模电基础——二极管

hanjak加油

已于 2024-09-28 15:59:44 修改

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文章标签：硬件工程嵌入式硬件

于 2024-09-09 12:34:48 首次发布

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前言

为了扎实自己的基础，同时也是为了秋招做准备，最近在复习模拟电子技术，也算是真正意义上认认真真的学模拟电子技术，在学习过程中我在某个瞬间竟然觉得它是一门很有意思的课，当时在大一上这门课时从PN结开始就一头雾水，导致后面很多知识都觉得没有真正掌握，甚至有的不知道什么东西。但是经过我这段时间的认真学习，我觉得一个知识光知其然谁都能做到，一个元器件有什么作用？怎么使用？这些问题自己认真思考一下很快就能搞明白，但是不知其所以然的话感觉这东西用起来非常不踏实呀，有没有同感？所以现在我想好好探讨一下模电。

我相信对大部分人来说，二极管是称之为梦开始的地方。但是别看二极管就一个单向导电性很简单，其背后学问多着，我决定从二极管的材料开始，一步步解析二极管。但是水平有限，我也只能以自己的理解阐述，尽量以一个面对新手的角度去解释。

二极管的半导体材料

首先了解一些基本概念：

本征半导体。本征半导体是化学成分纯净的半导体，在物理结构上呈单晶体形态。做出本征半导体是为了导电性能可控。

自由电子。由热运动导致挣脱共价键束缚的电子。带负电。

空穴。共价键中的空位。带正电。

电子空穴对。由热激发而产生的自由电子和空穴对。自由电子和空穴是成对出现的。

空穴的移动。空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。

自由电子遇到空穴后会复合。在一定温度下，自由电子和空穴的浓度一定；温度越高，自由电子和空穴的浓度越高。所以温度越高载流子浓度越高，导电性越好。

为了使半导体的导电性可控，在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是+3价或+5价元素。掺入了杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体又分为N型半导体和P型半导体。（N型半导体，negative；P型半导体，positive，这样记就不会混淆P型和N型了）

N型半导体掺入了+5价杂质原子，因+5价杂质原子中只有四个电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子（以后简称多子），它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子（以后简称少子），由热激发形成。提供自由电子的+5价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此+5价杂质原子也称为施主杂质。

P型半导体掺入了+3价杂质原子，因+3价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。在P型半导体中空穴是多子，它主要由掺杂形成；自由电子是少子由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。

多子受温度影响小，温度的改变虽然让多子和少子的变化相同（因为是成对的），但是因为多子基数大，少子基数小，所以温度对多子的浓度几乎没有影响，但是少子的浓度就明显改变（这里谈的是相对变化）。

PN结

PN结的形成

先了解两个运动的概念：

漂移运动：在电场作用引起的载流子的运动。

扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动。

在一个材料里面，用扩散的工艺得到P区和N区两个区域。一开始，因为P区掺杂了+3价元素，N区掺杂了+5价元素，所以P区的空穴和N区的自由电子的浓度都很高，引起两块区域的多子的扩散运动。

扩散运动使P和N区的交界处的电中性遭到破坏。P区靠近交界处留下了带负电的杂质离子，N区靠近交界处留下了带正电的杂质离子，虽然杂质离子也带电，但是不能像自由电子那样自由移动，因此不参与导电。于是在P和N区交界面附近形成了很薄的空间电荷区，也就是PN结。在这个区域内，多子已经扩散到对面并完成复合，或者说是消耗尽了，因此空间电荷区又称为耗尽区。因为正负离子的作用，在这个区域形成了一个内电场，这个内电场会抑制多子的扩散运动，也会促进少子的漂移运动，最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。

因为电子从N区到P区必须要越过空间电荷区产生的能量高坡，所以这个区域也称为势垒区。

PN结的单向导电性

漂移电流：在电场的作用下，自由电子会逆着电场方向漂移，而空穴则顺着电场方向漂移，这样产生的电流称为漂移电流，该电流的大小主要取决于载流子的浓度，迁移率和电场强度。

扩散电流：半导体中载流子浓度不均匀分布时，载流子会从高浓度区向低浓度区扩散，从而形成扩散电流，该电流的大小正比于载流子的浓度差即浓度梯度的大小。

当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏（正向偏置）；反之称为加反向电压，简称反偏（反向偏置）。

