计算机组成原理：第三章 存储器

超大规模集成电路使CPU速度变得非常快，但存储器取数、存数还相对较慢，使得计算机系统运行速度受存储器限制；此外，随着I/O设备增多，若与存储器交换信息都通过CPU来实现，那也会降低CPU的效率。

一、 概述 

1.1 存储器的分类

主存又叫内存，辅存又叫外存。

1.2 存储器的层次结构

存储器有三个性能指标：容量、速度、每位价格（位价）。一般速度越快，位价越高，容量越大，位价越低。 并且容量越大，速度必越低。

 

 缓存-主存：主要用于解决CPU与主存速度不匹配的问题。但缓存容量小，所以由硬件自动把主存中CPU近期要调用的内容不断放入缓存。

主存-辅存：用于解决系统容量问题。辅存速度慢但容量大，所以把CPU暂时不用的存入辅存。

CPU内部可能有十几个寄存器，他们速度最快，容量最低，位价最高。

容量🔝  位价⬇️  速度⬇️

从上至下容量越来越大，速度越来越慢，位价越来越低，CPU访问频度也越来越低。 

二、主存储器

2.1 概述 

 主存储器由存储体，MAR：地址寄存器、MDR：数据寄存器组成。

​​​​​​​

但寄存器的定义是：CPU内部的元件，有很快的读写速度。为什么又会出现在主存中呢？

实际上主存储器🟰存储体，MAR与MDR虽然是存储器的组成，但是集成在CPU的芯片上，是连接CPU和主存的桥梁。

 存储体由若干个存储单元构成，存储单元存储的内容为存储字。

每个存储单元又由w个存储元组成，一个存储元只存储一bit 的信息。

存储字的长度叫存储字长，为w bit。

 2.2 工作原理

回顾第一章： CPU包括运算器和控制器。控制器中包含PC程序计数器与IR指令寄存器，ID指令译码器、CU控制单元

 一个程序包括指令和数据两部分。

IR：存放当前正在执行的译码之后的指令

PC：存放下一条指令的地址，取完字节PC自动➕1

若是读数据，就是CPU先通过控制总线发出读的命令，首先从PC中拿到指令的地址给MAR（因为MAR和MDR是主存与CPU的桥梁），然后根据MAR中的地址通过地址总线去内存找到地址和数据，把从存储单元中找到的数据给MDR，这时候MDR中包含数据和指令，通过数据总线把数据存放到寄存器中，指令给IR。

2.3 主存中存储单元地址的分配

2.3.1 寻址与地址表示

 常用8位二进制表示一个字节，因此存储字长都是8的倍数。通常计算机系统按照字寻址，也可以用字节寻址。

32位=4字节=1字

64位=8字节=1字

例如：当总容量为1KB（就是2^10,10根地址线）

按字节寻址：1k个单元，每个单元1B

按字寻址：256个单元，每个单元4B

半字寻址：512个单元，每个单元2B

 地址表示有两种方式：大端方式与小端方式。如图a是大端方式，使用高位作字地址。b是小端方式，使用低位作字地址。

2.3.2 主要的技术指标 

1）存储容量

存储容量是主存能存放的二进制位数：存储容量=存储单元个数*存储字长（=存储元的个数） 

用字节表示 = 存储元个数/8.

2）存储速度

存储速度由存取时间与存储周期决定。 

存取时间：启动一次存储器到完成操作的时间。读和写的存取时间是不一样的，读出时间指接收到地址到产生输出的时间；写入时间是指找到存储单元到写入内容的时间。

存储周期：一次启动与下一次启动的时间间隔。（重要）！

3）存储器带宽

是单位时间内存储器存储的信息量，单位：字/秒、字节/秒。

若要提高存储器带宽，可以：

1.缩短存取周期

2.增加存储字长，每个存取周期就能读更多位的数据

3.增加存储体

 三、半导体存储芯片

地址线和数据线的位数共同反应存储芯片容量

四、随机存取存储器 

4.1 SRAM与DRAM的比较

随机存取存取存储器可以分为静态RAM与动态RAM。

存储器	静态RAM	动态RAM
存储信息	触发器（双稳态）	电容
破坏性读出	否	是
读出后需重写	否	是
运行速度	快	慢
集成度	低	高
发热量	大	小
易失性	是（电信号存储01，断电后信息消失）	是（断电后信息消失）
需“刷新”	否	是
运送行列地址	同时送	分两次送（在4.2中有介绍）
读	查看触发器状态	连接电容，监测到电流变化（破坏性读出，检测后信息被破坏，需要重新充电）
写	改变触发器状态	给电容充放电

