Xilinx DDR4 DDR3 多通道读写防冲突设计,可实现最高8个通道同时读写DDR且不冲突问题,通道数可根据使用来决定。
每个通道读写接口简单,操作独立,可同时实现最高8个通道的读写请求。
此工程经过2个月的实际上板疲劳测试,功能稳定,时序健壮,性能优异,有需要用到DDR4 DDR3的多通道 单通道的地方,此工程代码可直接移植。
本工程通过Vivado实现,程序中包含详细注释,另赠送一份详细设计说明文档,保证可以弄懂DDR的逻辑和设计架构,可直接应用于工程设计中。
Xilinx DDR4 DDR3 多通道读写防冲突设计
在现代电子系统中,DDR存储器已经成为不可或缺的一部分。然而,由于DDR存储器频繁的读写操作,可能会导致通道冲突并严重影响系统性能。为了解决这个问题,我们开发了Xilinx DDR4 DDR3 多通道读写防冲突设计。
该设计可以实现最高8个通道同时读写DDR,并且不会出现通道冲突问题。通道数可以根据具体应用来决定,每个通道的读写接口都非常简