MOS管相关

MOS管参数说明：

Vds：DS击穿电压。当Vgs=0V时，MOS的DS能承受的最大电压
Rds（on）：DS的导通电阻。当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id：最大DS电流，会随温度的升高而降低
Idm：最大脉冲漏源电流
Vgs：最大GS电压，一般为-20V~+20V
同步整流buck是采用通态电阻极低的专用MOSFET来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术

如何判断MOS管好坏（B站收藏夹：数字万用表测量检测场效应管MOS管好坏的方法）

先用万用表二极管档测试寄生二极管好坏，然后再用二极管档给GS充电，看D和S是否导通（同时要注意看万用表二极管档的电压是多少，如果太小了则打不开寄生二极管）
但是在测试时，测试gs寄生二极管好坏，再用二极管档测试gs是否被击穿就知道好坏了。

MOS管发热的原因

1）MOS工作在线性状态，而不是开关状态（提升G极电压）
2）Rds（on）太大
3）开关频率太高，在开关时会有损耗

MOS管与对比三级管五大优势

（一）、MOS管没有二次击穿现象，可见采用MOS管作为开关管，其开关管的损坏率大幅度的降低，近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后，开关管损坏率大大降低也是一个极好的证明。

（二）、MOS管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此MOS管的输入电阻比三极管的输入电阻高得多。

（三）、MOS管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以MOS管比三极管的温度稳定性好。

（四）、MOS管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多。

（五）、MOS管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用MOS管。

在只允许从信号源取较少（高输出阻抗）电流的情况下，选用MOS管，达到阻抗匹配目的，适用于低噪高输入电阻的前置电路；在信号电压较低，允许取用电流的情况下，选用三极管。作为开关管，MOS管的效率较高，多用在大电流、高速开关电源上；在环境温度变化较大的场合应使用MOS管。

场效应管和晶体管比较(场效应管特点) :

a.在环境条件变化大的场合,采用场效应管比较合适。
b.场效应管常用来做前置放大器,以提高仪器设备的输入阻抗,降低噪声等。
c.场效应管放大能力比晶体管低。
d.工艺简单,占用芯片面积小,适宜大规模集成电路。在脉冲数字电路中获得更广泛的应用。