态
3. 放大区（Active Region）
- BE结：正偏
- BC结：反偏
- 特性：在放大区，三极管可以起到电流放大的作用。基极电流（Ib）的小变化会引起集电极电流（Ic）的较大变化，且Ic ≈ β * Ib（β为电流增益）。适用于模拟信号放大电路。
- 工作情况：Vb > Vbe（通常为正电压），Vc > Vb。
4.击穿状态：
正偏和反偏
二极管是一种具有单向导电性的电子元件，主要由半导体材料制成。二极管的两个端子分别称为阳极（Anode）和阴极（Cathode）。根据加在二极管两端的电压方向，二极管可以处于正偏（正向偏置）和反偏（反向偏置）状态。
正偏（正向偏置）
- 定义：当二极管的阳极（正极）接正电压，阴极（负极）接负电压时，称为正向偏置。
- 特性：在正向偏置下，二极管的内阻较低，电流可以较容易地通过二极管。
- 阈值电压：二极管在正向偏置下开始导通的电压称为阈值电压（一般硅二极管约为0.7V，锗二极管约为0.3V）。
- 应用：在电路中实现单向导电，常用于整流电路、保护电路等。
反偏（反向偏置）
- 定义：当二极管的阳极接负电压，阴极接正电压时，称为反向偏置。
- 特性：在反向偏置下，二极管的内阻很高，几乎没有电流通过，只有微小的反向漏电流。
- 击穿电压：如果反向电压增加到一定程度，二极管会击穿并开始导通，此电压称为击穿电压。
- 应用：在稳压电路、浪涌保护电路中使用，利用其高反向阻抗特性来防止电流逆流。
总结
- 正偏：二极管阳极接正电压，阴极接负电压，导通电流，低阻抗。
- 反偏：二极管阳极接负电压，阴极接正电压，不导通电流，高阻抗。
二极管的这两种工作状态使其在各种电子电路中具有广泛的应用，包括整流、调制、稳压、保护等功能。
三极管（晶体管）是一种常用的半导体器件，具有三个端子：集电极（Collector）、基极（Base）和发射极（Emitter）。根据工作模式的不同，可以将三极管的结（即基极-发射极结和基极-集电极结）进行正偏和反偏的处理。
正偏和反偏在三极管中的应用
1. NPN型三极管
- 基极-发射极结（BE结）：
- 正偏：基极电压高于发射极电压。此时，BE结导通，基极电流流入基极。
- 反偏：基极电压低于发射极电压。此时，BE结截止，没有基极电流流入基极。
- 基极-集电极结（BC结）：
- 正偏：集电极电压低于基极电压。此时，BC结导通（一般不希望出现，因为这会使三极管工作在饱和区）。
- 反偏：集电极电压高于基极电压。此时，BC结截止，维持反向偏置状态，这是常见的放大器工作模式。
2. PNP型三极管
- 基极-发射极结（BE结）：
- 正偏：基极电压低于发射极电压。此时，BE结导通，基极电流从基极流出。
- 反偏：基极电压高于发射极电压。此时，BE结截止，没有基极电流流出基极。
- 基极-集电极结（BC结）：
- 正偏：集电极电压高于基极电压。此时，BC结导通（一般不希望出现，因为这会使三极管工作在饱和区）。
- 反偏：集电极电压低于基极电压。此时，BC结截止，维持反向偏置状态，这是常见的放大器工作模式。
工作区域
三极管的不同偏置方式决定了其工作区域，主要有三个区域：
- 截止区：BE结反偏，BC结反偏。三极管处于关闭状态，没有电流流过。
- 放大区：BE结正偏，BC结反偏。三极管处于放大状态，基极电流小幅变化会导致集电极电流大幅变化。
- 饱和区：BE结正偏，BC结也正偏。三极管处于完全导通状态，集电极电流最大。
三极管的输入特性和输出特性：
共射，共基，共集电路：
如何判断共射，共基，共集：
主要看输入，输出端的正极接在哪里，剩下那个极就是基本放大电极
数据手册阅读：
三极管_三极管采购信息-立创电子元器件商城 (szlcsc.com)
基本数据参考：全面了解三极管——三极管基本参数2_三极管vebo-CSDN博客
（这篇文章里面的基本参数讲的较为详细，本文不再赘述，将详细讲下hfe（放大倍数））
三极管（晶体管）的hfe（直流电流增益）和集电极电流（Ic）之间的关系是一个非常重要的参数。在一定范围内，hfe大致可以被认为是一个常数，但实际上，hfe会随集电极电流（Ic）的变化而变化。
hfe和Ic的关系
低电流区：在低集电极电流区域，hfe通常会随着电流的增加而增加。这是因为在低电流时，晶体管的增益效率较低，随着电流的增加，晶体管的效率逐渐提高，导致hfe增大。
中等电流区：在中等集电极电流区域，hfe通常保持相对稳定。这时的hfe值接近其最大值，是三极管的工作区间。
高电流区：在高集电极电流区域，hfe会随着电流的进一步增加而减小。这是由于晶体管进入饱和区或高电流导致晶体管发热，影响其性能，使得增益降低。
hfe与温度的关系
温度升高时，hfe增加：
