第一章 常用半导体器件
1.1.1 本征半导体
1.半导体
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的材料
2.本征半导体
本征半导体是纯净的,具有晶体结构的半导体
本征半导体的晶体结构
以硅原子来解释,每个硅原子为4价,需要与其他硅原子形成4个共价键,达成一个相对稳定的结构
平面 / 理想 实际(类正四面体结构)
价电子(valence electron)指原子核外电子中能与其他原子相互作用形成化学键的电子,为原子核外跟元素化合价有关的电子。主族元素的价电子就是主族元素原子的最外层电子 价电子百度百科
价电子是导不了电的,导电要靠自由电子
3.载流子
本征激发
当本征半导体没有处于绝对零度时,价电子会发生热运动,可能逃脱共价键的束缚,从而形成自由电子,而原来价电子的位置会形成一个空穴,这个过程就叫做本征激发
自由电子可以导电,而在电场的作用下,价电子可以顺电场方向无损失的移动填补空穴,导致空穴的相对移动。故,自由电子和空穴都属于载流子
复合
当自由电子自由运动恰好至空穴中,会重新复合形成共价键的价电子
4.载流子的浓度
半导体的导电性与载流子的浓度有关 (浓度越高,导电性能越强)
载流子的浓度与温度相关。 温度从T0升高至T1,升高的瞬间,本征激发立即加大,产生载流子的速度加大,但是复合的速度没法骤升(复合速度与载流子的浓度相关,好比两个同学在一个教室里乱撞,和一百个同学相比,后者相撞的概率更大),这导致了载流子的浓度升高。后面复合慢慢加大,导致在某一个浓度实现动态平衡
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体是本征半导体掺入少量杂质形成的,使其导电能力提高的半导体
1. N型半导体
掺入P原子(+5价)的本征半导体(以硅原子为例)
一个磷原子只需要用四个电子就能和其他硅原子形成共价键,而剩下的一个电子很容易变成自由电子。与本征半导体相比,载流子中的自由电子大大增加成为多数载流子(多子),而在同等条件下空穴会大大减小成为少数载流子(少子)
自由电子带负电,故此类半导体叫做N(Negative)型半导体,但整个N型半导体是呈电中性的知乎解释
2. P型半导体
掺入B原子(+3价)的本征半导体(以硅原子为例)
同理,一个硼原子需要用四个电子就能和其他硅原子形成共价键,也就是说还需要在拆一个电子到外部,而内部就会多一个空穴。与本征半导体相比,载流子中的空穴大大增加成为多数载流子(多子),而在同等条件下自由电子会大大减小成为少数载流子(少子)
空穴带正电,故此类半导体叫做P(Positive)型半导体,但整个P型半导体是呈电中性的
1.1.3 PN结
1. PN节的形成
1)扩散作用:P型半导体的空穴和N型半导体的自由电子会由于浓度的梯度力分别向对方移动,在P、N型半导体的交界处进行“交战”,即一一抵消
2)形成空间电荷区:“交战区”的载流子会尽数抵消消失,在此形成“无人区”——空间电荷区,空间电荷区会形成电场阻止载流子继续进入空间电荷区,但是仍会有较强的载流子能够通过空间电荷区到对面进行抵消
空间电荷区:耗尽层,阻挡层,PN结
3)漂移运动:实际上,P、N型半导体并不会完全抵消最后消失,P、N型半导体的少子(分别为自由电子和空穴)会受到PN结的拉力从而到达“对方领地”,补充对方的多子。在一定条件下,多子的扩散运动会和少子的漂移运动达成动态平衡
如果PN结两侧的载流子浓度相同,将会形成对称结;如果不相等,则形成不对称结
2.PN结的单向导电性
加正向电压(P->N)导通
加反向电压(N->P)截止
加反向电压时一定没有电流吗? 不,加反向电压时,漂移运动加强,少子会导电,但是少子能导的电流微乎其微,受温度的影响很大,该电流叫做反向饱和电流