随机读写存储器 ( 主存储器组成 && 高性能的主存储器)

主存储器组成实例　　　　　　　　

以DRAM控制器W4006AF为例，说明80386中主存储器的构成方法。

 

(1)W4006AF的外特性 

　　　① 可以控制两个存储体交叉访问；

　　　② 可以对256KB—16MB的DRAM片子进行访问；

　　　③ 最多可控制128个DRAM片子；

　　　④ 采用CAS 在RAS 之前的刷新方式。

　　　具体的引脚功能请同学们参看教材。

(2)主存储器组成

用W4006AF控制器构成存储器时，几乎不需要外加电路，直接把W4006AF同CPU和DRAM双方进行连接即可。 

要对主存容量进行扩充，只需扩充DRAM芯片数量或更换存储容量更大的DRAM芯片即可。

 

 

高性能的主存储器　　　　　　　　

1.EDRAM芯片

 　EDRAM芯片又称增强型DRAM芯片，它在DRAM 芯片上集成了一个SRAM实现的小容量高速缓冲存储器，从而使DRAM芯片的性能得到显著改进。

 

以SRAM保存一行内容的办法，对成块传送非常有利。如果连续的地址高11位相同， 意味着属于同一行地址，那么连续变动的9位列地址就会使SRAM中相应位组连续读出，这称为猝发式读取。

.EDRAM内存条

　一片EDRAM的容量为1M×4位，8片这样的芯片可组成1M×32位的存储模块。

8个芯片共用片选信号Sel、行选通信号RAS、刷新信号Ref和地址输入信号A0—A10。当某模块被选中，此模块的8个EDRAM芯片同时动作，8个4位数据端口D3—D0同时与32位数据总线交换数据，完成一次32位字的存取。

 

主存物理地址的存储空间分布

 

最大可访问主存空间为256MB，实际只安装了16MB的DRAM。 　　存储空间分成基本内存、保留内存、扩展内存几部分。