- 随着温度升高，半导体材料中的载流子浓度增加。这会导致基极电流 IBI_BIB 增加，从而导致 hFEh_{FE}hFE 增加。
- 具体表现为在一定温度范围内，hfe会随温度的升高而增大。
温度进一步升高时，hfe减小：
- 当温度继续升高到一定程度后，载流子的热运动变得非常强烈，反而会引起晶体管内部的复合效应增大，导致集电极电流 ICI_CIC 增加速度变慢，甚至减少。
- 此时，晶体管可能进入热失控状态，导致hfe开始减小。
数据手册中hfe的L，H，J
在三极管的数据手册中，关于 hFEh_{FE}hFE（直流电流增益）的 L、H、J 等 Rank（等级）以及对应的范围，是指制造商根据生产过程中测试到的电流增益值对三极管进行分类的标志。不同的 Rank 表示该三极管在特定工作条件下的电流增益范围。
Rank（等级）：
- 制造商通常会将三极管按照测试得到的 hFEh_{FE}hFE 值进行分类，并用不同的标识（如 L、H、J 等）来表示这些分类。每个标识对应一个 hFEh_{FE}hFE 值的范围。
Range（范围）：
- 每个 Rank 对应的 Range 是该等级下 hFEh_{FE}hFE 的具体范围。比如，Rank L 可能对应 hFEh_{FE}hFE 在 40 到 80 之间，Rank H 可能对应 hFEh_{FE}hFE 在 80 到 160 之间，等等。
假设某个三极管的数据手册中给出的 hFEh_{FE}hFE 分类如下：
- L (Low): hFEh_{FE}hFE = 40 - 80
- H (High): hFEh_{FE}hFE = 80 - 160
- J (Higher): hFEh_{FE}hFE = 160 - 320
- 具体等级含义
L (Low)：
- 代表低增益等级。通常用于指示hFE值较低的三极管。
- 例如，hFE范围可能是 40 到 80。
H (High)：
- 代表高增益等级。用于指示hFE值较高的三极管。
- 例如，hFE范围可能是 80 到 160。
J (Higher)：
- 代表更高增益等级。用于指示hFE值更高的三极管。
- 例如，hFE范围可能是 160 到 320。
TTL（BJT）与COMS（MOS）：
深入理解TTL 与 CMOS 电路 - 硬件之家 - 博客园 (cnblogs.com)
TTL和COMS的输入输出电压区间：
COMS能够驱动TTL电路
TTL要驱动COMS需要外接上拉电阻
TTL和COMS的优缺点：
COMS静态电流为0，TTL有电路静态电流会消耗能量（转化为热量），在大规模芯片集成时散热要求较高
TTL开关反应更快
TTL（晶体管-晶体管逻辑）和CMOS（金属氧化物半导体）是两种主要的数字电路技术，它们在设计和应用上各有特点。下面详细介绍它们的区别和各自的优缺点。
TTL（Transistor-Transistor Logic）
特点
- 结构：使用双极型结型晶体管（BJT）作为基本开关元件。
- 电压范围：通常工作在5V电源电压。
- 输入电流：输入端需要较大的电流（几毫安级别）。
- 速度：具有较快的开关速度，典型的传输延迟在几个纳秒到几十纳秒之间。
- 功耗：功耗较高，特别是在高频操作时。
- 噪声容限：对电源噪声和干扰的容忍度较低。
优点
- 高速响应，适合高速数字电路。
- 输出驱动能力较强，能够驱动多个负载。
缺点
- 功耗较高，特别是在高频率下。
- 输入电流较大，对信号源的驱动能力要求较高。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）
特点
- 结构：使用互补的N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS和PMOS）作为基本开关元件。
- 电压范围：工作电压范围较广，通常为3V到15V，现代的CMOS电路通常工作在1.8V、2.5V或3.3V电压。
- 输入电流：输入电流非常低（几纳安级别），几乎可以忽略不计。
- 速度：速度较高，但一般比TTL稍慢。
- 功耗：静态功耗非常低，仅在开关瞬间消耗电能。
- 噪声容限：对电源噪声和干扰的容忍度较高。
优点
- 功耗极低，适合低功耗应用，如便携设备和电池供电设备。
- 输入阻抗高，对驱动电流要求低。
- 宽工作电压范围，适应性强。
缺点
- 驱动能力相对较弱，输出电流较小。
- 对静电敏感，容易受到静电损坏。
- TTL：适用于高速、强驱动能力要求高的数字电路，如计算机、数字通信设备等。
- CMOS：适用于低功耗、低输入电流要求的应用，如便携式电子设备、微控制器、传感器等。
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