正偏时，内电场被削弱，耗尽层变窄，多子的扩散加强，少子的飘移被抑制，形成较大的扩散电流。耗尽层的宽度可以由外加电压改变。

反偏时，内电场被加强，耗尽层变宽，多子的扩散受抑制，少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成很小的反向电流。在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。

总结：PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 这就是PN结的单向导电性。

PN结的电容效应

扩散电容

当PN结正偏电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容。

势垒电容

当PN结反偏外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容，主要表现在加反向电压时。

二极管

二极管的结构

在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。

面接触型二极管的PN结面积大，可承受较大的电流，但极间电容也大，适用于整流，不宜用于高频电路。

点接触型二极管的PN结面积小，极间电容也小，适用于高频电路和数字电路，但不能承受太高的反向电压和电流。

二极管的I-V特性

硅二极管2CP10的V-I 特性

锗二极管2AP15的V-I 特性

上面两个图分别是硅材料二极管和锗材料二极管的伏安特性曲线，两者在局部细节上有些差别。还要注意，正向导通是电流的单位是毫安，反向导通是电流的单位是微安。

在正向特性的起始部分，正向电压提供的外电场还不足以克服PN结的内电场，这时的正向电流几乎为0，直到正向电压增加到达开启电压（也称为死区电压或门坎电压）时，才开始有正向电流。硅管的开启电压约为0.5V，锗管约为0.1V。

当正向电压大于导通电压时，PN结的内电场大幅削弱，电流迅速增大，二极管这时正向导通。因为二极管正向导通后的特性曲线很陡，所以一般认为硅管的导通压降约为0.7V，锗管约为0.2V。

在反向特性部分，在反向电压作用下P区的少子——自由电子和N区的少子——空穴发生漂移运动通过PN结，形成反向电流。当反向电压增加到一定程度后，反向电流几乎不变了。这是因为参与漂移运动的少子实在是太少了，反向电压增加到一定程度后几乎所有少子都参加漂移运动，没有更多的少子了。这个时候的电流称为反向饱和电流。

当反向电压增加到一定程度，方向电流急剧增大，二极管被反向击穿，这时的电压称为反向击穿电压。

二极管的特性对温度很敏感。在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。很好理解，因为温度的升高会使多子热运动加剧，少子的本征激发加剧，少子数目增加，反向电流也随之增大，也更容易被反向电压击穿，反向击穿电压减小。

PN结的反向击穿

我们已经知道加到PN结两端的反向电压增大到一定程度后，PN结被反向击穿，反向击穿后电流很大，容易使PN结发热，如果电流再增大很容易烧毁PN结。反向击穿电压的大小与PN结制造参数有关。

当PN结反向电压增大，空间电荷区的电场随之增强。参与漂移运动的少子通过空间电荷区在电场作用下获得足够的动能，与晶体原子发生碰撞，打破了共价键的束缚，形成更多的电子空穴对，这种现象为碰撞电离。新产生的电子和空穴在电场作用下继续碰撞电离，这就是载流子的倍增效应。当反向电压足够大时，载流子的倍增情况像雪崩一样，载流子增加得很快，使反向电流急剧增大，PN结被击穿，这种击穿为雪崩击穿。

另一方面，在加有较高反向电压时，PN结空间电荷区存在一个很强的电场，它能够破坏共价键的束缚，将电子分离出来产生电子空穴对，在电场作用下，电子移向N区，空穴移向P区，形成较大的反向电流，这种击穿为齐纳击穿。

齐纳击穿和雪崩击穿这两种反向击穿的物理过程完全不同。发生齐纳击穿需要比较大的电场强度，只有在杂质浓度特别高的PN结才能达到。一般整流二极管掺杂浓度较低，所以它的电击穿多数是雪崩击穿，齐纳击穿多数出现在特殊的二极管，如齐纳二极管。

但是以上两种反向击穿的过程都是可逆的，他们都属于电击穿。加在稳压二极管两端的反向电压降低后管子仍可以恢复原来状态。但前提是击穿时不能超过PN结容许的耗散功率，否则会使PN结温度上升，烧毁PN结，此时就不可逆了，这种现象为热击穿。所以热击穿必须尽量避免。