模拟电子技术——二极管、三极管、场效应晶体管

已于 2024-02-14 17:57:23 修改
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分类专栏： 模拟电子技术 文章标签： 嵌入式硬件 arm开发 硬件工程 物联网 单片机
于 2024-02-05 22:49:02 首次发布
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电阻
电容
电感

一、二极管

什么是二极管？

二极管一般用D来表示
二极管使用半导体材料（硅、锗等）制成的一种电子器件
二极管有两个电极正极、又叫阳极；负极又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止
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二极管参数及种类

二极管的符号生动的展示了其特性-流过二极管的电流只能从阳极向阴极-单向导电性

二极管主要参数

主要参数：最大整流电流、最高反向工作电压、反向电流：指二极管加反向电压而未击穿时的电流等…

二极管种类

二极管种类：整流二极管、发光二极管、TVS二极管、变容二极管、稳压二极管、激光二极管、光敏二极管、双向二极管等…
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二极管伏安特性

正向特性，当二极管正向偏置时的电压与电流特性
反向特性，当二极管两端加反向电压时二极管特性
死区：二极管的两端虽加向电压，但因为此正向电压较小，二极管仍处于截止状态，死区电压（阈值电压）：材料不同对应电压不同
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稳压二极管

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二极管符号

防反作用：肖特基二极管、整流二极管
整流作用：整流二极管
续流作用：肖特基二极管
倍压作用：整流、肖特基二极管
保护作用：TVS二极管
指示作用：发光二极管
稳压作用：稳压二极管

二、三极管

什么是三极管？

三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管是一种控制电流的半导体器件
按材料分为两种：锗管、硅管；而每一种又有NPN和PNP两种结构形式
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三极管参数及种类

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量；
这是三极管最基本的和最重要的特性

三极管主要参数

主要参数：放大倍数、集电极最大电流、集射极击穿电压、频率特性等…

三极管种类

三极管种类：光敏三极管、达林顿三极管、功率三极管、超高频三极管、低频三极管、高频三极管等…
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三极管工作原理

三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以供发射极接法为例：
当基极电压有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流的控制集电极电流会有一个很大的变化
基极电流越大，集电极电流也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化
Ie=Ib+Ic
β1=Ic/Ib（直流放大倍数）
β=△Ic/△Ib（交流放大倍数）
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三极管三种基本接法

共发射极
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共集电极
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共基极
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信号由基极输入，集电极输出——共射极放大电路
信号由基极输入，发射极输出——共集电极放大电路
信号由发射极输入，集电极输出——共基极电路

三、场效应管

什么是场效应管?

场效应晶体管，简称场效应管
主要有两种类型：结型场效应管（JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（MOS-FET）
场效应晶体管一般用Q来表示
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场效应晶体管—参数及种类

和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势

场效应晶体管主要参数

主要参数：漏源电压（Vdss） 开启电压
连续漏极电流（ld） 极简电容
功率 导通电阻
开关延时
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场效应晶体管种类

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NMOS管工作原理

对于场效应管，在栅极没有电压时，在源极与漏极之间不会有电流流过，处与截止状态
正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上
由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极
由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中，从而形成电流
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MOS管特性

导通特性

导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就会导通，适用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压达到4V或10V就可以了
PMOS的特性是，VGS小于一定的值就会导通，适用于源极接VCC时的情况（高端驱动）
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损失特性

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，电流就会被电阻消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗
小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗
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寄生电容驱动特性

跟双极性晶体管相比，MOS管需要GS电压高于一定的值才能导通，而且还要求较快的导通速度
在MOS管的结构中可以看到，在GS、GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电
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寄生二极管

漏极和源极之间有一个寄生二极管，在驱动感性负载（如马达、继电器）应用中，主要用于保护回路
不过体二极管只在单个MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的
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转移特性

场效应管的转移特性是指漏源电压固定时，栅源电压Vgs对漏极电流Id的控制特性；
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MOS管应用

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总结

1、（1）二极管的伏安特性是什么？
（2）二极管有那些主要参数？
（3）击穿分那两种类型的击穿？
（4）说出三种以上的二极管
2、（1）三极管的主要参数有哪些？
（2）三极管的主要特性是什么？
（3）三极管分那两种类型？
（4）集电极电流IC、基极电流IB、发射极电流IE之间的关系是什么？
（5）三极管三种基本电路分别是那些？
3、（1）场效应管按照结构材料分那两种类型？
（2）场效应晶体管参数有那些？
（3）MOS管有那些特性？
题1
1.二极管伏安特性：正向特性，当二极管正向偏置时的电压与电流特性； 反向特性：当二极管两端加反向电压时二极管的特性； 死区：二极管的两端虽加向电压，但因为此正向电压较小，二极管仍处于截止状态死区电压：材料不同对应电压不同
2.主要参数：最大整流电流、最高反向工作电压、反向电流：指二极管
3.正向击穿、反向击穿
4.发光二极管、激光二极管、稳压二极管、双向二极管、TVS二极管
题2
1.三极管主要参数：放大倍数、集电极最大电流、集射极击穿电压、频率特性
2.三极管主要特性：
3.按材料分为两种：硅管、锗管，每一种又有NPN和PNP两种结构形式
4.三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例：
当基极电压有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流的控制，集电极电流会有一个很大的变化
基极电流越大，集电极电流也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化
5.信号由基极输入，集电极输出—共发射极电路、
信号由基极输入，发射极输出—共集电极电路、
信号由发射极输入，集电极输出—共基极电路、
题3
1.结型场效应管（JFET）、金属一氧化物半导体场效应管（MOS-FET）
2.场效应晶体管参数：漏源电压、连续漏极电源、功率、开关延时、开启电压、导通电阻、极间电压
3.导通特性、损失特性、寄生电容驱动特性、寄生二极管特性、转移特性

