如果没有栅极电阻,或者电阻阻值太小
MOS导通速度过快,高压情况下容易击穿周围的器件。栅极电阻阻值过大
MOS管导通时,Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时,MOS管导通速度过慢,即Rds的减小要经过一段时间,高压时Rds会消耗大量功率,导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散,MOS温度迅速身高。在高压下,PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极,并且导线不要与母线电压平行分布。否则母线高压容易耦合至下方导线,栅极电压过高击穿MOS管。
MOS管栅极串联电阻的作用
最新推荐文章于 2024-03-25 11:23:40 发布