电子技术（二）——二极管

半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的一种材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等。

利用半导体材料制成的电子元器件称为半导体器件，常见的半导体器件包括：二极管、三极管、集成电路等。

以下是半导体的一些关键特性：

1. 导电性：通过掺杂可以调节半导体的导电性。
2. PN结：半导体可以形成PN结，这是二极管和其它许多电子器件的基础。PN结具有单向导电性，允许电流在一个方向上流动，而在相反方向上阻断电流。
3. 温度敏感性：半导体的导电性随温度变化而变化。温度升高通常会导致电阻率降低。
4. 光敏性：许多半导体对光敏感，可以用于光探测器和太阳能电池。

 二极管

常用二极管 

•  二极管，只允许电流单向流经它。
• 二极管是有两个引脚的半导体器件，这两个引脚分别是正极和负极（或称阳极和阴极）。
• 二极管电路符号倒三角一端为正极，短线一端为负极；字母A代表正极，K代表负极。

 二极管的单向导电特性

 二极管是具有单向导电特性的器件。

正向偏置(左) & 反向偏置(右)

  如上图(左)所示，电流从电池正极出发，经过电流表（为理想电流表，阻值极小）、电阻R1后进入二极管D1的正极，并从负极流出后回到电池负极，这符合二极管单向导电的特性——电流从正极流向负极；所以电路中有电流，且大小为电流表读数0.011A。此时我们称二极管获得正向偏置，有正向电流流过。

  上图(右)中，二极管D2的正负极与刚才对调，电流无法从它的负极流到正极，电路中几乎没有电流形成，此时我们称二极管为反向偏置。

  说明二极管正向偏置时导通，电路中有电流形成；而反向偏置时阻断，电路的电流极小而一般忽略为无电流流过。  

电路的原理为：交流电压信号V1从二极管D1的正极流入，从负极流出，经过电阻R1接入地中形成回路，输出端V2与示波器相连，示波器观察的是输入信号V1经过二极管的处理后，在电阻R1两端形成的输出信号V2。

实验结果表明：当向上图所示输入幅度为1V、频率1kHZ的正弦信号时，经过二极管的处理，输出信号在电阻R1两端出现了只有一半的正弦信号——负半周不见了。这说明当输入信号在正半周时，二极管D1获得正向偏置而导通，输入信号得以通过二极管D1而在输出端出现；而当输入信号在负半周时，二极管D1反向偏置而截止，没有信号能通过二极管D1，从而在输出端出现一个幅度为0V的水平线。

如果将二极管D1的正负极对调，即二极管的负极与交流源的正极相连则会得到下图结果。

在 交流（AC）情况下，如果二极管处于反向偏置状态，即电源的正极与二极管的负极相连，那么在正半周期内，二极管将不会导通，因为它处于反向偏置；在负半周期内，二极管可能会导通，因为此时它处于正向偏置状态。

 二极管的正向偏置和反向偏置

 在半导体器件，尤其是二极管和晶体管中，正向偏置和反向偏置是描述PN结电学特性的两个基本状态。

正向偏置：当PN结的P型区域相对于N型区域被正向电压（即P型端连接电源的正极，N型端连接电源的负极）时，称为正向偏置。在这种状态下，PN结的势垒降低，允许多数载流子（P型区的空穴和N型区的电子）更容易地跨越PN结，从而增加电流流动。

反向偏置： 当PN结的P型区域相对于N型区域被反向电压（即P型端连接电源的负极，N型端连接电源的正极）时，称为反向偏置。在这种状态下，PN结的势垒增加，阻止多数载流子跨越PN结，因此电流非常小，通常只有微小的漏电流。 

 二极管正向偏置条件：正极的电压要高于负极，或者需要一个正向电压。

 令二极管导通的正向电压的大小与二极管的种类有关。二极管一般由硅或锗半导体材料制成，即硅管和锗管。令硅管和锗管导通的正向电压是不一样的。

二极管所需的正向导通电压Vf

二极管类型	导通所需的最小正向电压Vf
硅管	0.6V~0.8V
锗管	0.2V~0.3V

上表说明：硅管导通的正向电压比锗管的高。

 使用万用表鉴别二极管是硅管或锗管方法：万用表红表笔接二极管的负极，黑表笔接正极，被测二极管阻值在1kΩ左右说明是锗管；阻值在4~8kΩ则为硅管。

二极管的伏安特性

伏安特性又称为V-I特性，是指电子元件或电路在不同电压下所对应的电流变化关系。这种特性通常通过伏安特性曲线来表示，它是分析和设计电路时的重要工具。

• 正向特性：当电压增大时，电流急剧增加。（二极管正向偏置时，正向电流非常小，直至正向电压高于0.6V(硅管)或0.2V(锗管)后，正向电压增大，正向电流增加。）
• 反向特性：在反向偏置下，电流极小可勿略不计，直至达到击穿电压。（即使反向电压持续增大，电流变化也不大，直至反向电压增大到把二极管击穿之后，二极管遭到毁灭性的打击，反向电流才会增大。）

二极管伏安特性曲线

如上图所示，电压表与二极管D1并联，测量D1的正向电压V1；电流表与D1串联，测量D1的正向电流I1；结果显示V1为0.694V，I1为0.016A。因此验证了伏安特性曲线所描述的二极管的正向电压和正向电流之间的关系正确性。

二极管的正向压降

二极管的正向压降是指在二极管正向偏置时，其两端的电压差。当电流通过二极管时，由于电子和空穴在PN结处的复合，会有一部分能量以热的形式耗散，导致二极管两端产生一个固定的电压降。例如上图中电压表测量二极管D1两端的正向电压为0.694V，这个电压又被称为二极管的正向压降。因为二极管的存在，电压经过后会有所下降。当二极管导通时，正向电压与正向压降指的是同一个参数，值相同。

正向压降的特点 

• 材料依赖：二极管的正向压降取决于其制造材料。硅二极管：0.6V至0.8V，锗二极管：0.2V至0.3V。
• 温度依赖：随着温度的升高，二极管的正向压降会略有下降。
• 电流依赖：根据伏安特性曲线可知，在一定范围内，当正向电流提高后，其正向压降也会略有增加，这是由于二极管内部电阻的增加所致。