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场效应晶体管的电路符号及图片
08-11
场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)，简称为场效应管，是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S，栅极G，漏极D。
模电基础：二极管三极管与晶闸管场效应管
01-20
二极管　　以硅（或锗）作为基板，将掺杂了磷和砷的Negative 型半导体（电子不足，空穴较多）和掺杂了硼和镓的Positive 型半导体（电子多余）结合在一起，就称为二极管（PN 结）。　　　　二极管具有单向导电性（单向导通），因此具备整流作用，即让电流只朝一个方向运动。　　　　三极管　　三极管也称为双极性晶体管，全称叫做双极性结型晶体管，缩写为BJT，因为种具有三个终端，所以俗称为三极管。将P 型、N 型半导体做成三明治状从而形成NPN 结与PNP 结，中间的那层称为基级Base，两侧的称为发射级Emitter或集电极Collector，即三极管，也称为双极性结型晶体管。　　　　三极管具有
常用二极管三极管场效应管稳压管晶体管ATLIUM原理图库+PCB封装库.zip
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常用二极管三极管场效应管稳压管晶体管ATLIUM原理图库+PCB封装库，可以做为你的学习设计参考。 4xTVS.SchLib 78稳压块.SCHLIB Axial Lead Diode.PcbLib Bridge Rectifier.PcbLib bridge.PcbLib CASE-A.PcbLib CASE-B.PcbLib CASE-C.PcbLib CASE-D.PcbLib CASE-E.PcbLib Chip Diode - 2 Contacts.PcbLib Cylinder with Flat Index.PcbLib D-PAK.PcbLib DFLS.PcbLib Diamond Base CAN - 2 Leads.PcbLib Diamond Base CAN - 3+ Leads.PcbLib DIODE.SchLib DO-214AA.PcbLib DO-214AB.PcbLib DO-214AC.PcbLib DPAK_L.PcbLib DPAK_M.PcbLib DPAK_N.PcbLib D硅堆.SchLib ESD保护库.SCHLIB LM2575LM.PcbLib LM317-337封装.PcbLib LM317.PcbLib MELF - Diode.PcbLib PMOS.SchLib SCR单向可控硅.SchLib SOT - 3 Flat Leads.PcbLib SOT 143.PcbLib SOT 223.PcbLib SOT 23 - 5 and 6 Leads.PcbLib SOT 23.PcbLib SOT 343.PcbLib SOT 89.PcbLib SOT-223.PcbLib SOT-23.PCBLIB SOT143_L.PcbLib SOT143_M.PcbLib SOT143_N.PcbLib SOT223.PcbLib SOT223_L.PcbLib SOT223_M.PcbLib SOT223_N.PcbLib SOT23-3.PcbLib SOT23-5.PcbLib SOT23-6.PcbLib SOT23-8.PcbLib SOT230.PcbLib SOT23_5-6Lead_L.PcbLib SOT23_5-6Lead_M.PcbLib SOT23_5-6Lead_N.PcbLib SOT23_L.PcbLib SOT23_M.PcbLib SOT23_N.PcbLib SOT25-5.PcbLib SOT343_L.PcbLib SOT343_M.PcbLib SOT343_N.PcbLib SOT353.PcbLib SOT89_L.PcbLib SOT89_M.PcbLib SOT89_N.PcbLib TO-220.PCBLIB TO-220T.PCBLIB TO-252-5.PcbLib TO-263-7.PcbLib TO-263.PCBLIB TO-92.PCBLIB TRIAC双向可控硅.SchLib TVS_824014.SchLib 三极管.PcbLib 三极管.SchLib 二极管 二极管 整流桥.SCHLIB 二极管.PcbLib 二极管.SCHLIB 可控硅.SchLib 场效应管.SchLib 场效应管及可控硅.SCHLIB
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模拟电子技术——二极管、三极管与场效应管
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二极管是一种最简单的半导体器件，它只有两个电极，其主要作用是将电流只流向一个方向，因此它也被称为“整流器”。在电子设备中，二极管用于电源、光学设备、放大器等方面。 三极管是一种三电极管类型的半导体器件，它包含三个电极：发射极、基极和集电极。三极管可以作为放大器、开关和稳压器。它有很高的电压、电流和功率特性，广泛应用于电子电路中。 MOS管 ，即金属氧化物半导体场效应晶体管是一种半导体器件，其主要特点是控制电流通过导体开关来实现电流的传递。 MOS管具有低功率、高频、高速的特性，以及可靠性高、易于制造等优点，因此被广泛应用于电子电路中。 单片机是一个完整的计算机系统，由中央处理器、存储器、输入/输出接口、时钟/计时器等组成。单片机具有微型、高速、全面的特性，可以包含多种电子功能，因此广泛应用于计算机网络、通讯、控制系统等方面。因为单片机整合了许多硬件和软件资源，因此在电子开发中使用较为普遍。

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