 SRAM常用作cache,DRAM常用作主存。

双稳态是指在电路或系统中，当没有外加触发信号时，电路或系统保持在一个稳定的状态；当施加触发信号时，电路或系统会从一个稳定状态翻转到另一个稳定状态；触发信号消失后，电路或系统能够保持这个翻转后的状态不变，直到下一次触发信号的到来。

4.2 DRAM的刷新 

刷新就是读出信息后：读取原信息+再形成并写入 。其实也就是存取+恢复！ 耳熟吗？都是读一下再放回去，让他恢复原样。

由于存储单元被访问是随机的，某些存储单元长期得不到访问就会消失，所以在一定时间内必须对DRAM全部基本单元电路进行一次刷新，一般取2ms,称为刷新周期，也叫再生周期。

首先一定要搞明白下面这几句：

刷新周期=刷新所用时间+读/写或（不操作）维持所用时间。 

也就是：在刷新周期内，刷新的行要停止读写，不刷新的时候都能够正常读写或者不进行操作。

这下想起来了吧，存取周期和刷新是一样的，都是取出来一下再放回去。

所以刷新一行的时间=一个存取周期，所以刷新n行需要n个存储周期，不被刷新的行都能正常操作。

所以若对128*128的存储芯片进行刷新时（设刷新周期为2ms,存取周期为0.5us)，

其实就类似于让你2000天内背128个单词，并为防止忘记要全部复习（设定：当天背的单词不能当天复习，最少要等到明天，并且一天只能复习一个，一天也只能背一个）一次，通常有三种方式。

拖延型集中复习：前1972慢慢背，后128天一天复习一个。

自律分散型复习：每天背完一个第二天就去复习，第三天再继续背第二个。

精打细算型复习：你让我2000天背128个，那我15.6（2000/128）天背完并且复习一个，也就是14.6天背一个，最后一天复习。

1）集中刷新

刷新是一行一行的，所以128*128的就要刷新128次。

集中刷新就是在刷新周期内对全部存储单元集中一段时间进行刷新，这个时候所有存储单元都不能进行任何其他操作。

若存取周期为0.5us，则共占128个存取周期（因为刷新一行就是一个存储周期，上面已经说了），刷新周期为2ms（相当于4000个存取周期），既然刷新的占128个存取周期，那么剩下的4000-128=3872个存取周期就是用来进行读/写或维持的。

缺点：后面128个存取周期是死时间，不能读/写，又称访存“死区”。死时间率：128/4000=3.2%

2）分散刷新

分散刷新就是每行存储单元放到每个存取周期刷新。

0.5us为存取周期，读/写或维持一行就刷新一次，那128个存储单元全部一行一行刷新完只需要花128us,刷新周期的定义是：在一定时间内，刷新完全部存储。所以这个时候刷新周期变成了128us也就是256个存取周期。

缺点：存取周期变长了，系统速度降低。（因为存取周期是存储器进行两次独立的存储器操作）

3）异步刷新

异步刷新是前两种的结合。 

2000us内刷新128次，所以15.6us刷新一次，就不会缩短存取周期，还是2ms。也不会全部拖延到最后再刷新，缩小了死时间。 

五、只读存储器

原始ROM的定义是：一旦注入原始信息就不能再改变，可读性高并且不易丢失。但随着用户的需求发展出了MROM,PROM,EPROM,EEPROM等。

Mask ROM：它是制造时被编程的ROM，也称为固定程序ROM。在生产过程中，使用特殊的工具来编程，一旦编程就不能再修改。它的优点是速度快，可靠性高，但缺点是一旦生产就不能修改，所以只适用于大量生产的产品中。

