TDDFT揭示电子诱导的半导体/氧化物界面缺陷产生机制

最新推荐文章于 2024-08-10 20:20:00 发布

龙讯旷腾

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文章标签：物理学量子力学

本文链接：https://blog.csdn.net/PWmat/article/details/124587032

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文章信息

标题：Electronically induced defect creation at semiconductor/oxide interface revealed by time-dependent density functional theory. Physical Review B 104, 115310 (2021)

文章链接：
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.115310

作者：Yue-Yang Liu, Zhongming Wei, Sheng Meng, Runsheng Wang, Xiangwei Jiang, Ru Huang, Shu-Shen Li, and Lin-Wang Wang

研究背景

晶体管中的热载流子退化（hot carrier degradation）问题，自20 世纪70 年代被指出以来，经历了漫长的研究依然困惑着科研人员和工程师们。在研究初期，人们普遍认为问题的根源在于沟道中靠近漏极的载流子能量太高，这些高能量载流子会注入栅介质（SiO2）内部形成漏电流，或者直接撞击Si/SiO2界面的Si-H键导致界面缺陷产生。然而，随着晶体管尺寸的不断减小以及工作电压的不断降低，人们发现即使沟道载流子能量较低时，热载流子退化问题依然存在，于是逐渐意识到低能量的载流子也可能以某种方式对器件界面造成破坏。

通过一些实验现象，人们推测出了一种多重振动激发（multiple vibrational excitation, MVE）机制，即低能量的电子依次与界面Si-H键发生作用，每次作用给Si-H键一部分能量，直到Si-H键积累足够的能量而断开。该机制在微电子领域获得了比较广泛的认可，但是由于缺乏直接证据，该机制始终被认为是推测性的，而且其中令人质疑的地方依然显著。首先，文献报道Si-H键的反键态在Si的CBM上方3eV左右，而现代极小晶体管沟道中电子的能量只有1eV左右，这些低能量电子隧穿到Si-H键反键态从而把能量传递给Si-H键的概率是极小的。其次，Si-H键的声子寿命只有1-1.5 ns，在如此短的时间内发生大量电子与Si-H键的相互作用的概率，也是极小的。这些小概率事件与普遍存在的器件退化现象之间难以形成令人信服的关联。

总而言之，热载流子退化问题是一个存在了很多年但是依然未被深入认识的问题，其根本原因在于它是一个既包含了电子激发又包含电子与声子相互作用的动力学过程，同时它又与复杂的半导体-氧化物微观界面环境紧密关联，无论是实验测量还是单纯解析计算都无法对其进行精确揭示。

文章简介

近日，中国科学院半导体研究所的刘岳阳博士与合作者基于实时含时密度泛函理论（rt-TDDFT）以及具体的Si/SiO2界面模型对热载流子退化问题进行了深入研究。研究表明，电子本身很难对Si/SiO2界面的Si-H键造成实质性破坏，这是由Si-H键反键态能量较高、Si-H电子态与晶体硅电子态耦合强烈以及Si-H键断键势垒较高三种因素共同决定的。然而，当考虑到具体的界面环境，比如Si-H键附近存在额外的H原子时，上述三种阻碍Si-H键断裂的因素都会减弱，包括Si-H键反键态能级降低，Si-H电子态局域性增强，以及Si-H键断键势垒降低，从而大大增加MVE机制生效以及Si-H键断裂的可能。通过考虑半导体器件在H2中退火的工艺过程，作者推断出了一种在SiO2界面很容易形成的“Si-H···H-O”局域构型，即在Si-H键附近的O原子上吸附一个额外H原子的构型。该构型在基态时是稳定结构，但是当有电子注入时，两个H原子会相互吸引形成H2分子，同时造成Si悬挂键缺陷的产生。这种电子注入引起的Si-H键断裂过程通过TDDFT模拟得到了完整的动态展示。因此，作者认为H2退火工艺引入的“Si-H···H-O”局域构型是器件界面缺陷产生以及器件性能退化发生的中心和重要根源。

上述工作已发表于Physical Review B，工作中的TDDFT模拟计算均采用PWmat软件包。此工作的开展得到了美国劳伦斯伯克利国家实验室汪林望教授、中科院物理所孟胜研究员以及北京大学王润声教授的大力支持。