RF模组sleep状态下如何做到最低功耗？

RF模组使用者在使RF模组进入Sleep后测试电流时有时会发现模组的功耗和规格书的Sleep状态电流值对应不上。这种情况都是让RF模组进入Sleep后，MUC和RF模组链接的IO的状态配置不正确造成的。

那么如何解决呢？本文将对RF模组在Sleep状态下如何做到最低功耗进行说明。

RF模组sleep时RF模组的IO状态

先要获知RF模组Sleep时，RF模组的IO的状态。该信息可从模组规格书，模组主芯片手册或者模组主芯片厂家处获取。下面以SX126X和LLCC68系列模组为例进行说明。

SX126X和LLCC68系列模组主芯片在各个状态下的各个IO的状态如下图所示：

我们主要关注Sleep状态下的各个IO的状态，并进行如下分类：

1

HIZ PD（高阻态下拉）：包含IO有 DIO3、DIO2、DIO1

模组的这类IO在sleep时MCU的IO配置为输入下拉即可。

2

HIZ PU（高阻态上拉）：包含IO有 BUSY

模组的这类IO在sleep时MCU的IO配置为输入上拉即可。

3

HIZ（高阻态无上拉和下拉）：包含IO有 MISO、MOSI、SCK

这类IO当模组为Sleep时建议配置MCU的IO为下拉输入（对应MISO）