PROM：PROM是可编程只读存储器（Programmable Read-Only Memory）的缩写，是由用户自行编程的ROM。在生产过程中，使用特殊的编程器将数据写入PROM，一旦编程就不能再修改。与Mask ROM相比，PROM可以在生产之后进行编程，但缺点是编程速度慢，容易受到紫外线的影响而失去数据。

EPROM：EPROM是可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read-Only Memory）的缩写。它可以通过紫外线来擦除，使得EPROM可以被重复编程。EPROM的擦除需要特殊的设备，擦除时间比较长，而且擦除次数有限。

EEPROM：EEPROM是可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）的缩写，与EPROM相比，它可以通过电子信号来擦除。EEPROM的擦除速度比EPROM快，而且可以擦除次数更多，但是价格更高。

Flash Memory：Flash Memory是一种特殊的EEPROM，它可以一次性擦除整个芯片，而不是像EEPROM一样只能擦除一部分。Flash Memory具有快速读取速度，容量大，擦除次数多等特点，因此在存储器领域被广泛使用。

六、主存容量的扩展

CPU有8位地址线，16位数据线

6.1 位扩展 

位扩展就是增加存储字长。（存储字长不足时，需要对位数进行位扩展：增加存储单元的列）

存储字长：一个存储单元中二进制代码的位数

下图是两块芯片连接示意图，每块芯片都是A0～A12正常连接（地址线，adress),芯片是1位的，但CPU有8位数据线，所以再有六块芯片这样连接就行（第一块的数据线连D0，第二块的连D1……）。

6.2 字扩展 

字扩展是增加存储器字的数量。（存储单元数不足时：增加存储单元的行）

芯片是8位的所以数据线每个都是D0～D7正常连，如果连接的是A13和A15，那么不用看A14 。

6.3 字位同时扩展（略） 

例：​​​​​​​

七、存储器的校验——汉明码

前提：

1.

