NTMFS4C08NT1G功率MOSFET30 V,52 A,单N通道,SO-8 FL
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特征
•低RDS(on)以最小化传导损耗
•低电容,最大限度地减少驾驶员损失
•优化栅极电荷,最大限度地降低开关损耗
•这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准合规
应用
•CPU供电
•DC-DC转换器
![最大额定值](https://img-blog.csdnimg.cn/20190316120138538.png?x-oss-process=image/watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3N6cmlsZXkxMjM=,size_16,color_FFFFFF,t_70)
耐热最大额定值
参数符号值单位
结到壳(漏极)RJC 4.9
°C / W
结点到环境 - 稳态(注4)RJA 49.8
结点到环境 - 稳态(注5)RJA 164.6
结到环境 - (t≤10s)(注4)RJA 21.0
4.表面安装