模电学习笔记（1）

1.导论

1.1模电学习的是什么？怎么学？学习目标是什么？

①学习的各种概念、基本电路有哪些、基本分析方法有哪些。在实际分析设计中，是需要根据具体需求选择电路、分析电路。

②最终目标：

1. 会看图，做定性分析；
2. 会计算，能够根据图或者根据设计需求来计算一些基本参数；
3. 会选器件，根据需求得到需要的电路、器件，计算出参数；
4. 会调电路，可以熟练使用各种软件和器件；

1.2模电发展历史

    ①晶体管（1947）→集成电路（1958）

1.3模拟电路和数字电路

    数字信号：离散性；

    模拟信号：连续性；

    模拟电路：最基本的处理是放大。

模拟电路特点：①强调定性分析，分析功能、作用；②再进行定量估算；③在设计电路时，要时刻搞清楚自己的电路是为了干什么，电路上的需求是什么；④在分析电路时，要能够针对半导体器件做出合理的等效电路模型；

• 2半导体器件
• 2.1基础知识

①半导体的导电原理：电子公有化运动→共价键束缚电子→热运动导致电子挣脱束缚→在0K温度下，将会是绝缘体；

②本征半导体和掺杂半导体：本征半导体是指纯净的半导体、掺杂半导体是指掺杂有特定离子的半导体；

③半导体中的导电粒子：载流子，即自由电子和空穴，在外加电场的作用下，会产生电流；

2.1.1杂质半导体

①N型半导体：掺杂了5+元素，除了提供四个共价键之外，还会多出一个自由电子，即构成了多数载流子——电子，少数载流子——空穴，少数载流子是影响半导体温度稳定性的主要因素；

①P型半导体：掺杂了3+元素，只能提供三个共价键，因此会多出一个空穴，即构成了多数载流子——空穴，少数载流子——自由电子，少数载流子是影响半导体温度稳定性的主要因素；

③温度变化时，少子和多子的变化数目相同，但是少子浓度会发生较大的变化，因此少子是影响半导体温度稳定性的主要因素

2.1.2PN结的形成及单向导电性

①P型半导体的空穴会向N型半导体内扩散，N型半导体的自由电子会向P区扩散，即扩散运动；扩散之后，在N区和P区的交界面会产生空间电荷区，形成电势差，因此形成内电场。因为N区在交界面电子浓度减少，因此会带正电，P区在交界面整体带负电，所以电场方向由N指向P，这样就使得电子从P在流向N，空穴从N流向P，即少数载流子的漂移运动。正常情况下，扩散运动和漂移运动在交界面达到动态平衡；

②单向导电性：P接正，N接负，正接，就会产生从P到N的外加电场，从而削弱漂移运动，增加扩散运动，同时就会导致多子得到不断的补充，就会导致扩散运动大于漂移运动，产生源源不断的电流；P接负，N接正，反接，产生从N到P的外加电场，因此扩散运动会被抑制，漂移运动加强，但是少子是有限的，因此（不太理解，为什么小的反向电压下会一致有一个小电流，漂移）

2.1.3PN结的电容效应

①势垒电容Cb：外部电场变化时，空间电荷区的宽度变化；

②扩散电容Cd：外部电场变化时，电荷的浓度及其梯度变化；

③结电容：C=Cb+Cd；

• 2.2半导体二极管
• 2.2.1二极管的组成

①点接触型：结电容小，最高工作频率高，但是允许通过的电流小；

②面接触型：结电容大，最高工作频率小，但是允许通过的电流大；

2.2.2二极管的伏安特性及电流方程

（引用）

 

①开启电压：由于二极管引脚电阻、PN结内的扩散运动和漂移运动的平衡，打破了这个平衡，就实现了正向导通。这一平衡电压就是开启电压；Si大致在0.5V左右，Ge大约是在0.1V左右；

②反向饱和电流：添加较小的反向电压时，由于漂移运动增强，导致产生较小的电流（为什么在较小反向电压的情况下，平衡会被打破呢？为什么在正向较小的电压情况下，平衡会保持呢？）Si：1uA以下，Ge：几十uA；

③击穿电压：反向电压过大的时候，最外层电子就会获得较大的能量从而挣脱束缚，就会破环PN结的结构，实现结击穿；

④温度升高之后，开启电压减小、Is（饱和电流）增大，主要是由于热运动增强，少子的浓度变化较大。（为什么开启电压会减小？）

2.2.3二极管的等效电路

 （引用）

①静态分析

 （引用）

 

②动态分析，即在直流电压上再加一个交流电压

2.2.4二极管的主要参数

①最大整流电路：限制二极管的最大正向电流（防止PN结烧坏）；

②反向击穿电压：限制反向电压的最大值；

③反向电流IR(Is)：表征二极管的单向导电性；

④最高工作频率：因PN结有电容效应，如果超过最高工作频率，PN结会失去其单向导电性；

2.2.5稳压二极管

①工作在反向击穿区域，也就是稳压管；也就是在反向击穿之后，在一定电流范围内，端电压几乎是不变的，此为稳定电压；