微电子器件实验 02 - | 图示仪检测MOS管参数

一、实验目的和任务

1、用图示仪检测MOS直流参数；

2、学习并掌握该仪器的基本测试原理和使用方法，并巩固及加深对晶体管原理课程的理解。

二、实验原理

同实验五

三、实验设备

晶体管图示仪：该仪器可在示波管屏幕上直接观察各种直流特性曲线，通过曲线在标尺刻度的位置可以直接读出各项直流参数。

四、实验内容

1、测试场效应管2SK30、IRF830的直流参数。

准备工作：在仪器未通电前，把“辉度”旋至中等位置，“峰值电压”范围旋至0-10伏档，“功耗限制电阻”调到1K档，“峰值电压” 调到0位，“X轴作用”置集电极电压1伏/度档，“Y轴作用”置集电极电流1毫安/度档。接通电源预热10分钟。调节“辉度”和“聚焦”使显示的图像清晰。

晶体管特性图示仪是为普通的NPN、PNP晶体管的特性图示分析而设计的，要用它来检测场效应管，就必须找出场效应管和普通晶体管之间的相似点和不同处。场效应管的源极( S )、栅极( G )和漏极( D )分别相当于普通晶体管的发射极( E )、基极( B )、和集电极( C )。普通晶体管是电流控制元件，而场效应管则是电压控制元件。

五、实验结果

实验数据如实验数据记录表所示。对应的特征曲线如下所示：