非易失性FRAM中的预充电操作

铁电存储器（FRAM）是一种随机存取存储器，是一种特殊工艺的非易失性的存储器，它将DRAM的快速读取和写入访问,它是个人电脑存储中最常用的类型，与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。接下来宇芯电子介绍关于非易失性FRAM中的预充电操作。

预充电是FRAM的内部条件，在该条件下，存储器被调适以进行新的访问。

FRAM设备中的预充电操作在以下任何条件下启动：
1.驱动芯片使能信号/CE至高电平
2.更改高位地址位（例如，设备FM28V100的A16-A3）

FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。FRAM的读和写周期需要一个初始的“预充电”时间，这可能会增加初始访问时间。

图1：FRAM读写周期

启动预充电操作后，需要花费tPC时间才能完成。由于FRAM中读取的破坏性，如果不回写，则会丢失FRAM单元中的数据。预充电操作可确保将数据安全地写回到FRAM单元中。这是通过使用内部缓冲区来实现的。对于每次访问（读/写），FRAM将所需的数据行从存储单元读取到内部缓冲区。数据在读取操作中从内部缓冲区输出，或者在内部缓冲区中进行写操作修改。在预充电操作期间将其写回到FRAM单元。