【模拟电子技术基础】学习笔记 第一章 半导体二极管

本征半导体

导电能力介于导体和绝缘体之间的叫做半导体，最常见的是硅
本征半导体是纯净的半导体单晶
本征激发：当温度升高时，价电子获得足够的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子。
在一定情况下，本征半导体内激发和复合达到动态平衡。
温度升高时，半导体的导电能力越强。

杂质半导体

本征半导体的导电能力很弱，所以在半导体材料中掺入一定杂质，增强半导体的导电能力。
N型半导体和P型半导体
PN结
P型半导体和N型半导体相互接触的区域
PN结的击穿
PN结上的反向电压不能加得太大，如果电压加得太大，反向电流会突然猛增，这种现象称为“击穿”
反向电流无限制增长——热击穿
限制反向电流——可逆击穿
二极管主要参数：
（1）最大整流电流：二极管允许通过的最大平均电流。
（2）最大反向峰值电压：二极管工作时允许的最大反向电压
（3）最大正向浪涌电流：二极管允许流过的过量的正向电流，非正常工作的电流
（3）反向电流：二极未击穿的反向电流
（4）反向恢复时间：当二极管两端电压从正向电压变为反向电压时，理想情况时电流能够瞬间截止，但实际要延迟一段时间，这段延时时间成为反向恢复时间。
肖特基二极管：
金属与N型半导体接触在交界面形成势垒的二极管。

电容效应小，工作速度快，特别适合高频和开关状态下使用
肖特基二极管的耗尽层存在于N型半导体的一侧，相对较薄，故其正向门限电压和正向压降都比PN结二极管低
耗尽层较薄，反向击穿电压较低反向漏电流比PN结二极管大。