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第一章 常用半导体器件

1.1.1 本征半导体

1.半导体

        半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的材料

2.本征半导体

       本征半导体是纯净的，具有晶体结构的半导体

本征半导体的晶体结构

以硅原子来解释，每个硅原子为4价，需要与其他硅原子形成4个共价键，达成一个相对稳定的结构

                         平面 / 理想                                                  实际(类正四面体结构)

价电子（valence electron）指原子核外电子中能与其他原子相互作用形成化学键的电子，为原子核外跟元素化合价有关的电子。主族元素的价电子就是主族元素原子的最外层电子 价电子百度百科

价电子是导不了电的，导电要靠自由电子

3.载流子

本征激发

        当本征半导体没有处于绝对零度时，价电子会发生热运动，可能逃脱共价键的束缚，从而形成自由电子，而原来价电子的位置会形成一个空穴，这个过程就叫做本征激发

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自由电子可以导电，而在电场的作用下，价电子可以顺电场方向无损失的移动填补空穴，导致空穴的相对移动。故，自由电子和空穴都属于载流子

复合

        当自由电子自由运动恰好至空穴中，会重新复合形成共价键的价电子

4.载流子的浓度

        半导体的导电性与载流子的浓度有关 (浓度越高，导电性能越强)

        载流子的浓度与温度相关。  温度从T0升高至T1，升高的瞬间，本征激发立即加大，产生载流子的速度加大，但是复合的速度没法骤升(复合速度与载流子的浓度相关，好比两个同学在一个教室里乱撞，和一百个同学相比，后者相撞的概率更大)，这导致了载流子的浓度升高。后面复合慢慢加大，导致在某一个浓度实现动态平衡

1.1.2 杂质半导体

        杂质半导体是本征半导体掺入少量杂质形成的，使其导电能力提高的半导体

1. N型半导体

        掺入P原子(+5价)的本征半导体(以硅原子为例)

一个磷原子只需要用四个电子就能和其他硅原子形成共价键，而剩下的一个电子很容易变成自由电子。与本征半导体相比，载流子中的自由电子大大增加成为多数载流子(多子)，而在同等条件下空穴会大大减小成为少数载流子(少子)

自由电子带负电，故此类半导体叫做N(Negative)型半导体，但整个N型半导体是呈电中性的知乎解释

2. P型半导体

        掺入B原子(+3价)的本征半导体(以硅原子为例)

同理，一个硼原子需要用四个电子就能和其他硅原子形成共价键，也就是说还需要在拆一个电子到外部，而内部就会多一个空穴。与本征半导体相比，载流子中的空穴大大增加成为多数载流子(多子)，而在同等条件下自由电子会大大减小成为少数载流子(少子)

空穴带正电，故此类半导体叫做P(Positive)型半导体，但整个P型半导体是呈电中性的

1.1.3 PN结

1. PN节的形成

        1）扩散作用：P型半导体的空穴和N型半导体的自由电子会由于浓度的梯度力分别向对方移动，在P、N型半导体的交界处进行“交战”，即一一抵消 

        2）形成空间电荷区：“交战区”的载流子会尽数抵消消失，在此形成“无人区”——空间电荷区，空间电荷区会形成电场阻止载流子继续进入空间电荷区，但是仍会有较强的载流子能够通过空间电荷区到对面进行抵消

        空间电荷区：耗尽层，阻挡层，PN结

        3）漂移运动：实际上，P、N型半导体并不会完全抵消最后消失，P、N型半导体的少子(分别为自由电子和空穴)会受到PN结的拉力从而到达“对方领地”，补充对方的多子。在一定条件下，多子的扩散运动会和少子的漂移运动达成动态平衡

如果PN结两侧的载流子浓度相同，将会形成对称结；如果不相等，则形成不对称结

2.PN结的单向导电性

加正向电压(P->N)导通

加反向电压(N->P)截止

加反向电压时一定没有电流吗？                                                                                                                 不，加反向电压时，漂移运动加强，少子会导电，但是少子能导的电流微乎其微，受温度的影响很大，该电流叫做反向饱和电流

3.PN结的电流方程