NTMFS4C028NT1G NTMFS4C09NT1G N-场效应管 MOS

NTMFS4C028NT1G NTMFS4C09NT1G N-场效应管 MOS 中文规格

1、MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN

型号：NTMFS4C028NT1G 
参数
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.4A（Ta），52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.73 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1252 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.51W（Ta），25.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

2、NTMFS4C09NT1G ，MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN 场效应管

参数
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：10.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1252 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：760mW（Ta），25.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线