也谈氮化镓材料

最新推荐文章于 2023-10-20 16:05:30 发布
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参加EDI会议，发现有不少的会议内容由于氮化镓有关，而且还专门有讨论氮化镓的研讨会，随着频率的提高以及大的输出功率，现有的材料已很难在承受更大的功率密度，氮化镓的出现使这种瓶颈得到了缓解，其不但有较高的承受功率密度，还具备更好的功率转换效率，一般可以做到连续波在功率管A/B类大于43%，目前国内的厂家也在奋起直追。随笔简记！

Micro_ET
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氮化镓充电器优缺点简介
真假音
05-28 4万+
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。 一、氮化镓是什么 氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。 二、氮化
半导体材料：GaN（氮化镓）的详细介绍
nanfeng775a的博客
11-04 1777
氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。
氮化镓或将成为超快5G技术的关键
weixin_34406061的博客
08-01 283
5G的出现，势必会带来对更高移动网络连接速度和更大数据容量的需求。为了应对这一提升性能的需求，就需要新的基站技术。 基站是所有移动网络必须克服的一个瓶颈。也正是这个瓶颈，将目前的4G网络限制在50Mbps的平均峰值数据速度内，并阻碍它实现真正的实时传输。 相反，5G或许能实现实时无线通信，并实现10Gbps的最大数据速率。 德国弗莱堡的弗劳恩霍夫应用固...
让人又爱又恨的氮化镓器件 --- 记录人生第一次炸机
Jimmy的个人博客
07-13 2619
宽禁带器件也不是什么新鲜词儿了，我们常用的宽禁带电力半导体有两类 — 氮化镓GaN器件和碳化硅SiC器件。 之前尝试过用SiC器件研发了一款图腾柱PFC整流器，别的不说，这SiC是真的耐造。从头到尾，竟然没有炸过任何一片SiC MOSFET。 然后最近在做一款高功密的2kW Boost样机，换了配方，用了GaNsystem公司的氮化镓器件，于是，有了我的“处女炸”。 炸机的主要原因是软起动的逻辑没有处理好。 正文 刚开始的启动逻辑 正常的启动顺序：（状态机state） 刚启动dsp：state = Co.
氮化镓充电器和普通充电器有啥区别-综合文档
05-22
耐用性方面，氮化镓材料的高强度和耐高温特性使其在长期使用后仍能保持高性能，从而增加了充电器的使用寿命。而普通充电器的硅基元器件在长时间高温工作下可能会老化，影响性能。 最后，谈到价格，由于氮化镓技术...
浅谈半导体材料的发展现状.pdf
08-29
随着科技的进步，半导体材料发展至第三代，例如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽带隙半导体，它们具有更高的工作频率、更好的热稳定性以及更高的击穿电压。这些特性使它们在电力电子、射频通信、LED照明、太阳能...
显示/光电技术中的浅谈LED晶粒/芯片制造流程
11-18
近几年人们制造LED晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氩气Ar等惰性气体作为载体之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圆做好。...
浅谈LED晶粒/芯片制造流程
01-19
近几年人们制造LED晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氩气Ar等惰性气体作为载体之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圆做好。...
transphorm氮化镓功率管-产品介绍.pdf
08-28
节能举措，如企业服务器和云数据中心电源的“80+ Titianium”，以及外部电源适配器的欧盟行为准则(CoC) Tier 2，正使电源设计人员转而选择GaN开关技术，以实现更高能效的设计。
第三代半导体氮化镓GaN行业报告
03-29
HVPE是制备GaN的主流斱法。通过高温下高纯 Ga不HCl反应形成GaCl蒸气，在衬底戒外延面不 NH3反应， 沉积结晶形成GaN。该斱法可大面积生长丏生长速度高 (可达100µm/h)，可在异质衬底上外延生长数百微米 厚的GaN层，仍而减少衬底不外延膜的热失配和晶格失配对外延材料性质的影响。生长后用研磨戒腐蚀法去 掉衬底，即可获得GaN单晶片。此法得到的晶体尺寸较大，丏位错密度控制地较好。针对高生长速度带来的 缺陷密度高问题，可通过HVPE不MOCVD中的横向覆盖外延生长法(ELOG)相结合有效改善。MBE技术是通过真空外延技术制备GaN。真空中原子、原子束戒分子束落到衬底戒外延面上，其中
TI最新可驱动GAN MOS资料
11-09
为配合使用GAN MOS提供更高功率密度产品，我公司计划开发小体积大功率产品。部分资料与朋友们分享。
基础电子中的浅谈LED產生有色光的方法
11-18
随着技术的发展，出现了蓝光LED，如GaN（氮化镓）制成的二元素发光管，以及使用AlGaInN（铝镓铟氮）四元素材料制造的LED，它们能够覆盖整个可见光谱甚至部分紫外光谱，极大地扩展了LED的应用领域。 描述中提到的...
氮化镓为何这么强？从氮化镓适配器原理中剖析一二
04-07 2980
禁带宽度，意思是当硅的电子需要逃离共价键时需1.12EV的能量，而浅显意见，氮化镓的电子逃逸所需能量就需要3.42VE。所以才有第三列，击穿电场强度，氮化镓的击穿电压值是纯净硅的11倍 电子迁移率：由表格可以看出氮化镓的电子迁移率比硅的要高很多，而这里的电子迁移率意思是在一定电压，单位时间内通过物体的电子数量。所以氮化镓的开关速率就会更快，反应更加灵敏。 而热导率就可以通俗易懂的理解为散热的快慢
小米捧红氮化镓快充？看完此文让你秒懂氮化镓！
02-19 2371
2020年2月13日下午，小米通过线上直播发布会的形式，面向数百万观众，正式发布了小米10系列手机以及部分配件产品。其中，小米65W氮化镓充电器 成为本次发布会的一大亮点，据小米首席执行...
《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓材料研究
hlkn2020的博客
08-27 317
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：氮化镓材料研究 编号：JFKJ-21-273 作者：炬丰科技 摘要: 氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓的一些独特特性。氮化镓具有与硅相当的电子迁移率，但具有一个三倍大的带隙，使之成为极好的高功率应用和高温的候选人操作。能够形成薄型algan /GaN异质结构图，其表现出二维电子气体现象导致高电子迁移.
氮化镓充电头的原理
最新发布
KeepTops的博客
10-20 495
随着科学技术的不断进步，充电技术也在发生着前所未有的变革，而随着其中，氮化镓充电头已成为人们关注的新热点。那么，氮化镓充电头的原理是什么呢？KeepTops将为您详细阐述氮化镓充电头的制作、工作原理及应用。
小新pro16使用氮化镓120WPD充电头导致CPU降频的解决方案
qq_45174192的博客
12-09 6319
小新pro16使用氮化镓120wpd充电头导致cpu降频的解决方案
氮化镓材料的PB超透镜优势
02-15
氮化镓是一种高性能的光学材料，在制作PB超透镜中有很多的优势。 1. 高光学质量: 氮化镓具有高的折射率和低的吸收率，使得它可以有效地传递高质量的光信号。 2. 耐高温: 氮化镓具有较高的热稳定性，在高温环境下仍能维持较好的光学性能。 3. 光学均匀性: 氮化镓是一种半导体材料，具有较高的光学均匀性，可以制作出具有高光学性能的超透镜。 4. 抗腐蚀性: 氮化镓具有较高的抗腐蚀性，可以在恶劣的环境中使用。 因此，氮化镓作为PB超透镜的材料是非常理想的。
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