数电

 

字电路按工艺有肖特基双极晶体管和CMOS工艺两种，使用双极晶体管的数字电路称TTL数字电路，如果输出端连接的是TTL数字电路，那么就可以称做是TTL负载，TTL负载阻抗比CMOS电路小很多，并且如入端悬空默认高电平，再就是TTL电平和CMOS电平也有差异。

 

 

TTL 是由晶体管构成的逻辑电路，这里所谓的 TTL 信号是一个电平标准。由于器件的电压不同， TTL 电路和 CMOS 电路定义的高低电平电压以及电流不一样。

所谓的需要加 TTL 信号就是可以以 TTL 标准的高或低电平信号来触发它。

 

从百度百科：

TTL 电路是晶体管 - 晶体管逻辑电路的英文缩写（ Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造，具有高速度和品种多等特点。 从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。

  第一代 TTL 包括 SN54/74 系列，（其中 54 系列工作温度为 -55 ℃ ～ +125 ℃ ， 74 系列工作温度为 0 ℃ ～ +75 ℃ ) ，低功耗系列简称 LTTL ，高速系列简称 HTTL 。

  第二代 TTL 包括肖特基箝位系列（ STTL) 和低功耗肖特基系列（ LSTTL ）。

  第三代为采用等平面工艺制造的先进的 STTL(ASTTL) 和先进的低功耗 STTL （ ALSTTL ）。由于 LSTTL 和 ALSTTL 的电路延时功耗积较小， STTL 和 ASTTL 速度很快，因此获得了广泛的应用。

  各类 TTL 门电路的基本性能：

  电路类型 TTL 数字集成电路约有 400 多个品种，大致可以分为以下几类：

  门电路

  译码器 / 驱动器

  触发器

  计数器

  移位寄存器

  单稳、双稳电路和多谐振荡器

  加法器、乘法器

  奇偶校验器

  码制转换器

  线驱动器 / 线接收器

  多路开关

  存储器

  特性曲线电压传输特性

 

 TTL 与非门电压传输特性 LSTTL 与非门电压传输特性

  瞬态特性 由于寄生电容和晶体管载流子的存储效应的存在，输入和输出波形如 右。存在四个时间常数 td,tf,ts 和 tr 。

  延迟时间 td

  下降时间 tf

  存储时间 ts

  上升时间 tr

  基本单元 “ 与非门 ” 常用电路形式

  四管单元 五管单元 六管单元

  主要封装形式

  双列直插

  扁平封装

 TTL 反相器工作原理，请参照《数字电子技术基础》第四版 高等教育出版社，清华大学电子教研室 阎石主编的 P53 页电路图

 1 、当 Vi=Ve1=0.2v 时 T1 导通，这时 Vb1 被钳制到 0.2+0.7=0.9v ，由于 T1 导通，故 Vb2=Ve1=Vi=0.2v, 由于 Vb2<0.7v ，所以 T2 截止 ,T3 导通， T4 截止， Vo 输出为高电平。

 2 、当 Vi=Ve1=3.6v 时 T1 也导通，这时 Vb1 被临时钳制到 3.6v+0.7=4.3v ，由于 T1 导通，故 Vb2=Ve1=Vi=3.6v, 由于 Vb2>0.7v ，所以 T2 导通，侧 Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb4>0.7v, 所以 T4 导通，由于 T2 的导通导致 T3 的基极 Vb3 被钳制到 0V ，所以 T3 截止；所以 Vo 输出为低电平。另外由于 T4 的导通，并且发射极接地，反过来有影响到 T4 的基极被钳制到 Vb4=0v+0.7v=0.7v, 同样 T2 导通所以 T2 的基极 Vb2=Vb4+0.7v=1.4v, 再同样 T1 导通 Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v 。