LPDDR3 专为多任务处理而设计,采用小型封装,可实现高达 1,866 Mbps 的速度。LPDDR3 是一款卓越的产品,可延长电池寿命,而且功耗比上一代降低了 10%。该系列产品支持各种移动解决方案,从智能手机到物联网和可穿戴设备,不一而足。
KMFN60012B-B214是一款(8+8Gb)LPDDR3动态随机存取存储器DRAM。
规格
类型:LPDDR3
版本:eMMC 5.1
速率:1866Mbps
eStorage 密度:8 GB
DRAM 密度:8 Gb
封装:221-FBGA
KMGX6001BA-B514是一款(32+24Gb)LPDDR3动态随机存取存储器DRAM。
规格
类型:LPDDR3
版本:eMMC 5.1
速率:1866Mbps
eStorage 密度:32 GB
DRAM 密度:24 Gb
封装:221-FBGA
KMQE60013B-B318 是一款 16 GB eStorage 的动态随机存取存储器DRAM,采用 221 FBGA 封装,速率为 1866Mbps。
规格
类型:LPDDR3
版本:eMMC 5.1
速率:1866Mbps
eStorage 密度:16 GB
DRAM 密度:16 Gb
封装:221-FBGA
KMQX60013A-B419是一款 32 GB eStorage 的动态随机存取存储器DRAM,采用 221 FBGA 封装,速率为1866Mbps。
规格
类型:LPDDR3
版本:eMMC 5.1
速率:1866Mbps
eStorage 密度:32 GB
DRAM 密度:16 Gb
封装:221-FBGA
KMQX60013A-B419、KMQE60013B-B318、KMGX6001BA-B514、KMFN60012B-B214(1866 Mbps)动态随机存取存储器——明佳达
存储器系列器件:
KMAIA001PM-B819
KMDC6001DM-B625
KMDT6000HM-A625
KMDT6001ZM-A625
KMJIA001RM-BC07
KMJS9001RM-BG01
KMAG9001PM-B814
KMAS9001PM-BC02
KMFE60012A-B214
KMFN60012B-B214
KMGX6001BA-B514
KMQE60013B-B318
KMQX60013A-B419
M321RYGA0PB2-CCP
KHBA84A03D-MC1H
KHBAC4A03D-MC1H
KHBA84A03C-MC1H
KHAA44801B-MC17
KHAA84901B-MC17
KHAA44801B-MC16
KHAA84901B-JC16
KHAA84901B-JC17
KHAA84901B-MC16
MEC1728N-B0-I/SZ
MEC1724N-B0-I/LJ
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