TDDFT揭示电子诱导的半导体/氧化物界面缺陷产生机制

文章信息

标题：Electronically induced defect creation at semiconductor/oxide interface revealed by time-dependent density functional theory. Physical Review B 104, 115310 (2021)

文章链接：
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.115310

作者：Yue-Yang Liu, Zhongming Wei, Sheng Meng, Runsheng Wang, Xiangwei Jiang, Ru Huang, Shu-Shen Li, and Lin-Wang Wang

研究背景

晶体管中的热载流子退化（hot carrier degradation）问题，自20 世纪70 年代被指出以来，经历了漫长的研究依然困惑着科研人员和工程师们。在研究初期，人们普遍认为问题的根源在于沟道中靠近漏极的载流子能量太高，这些高能量载流子会注入栅介质（SiO2）内部形成漏电流，或者直接撞击Si/SiO2界面的Si-H键导致界面缺陷产生。然而，随着晶体管尺寸的不断减小以及工作电压的不断降低，人们发现即使沟道载流子能量较低时，热载流子退化问题依然存在，于是逐渐意识到低能量的载流子也可能以某种方式对器件界面造成破坏。

通过一些实验现象，人们推测出了一种多重振动激发（multiple vibrational excitation, MVE）机制，即低能量的电子