传感器 --- Hall,AMR,GMR,TMR技术的比较
四代磁性传感器技术的优势与原理对比。第一代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转,在磁场方向上形成附加的横向电场,即霍尔电场纵向磁场感应。第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器单磁层器件平行磁场感应工作场范围窄第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射第四代:TMR.