CMOS Sensor介绍

引言

随着应用领域不断发展,CMOS 图像传感器(CMOS Image Sensor Chip,CIS)制造工艺不断进步,一直朝着高灵敏度、高分辨率、高动态范围、高集成化等方向发展[1-4]。CMOS 图像传感器性能的改善也朝着对信噪比的提高、动态范围的增大、暗电流的减少以及灵敏度的提高。
其中,灵敏度是指 CMOS 图像传感器对光的响应程度[5-12]。灵敏度是 CMOS 图像传感器最重要的指标之一,提高灵敏度有利于提高 CMOS 图像传感器对更加微弱信号的接收,拓宽在更暗场景、科学探测等领域的应用[13,14]。提升图像传感器灵敏度的因素有很多,如光学吸收效率、量子效率等等。

CMOS图像传感器的工作原理

CMOS 图像传感器主要工作原理如图1所示,一系列光子打到像元(pixel)表面,光子被像元吸收后,激发产生一系列电子空穴对;电子被存储在电容上,转化为电压信号;电压信号经过一个模拟数字转化电路(Analog to Digital Converter,ADC)转换成数字信号,并输出。
典型的 CMOS 探测器内部模块组成如下图所示，在芯片上包括模拟信号处理电路，A/D 转换电路，总线控制电路，白平衡和曝光控制电路，数模转换电路，光敏感单元阵列，行选择、列选择电路模块。
片上模拟信号处理电路主要执行相关双采样功能，可以起到滤除图像噪声的作用[23]。片上 A/D 转换器最小可以达到像素级，即每一个像素有一个 A/D 转换器实现模拟信号到数字信号的转换。近几年出现的数字 CMOS 图像传感器已经实现像素级的 A/D 转换器[24]。CMOS 传感器内部集成了各种用于控制传感器工作的寄存器，通过总线编码对曝光时间、增益、白平衡等进行校准。
根据图像传感器像元结构的不同，将 CMOS 图像传感器分为有源（APS）、无源（PPS）和数字（