计算机组成原理—3—各类储存器介绍

   注：这一章主要介绍了SRAM与DRAM、ROM与FLASH、并行存储器、cache存储器、虚拟存储器的概念，其中cache存储器和虚拟存储器是重点内容。

1、SRAM与DRAM

   目前采用最广泛的内部存储器是半导体存储器。其根据信息存储的机理，又分为静态存储器（SRAM）和动态存储器（DRAM）。SRAM的优点是存取速度快，但存储量不如DRAM大。

  动态MOS随机读写存储器DRAM的存储量极大，通常用作计算机的主存储器。

  SRAM存储器的存储单元是一个触发器，具有两个稳定的状态。而DRAM存储器的储存元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路，其中MOS管作为开关使用，而所存储的信息1和0则是由电容器上的电荷量来体现——当电容器充满电荷时。代表存储了1，当电容器放电没有电荷时，代表存储了0。

  DRAM的刷新周期：DRAM存储位元是基于电容器上的电荷量存储，这个电荷量随之的时间和温度而减少，因此必须定期地刷新，从而保存原来的存储信息。一般典型器件的刷新周期是8ms到16ms，某些器件的刷新周期可以大于100ms。

  一次读写操作会自动地刷新选中行中的所有存储单元。于此同时必须对DRAM进行定时刷新。

  刷新操作有集中式刷新和分散式刷新两种方式：
  集中式刷新，DRAM的所有行在每一个刷新周期中都将被刷新。
  分布式刷新，每一行的刷新插入到正常的读写周期之中。

  SRAM和DRAM都是随机读写存储器。

2、ROM与FLASH

  只读存储器ROM：顾名思义，只读的意思是在它工作时只能读出，不能写入。其工作可靠性高，保密性强，被广泛应用。ROM分为掩模ROM和可编程ROM两类。掩模ROM实际是一个存储内容固定的ROM。后者又分为一次性编程的PROM和多次编程的EPROM和E²PROM。前者是鼻祖，后者是继承创新的产物。

   闪速存储器FLASH：是高密度非易失性的读写存储器。高密度意味着它具有巨大比特数目的存储容量。非易失性意味着存放的数据可在没有电源的情况下可以长期保存。

3、并行存储器

   由于CPU和主存储器之间在速度上是不匹配的，为了提高CPU和主存之间的数据传输率，除了采用更高速的技术来缩短读出时间外，还可以采用并行技术的存储器。