2.要检测的代码为n位，要添加k位检测位，组成n+k位代码。应满足关系：

例：传递b3b2b1b0

解：n=4位，所以k=3,就是2^0,2^1,2^2,2^3位上分别对应C1,C2,C4 。所以配偶原则：（配奇原则就是整体上名加个“非”）

 八、 提高访存速度

单体多字系统与多体并行存储器

8.1 多体并行的交叉编址 

t是总线传输周期。

高位交叉编址也叫顺序存储 

8.2 采用高性能存储芯片

高性能存储芯片也能提高访存速度。

九、 Cache高速缓冲存储器​​​​​​​

主存物理地址 = 块号 + 块内地址

CPU的增长速度是指数级别的，主存跟它比起来还是慢了很多，拉慢整体速度，所以为了避免CPU空等现象，要想办法加快对主存的访问速度。

1）时间局部性：过会儿要用的可能就是现在正在用的。

2）空间局部性：过会儿要用的指令、存储数据可能和现在正在访问的在相邻的访问位置。

 方法：把他们都先暂时存放在Cache中！！

9.1 主存地址映射

我们之前见过这张图

那么在主存与Cache的地址映射中，有：直接映射，全相联映射，组相联映射。

 ​​​​​​​1>直接映射

就是把主存按着cache分，每一份就是一个cache

主存物理地址 = 标记+cache行号+块内地址

主存的每个字块都和Cache的字块是相对应的，字块标记位是一样的。怎么理解这张图呢，

所以其实主存对应的Cache 中的块就是 主存字块%cache总字块数

2>全相联映射

主存物理地址 = 标记+块内地址

就是全部随便映射

3>组相连映射

主存物理地址 = 块号+组号+块内地址

9.2 映射方式与计算

不论是哪种相联方式，都有块内地址，区别就在看前面怎么分。

​​​​​​​全相联：主存物理地址 = 标记+块内地址

标记就是它唯一的标识

直接    ：主存物理地址 = 标记+cache行号+块内地址

其实他也和组相联挺像的，就是一行就是一组，所以标识是标记➕行号

组相联：主存物理地址 = 标记+组号+块内地址

几个一组就是几路组相联 

前面我们学过：地址线和数据线的位数共同反应存储芯片容量，因此

主存容量为512KB时，512K*1B =  2^19K*1B，所以此时有19根地址线。

并且题目问地址有多少位时，也就是问有多少根地址线。

默认按什么编址看题目，如果题目是每个字块16B，那就是按字节编址

知道了以上这些，开始做题： 

主存容量为512KB,Cache容量为4KB​​​​​，每个字块16个字，每个字32位

（1）Cache地址有多少位？可容纳多少块？

（2）主存地址有多少位？可容纳多少块？

（3）直接映射方式中，主存第几块映射到Cache第5块？

（4）直接映射时，主存各段位数。

（4）默认按字编址

9.3 Cache替换策略 

1. Cache命中率a

Cache总命中次数位n,访问主存次数为m,则

a= n/(n+m)

命中率与Cache的容量与字长有关。

2. 访问效率e

e = 访问Cache的时间/平均访问时间

设命中率为h,访问Cache的时间为t，访问主存为T则

e = t/(h*t + (1 - h)*T)

9.4替换策略

1. 先进先出FIFO

2.近期最少使用LRU​​​​​​​

要最少使用，还要是离现在最远的近期，比如容量为5，放了 1 2 3 4 5 ，要放6，但是没地方了，如果近期只用过45那就替换1​​​​​​​​​​​​​​

3.随机法

十、辅助存储器

 辅存与主存相比，容量大速度慢，属于“非易失性”存储器，主存大多由半导体芯片组成，信息不易保存，属于“易失性”存储器。我们下面主要学习磁表面存储器。磁表面存储器通过磁头和记录介质相对运动，给写入线圈不同方向的电流，进行读和写操作。

在磁盘存储器中，扇区是磁盘寻址的最小单位。属于直接存取设备，磁盘存储器还分为硬磁盘存储器与软磁盘存储器，硬就是固定磁头固定盘，软就是活动头，可更换盘片。

在磁带存储器中，磁带与主机之间信息交换的​​​​​​​最小单位是记录块。属于顺序存取设备。

10.1 磁表面存储器的主要技术指标 

1.记录密度 

是单位密度记录的二进制信息。磁盘用道密度表示。道密度 = 1/道距 （道距就是两个圈之间的距离）。

磁带用位密度表示，位密度 = 每个道的总位数/同心圆中最小的周长。

 2.存储容量

存储容量是存储二进制的总位数。 存储容量 = 盘面数*磁道数*每个磁道上记录的二进制代码数。

3.平均寻址时间

磁盘采用直接寻址的方式。平均寻址时间 = 平均等待时间+平均寻道时间。 （平均等待时间=（最大等待时间+最小等待时间）/2）

4.数据传输率 

数据传输率 = 记录密度*记录介质的运动速度 

5.误码率

为了减少出错率，一般采用CRC循环冗余码进行验证。 

十一、 循环冗余校验码

四个步骤：

1.信息码（题目给的）

2.生成多项式（可能题目直接给，可能自己根据系数推）

3.校验码位数（多项数最高项是几到时候就留几位余数加在信息码之后）

5.多项式对应二进制数（可能是题目给，可能是自己根据多项式推）

6.（信息码+校验码位数个0）/多项式对应二进制数

例：已知信息码为1100，试用生成多项式G（X）=1011将其编成CRC码。

解：1. 信息码：1100

2.生成多项式：

G(x) = X^3+X+1

3.校验码位数：最高项次数是3，所以校验码为3位

4.多项式对应二进制数：1011

注意⚠️⚠️⚠️：1️⃣加减就是求异或，相同为0不同为1

2️⃣除法就是看余数除除数位数够不够，够就是1，不够就是0

5.（信息码+校验码位数个0）/多项式对应二进制数：

1100 000 / 1011