MCNP技术笔记

一、文件结构

输入文件：文件名不可多于7字符，不建议有扩展名。

输出文件：扩展名为 .o 的文件，常规输出；.w 文件，输出surface source；.p 文件，追踪粒子输运过程。后两个需专门设置才会输出。

计算过程记录文件：.r 文件，可用于根据上一次计算结果继续运算。

二、输入文件规范

输入文件分为三部分，包括cell块、surface块、其他块。块内除注释外不得有空行，两块之间只能有一个空行。MCNP会自动忽略输入文件第一行，可用于做备注。

注释方法：行注释 c        列注释 $

常用助记符：

r (repeat) ：1 3r 等价于 1 1 1

i (insert) ：1 2i 4 等价于 1 2 3 4

j (jump) ：1 j 2 等价于 1 默认值 2

1 surface块

1.1 平面

语法：num1 助记符 num2

num1：代表面的序号，从1开始计数（序号不需要连续，但要单增）

助记符：PX（该面垂直于X轴）、PY（该面垂直于Y轴）、PZ（该面垂直于Z轴）

num2：代表该面在这一轴上的位置

举例：

1 PX -2        假定这是源所在的面的位置

2 PX 0        金靶的左底面

3 PX 1        金靶的右底面

1.2 柱面

语法：num1 助记符 num2

num1：代表面的序号，从1开始计数，所有种类的面都算入同一排序

助记符：CX（轴心是X轴的圆柱面）、CY（轴心是Y轴的圆柱面）、CZ（轴心是Z轴的圆柱面）

num2：代表圆柱面的半径

举例：

4 CX 1        金靶的侧面

1.3 球面

语法：num1 助记符 num2

num1：代表面的序号，从1开始计数

助记符：SO（球心在原点的球面）

num2：代表球面的半径

举例：

100 SO 100        定义圈定的感兴区的面

1.4 圆锥面

语法：num1 助记符 num2 num3 num4

num1：代表面的序号，从1开始计数

助记符：KX（轴心是X轴的圆锥面）、KY（轴心是Y轴的圆锥面）、KZ（轴心是Z轴的圆锥面）

num2：代表圆锥顶点位置

num3：圆锥顶角的tan值的平方值

num4：取圆锥面的某一叶（1为正半部分）

举例：

30 KX 0 0.234567901 1        记录面的分割面

2 cell块

语法：序号 材质 位置

序号：从1开始计数

材质：num1（材料种类） num2（正数为原子密度，负数为实际密度）

位置：通过定义好的面，调整其正负来确定空间位置

举例：

1 1 -19.3 2 -3 -4        序号1，材料种类为1（由材料卡定义），金的实际密度为19.3g/cm³，块的位置为2号面的正方向、3号面的负方向、4号柱面的内部围成的立方体

而在感兴区内，除了Au块其他位置均为真空。尽管是真空，我们仍需要在输入文件内把真空定义为一个物体：

2 0 -100 ＃1 imp:e,p=1        序号2，材料种类为真空（0），无密度，这个块是在100号面的内部，除了1号cell的所有空间（＃助记符代表扣除的意思），助记符imp(importance)代表粒子在该cell内的重要性，用于区分哪个真空部分是感兴区，这里代表了2号cell中电子(e)及光子(p)的重要性为1,即它是感兴区内的物体。

我们同样需要定义感兴区外的空间：

100 0 100 imp:e,p=0        序号100，材料种类为真空（0），无密度，100号面的外部全都属于这个cell，100号cell中电子(e)及光子(p)的重要性为0,即它在感兴区外。

注：感兴区与非感兴区并不需要一定是位置划分分明的两块区域,我们可以在感兴区内设定一个非感兴区，只要粒子被输运到该区域就会被杀死(类似于黑洞）。

3 其他块