实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响

写入FRAM的零时钟周期延迟

一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;所有写操作按总线速率 进行，并非基于存储器延迟。下面两个实例和图1说明写延迟的影响。

实例1:
需要2毫秒将256字节的页面数据通过1MHz 1C总线从控制器传输到EEPROM页面内。然后需要5毫秒将数据写入到EEPROM内。具有密度为1Mbit和页面大小为256个字节的1MHzCEEPROM需要28毫秒来备份1Kb数据（4x2ms+4x5ms）。

然而使用FRAM时，只要8毫秒（4x2ms）便可以将1Kb数据写入到FRAM中。（这时测量数据从控制器传输到EEPROM缓冲区中所需的总时间。）对于EEPROM，需要3.584秒（512x2ms+512x5ms）传输整个1Mbit数据，但对于FRAM，只需要大约1.024秒（512x2ms）。

图1.写入到EEPROM和FRAM中的流程

实例2:
需要100us将256字节的页面数据通过20MHzSPI总线从控制器传输到EEPROM页面中，然后需要5ms将一页的数据传输到EEPROM。具有密度为1Mbit和页面大小为256个字节的20MHzSPIEEPROM需要20.4ms来备份上述的两个实例显示了零时钟周期写入FRAM中的延迟提高非易失性写入性能优于EEPROM。

EEPROM