NTMFS4C10NT1G功率MOSFET 30 V46 A单N通道SO-8 FL

NTMFS4C10NT1G是一款30V,46A的单N通道功率MOSFET,具备低RDS(on)、低电容和优化的栅极电荷特性,适用于CPU供电和DC-DC转换器。该器件符合RoHS标准,无铅无卤素。主要电气特性包括:漏极-源极击穿电压、栅极阈值电压、漏极-源极导通电阻等,并提供了详细的开关特性和二极管特性数据。
摘要由CSDN通过智能技术生成

NTMFS4C10NT1G
功率MOSFET30 V,46 A,单N通道,SO-8 FL

特征

•低RDS(on)以最小化传导损耗
•低电容,最大限度地减少驾驶员损失
•优化栅极电荷,最大限度地降低开关损耗
•这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
合规

应用

•CPU供电
•DC-DC转换器
封装图1
品牌:ON
型号;NTMFS4C10NT1G
封装:DFN8
包装:3K
年份:16+
数量:80000
耐热最大额定值
参数符号值单位
结到壳(漏极)RJC 5.3
°C / W
结点到环境 - 稳态(注4)RJA 50.3
结点到环境 - 稳态(注5)RJA 165.9
结到环境 - (t≤10s)(注4)RJA 22.2
4.表面安装在FR4板上,使用1平方英寸垫,1盎司铜。
5.使用推荐的最小焊盘尺寸在FR4板上进行表面安装。

电气特性(除非另有说明,TJ = 25°C)
参数符号测试条件最小值典型值最大值
关闭特征
漏极 - 源极击穿电压V(BR)DSS V

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