笔记：模电-1.1半导体

目录

1.半导体基础知识

2.PN结

3.PN结的电容效应

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1.半导体基础知识

• 常用的半导体材料：硅（Si）、锗（Ge）
• 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体/即 无杂质 稳定
• 空穴：本征半导体由于热运动，价电子会脱离共价键束缚，成为自由电子，同时，共价键中留下一个空位，即空穴（原子因失去一个价电子而带正电，或者一般，我们就习惯说——空穴带正电）
• 复合：就是指空穴和一个自由电子碰到一起，重新在一起形成共价键
• 载流子：运载电荷的粒子；本征半导体中由两种载流子-自由电子和空穴
• N型半导体：在本征半导体中参入五价元素（如磷），就形成了N型半导体。N型半导体的自由电子浓度>空穴的浓度，故称自由电子为多数载流子（多子），空穴为少数载流子（少子）

解释：磷取代原来本征半导体的元素，可能是硅可能是锗，然后磷原子外围有五个电子，在和其他硅原子形成共价键后，还会多出来一个电子。下面同理，少一个电子

• P型半导体：~参入三价元素（如硼），就形成了P型半导体，空穴浓度>自由电子浓度，那么此时空穴为多子，电子为少子

2.PN结

• 首先，PN结具有单向导电性（很重要）——正向导通，反向截至。
• PN结形成：PN半导体结合，由于浓度差，导致多子的扩散运动，那么就会在中间区域形成 空间电荷区 ，该区域的形成导致——内电场的形成，那么在内电场的电场力作用下，就会形成载流子的运动，即漂移运动（P 区的少子电子向 N 区运动, N 区的少子空穴向 P 区运动）。   //内电场是阻碍多子的扩散，有利于少子的飘移// 当进行扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡时，PN结就形成了。

重点：1. 这里，要明白扩散运动和漂移运动是什么，并且知道其形成原因 漂移运动——一定说的是少子 切记

           2. 外加内电场对多子和少子的影响 

红字均有标出 要明白 

•  上图所示，就是PN结加正向电压的示意图，此时PN结——导通.耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结导通

注1：正向导通——P接正级，N接负极 // 很容易因为N型半导体加P磷元素而弄混
       反偏反接即可

注2：上图中的外接电阻R，必须要有，其作用是限流 **具体原因后面会说**

• 上图所示，为PN结加反向电压的示意图，此时PN结——截止
• 因为反向电压，耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，那么这个时候其实是有漂移电流存在的，但是由于电流很小，故而近似认为其截至。

额外解释：1.半导体在环境温度升高时，其内部热运动加剧，那么此时挣脱共价键的电子就会增多，那么也就是说——自由电子和空穴的浓度都会加大

                  2.在杂质半导体中，温度变化，载流子数目的变化是一样的（多子和少子的变化数目是一样的，因为你多一个自由电子，同时就会多一个空穴）

                  3.但浓度的变化是不一样的，因为多子少子的基数是不一样的，即分母是不一样的，虽然变化的数目是一样的，但明显少子的浓度变化是更多的，所以——**少数载流子是影响半导体器件温度稳定性的主要原因**，原因：当温度变化时，他的相对变化会非常大

                  4.那么再看上图，在加反向电压时，外加电场不变，温度上升，就会导致反向电流增大，且增大速度极快，即少数载流子是影响半导体器件温度稳定性的主要原因

3.PN结的电容效应

•  势垒电容与扩散电容之和即为 结电容
• 结电容主要是想告诉我们：1.结电容不是常量（和器件型号，外加电压电流等都是有关系的）                                             2.PN结外加电压频率高到一定程度时，则会失去单向导电性

小解释：结电容有电容特性，那么容抗，当w增大时（即频率上升），容抗就会减小，那么当太大时，就会短路。

•  综上，当我们现在再考虑半导体器件时，一想有PN结，那么就应该知道一定有最高频率的限制