模电之半导体

半导体

本征半导体
本征激发（受温度影响很大 出现空穴和自由电子对）
复合
N型半导体（掺杂5价元素）
自由电子是多数载流子，空穴是少子，不带电（电中性）
P型半导体（掺杂3价元素）
空穴是多数载流子，自由电子是少子，不带电（电中性）
迁移率 自由电子大于空穴（好理解 因为自由电子是移动的 而空穴是被动移动的）
漂移运动（少子运动（本征激发产生 所以受温度的影响大） 内电场的作用）
扩散运动（多子运动 浓度差的作用）

PN结

P的多子空穴 和N的多子自由电子 向PN的接触面相互靠近
形成内电场 （这个内电场 呢 是有N指向P 因为N是正离子 P是负离子）
内电场会阻碍扩散运动 增强漂移运动
P+,N-（正向偏置）
外加的电源 所带来的电流
1.增强了扩散运动（多子运动） 故电流很大
2.减弱了漂移运动（少子运动），减弱了内电场 ，内电场的宽度减小
P-,N+（反向偏置）
外加的电源 所带来的电流
1.增强了漂移运动（少子运动） 故电流很小
2.减弱了漂移运动（少子运动），增强了内电场 ，内电场的宽度变小
雪崩击穿 （漂移运动 导致的 ）
齐纳击穿
硅和锗 想比 由于禁带宽度（硅比锗大 故硅的热稳定性好）

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二极管

1.指数特性 公式要记好！！
1>.正向特性 主要是四区电压
2>.反向特性

直流电阻
图片最后的红色字重要

交流电阻
切线斜率的导数（然后注意交流电阻远远小于直流电阻）

温度特性
1.反向饱和电流 是少子运动产生，故和温度成正比
2.Uo 多子运动 温度反比

不适合高频电路 （会影响电容） 主要是研究低频电路

这三个模型特别重要
尤其是第二个（）和第三个（相当于开关）

首先判断是正偏还是反偏

第一道题目

二极管的应用

最后一个 很有意思（&）电路