Xilinx DDR4 DDR3 多通道读写防冲突设计，可实现最高8个通道同时读写DDR且不冲突问题，通道数可根据使用来决定

Xilinx DDR4 DDR3 多通道读写防冲突设计，可实现最高8个通道同时读写DDR且不冲突问题，通道数可根据使用来决定。
每个通道读写接口简单，操作独立，可同时实现最高8个通道的读写请求。
此工程经过2个月的实际上板疲劳测试，功能稳定，时序健壮，性能优异，有需要用到DDR4 DDR3的多通道 单通道的地方，此工程代码可直接移植。
        本工程通过Vivado实现，程序中包含详细注释，另赠送一份详细设计说明文档，保证可以弄懂DDR的逻辑和设计架构，可直接应用于工程设计中。

Xilinx DDR4 DDR3 多通道读写防冲突设计

在现代电子系统中，DDR存储器已经成为不可或缺的一部分。然而，由于DDR存储器频繁的读写操作，可能会导致通道冲突并严重影响系统性能。为了解决这个问题，我们开发了Xilinx DDR4 DDR3 多通道读写防冲突设计。

该设计可以实现最高8个通道同时读写DDR，并且不会出现通道冲突问题。通道数可以根据具体应用来决定，每个通道的读写接口都非常简