零偏运放的原理及优缺点

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已于 2023-07-31 21:14:39 修改

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文章标签：硬件工程

于 2023-07-31 18:03:51 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/Rabit5147154/article/details/131979422

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2.2 输入偏置电流(Ibias)及失调电流(Ios)

2.3 不同运放的噪声对比

2.4 输出建立时间/退饱和时间

运放的IN+和IN-输出是两个PN对，由于工艺和设计上没办法将两对管子做到完全匹配，因此导致运放工作时IN+和IN-之间存在一个压差，即规格书的Vos（offset voltage)。Vos在电路中相当于运放输入级增加了一个固定的直流偏置；因此当在小信号放大或者高增益放大电路中，Vos会引入较大的偏差，因此需要通过一些手段将偏置电压减掉。

偏置电压可以通过系统内部的ADC、主控通过采样标定等手段减掉，但是需要有相应的设备支撑标定，需要的代价会比较高，另外一种方式是选用零偏(Zero-Drift)的运算放大器，也有些叫自动归零运放（Auto-zero amplifier)。

关于零偏运放，有很多文章和资源介绍，本文也只是借用他人的成果，作为个人学习的小结，以下特推荐两篇文章和一个视频。

TI的《Auto-zero amplifiers ease the design of high-precision circuits》，从公式上推导了零偏运放是如果减小offset电压的影响。

https://www.ti.com/lit/an/slyt204/slyt204.pdf?ts=1690457177308&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.ch%252Fhttps://www.ti.com/lit/an/slyt204/slyt204.pdf?ts=1690457177308&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.ch%252F

ADI的《Ask The Applications Engineer-39:Zero Drift Operational Amplifiers》

https://www.analog.com/en/analog-dialogue/articles/zero-drift-operational-amps.htmlhttps://www.analog.com/en/analog-dialogue/articles/zero-drift-operational-amps.html

Microchip在Youtube上有一期运放的研讨会视频《Zero Drift Operational Amplifiers Webminar》，详细介绍了零偏运放与普通运放的优势、劣势及应用影响。

https://www.youtube.com/watch?v=g9QTIQ72hTohttps://www.youtube.com/watch?v=g9QTIQ72hTo

1.零偏运放的种类

零偏运放，从内部实现方式上可以分为三种，自动调零式(Auto-Zero)，斩波形式(choppers)以及混合模式(Auto-Zero and chopper)。

1.1 自动调零运放

如下图所示，自动调零运放内部简化电路，内部A_M代表主运放增益，而A_N代表调零运放增益，其他参数依次类推。整个电路工作可以分为两个阶段。

图1.1 自动调零运放简化电路

第一阶段：S1和S2均打到位置1

此时两片运放的输出分别如下：

$V_{ON}=V_{C1}=V_{OSN}\cdot A_{N}-B_{N}\cdot V_{C1}$ (1)

$V_{OM}=(V_{IN}+V_{OSM})\cdot A_{M}+B_{M}\cdot V_{C2}$ (2)

由式（1）可得

$V_{C1}=V_{OSN}\cdot \frac{A_N}{1+B_N}$ (3)

第二阶段：S1和S2均打到位置2

$V_{ON}=V_{C2}=(V_{IN}+V_{OSN})\cdot A_{N}-V_{C1}\cdot B_{N}$ (4)

在这一阶段，主运放的输出公式与前一阶段相同，将式(2)（3）(4)联立得到

$V_{OM}=(V_{IN}+V_{OSM})\cdot A_M+B_M\cdot A_N(V_{IN}+\frac{V_{OSN}}{1+B_N})$ (5)

在芯片设计上，主运放和调零运放选取相同的参数，有 $A_M=A_N$ ， $B_M=B_N>>1$ ，式(5)可以简化为下式：

$V_{OM}=V_{IN}\cdot A_N\cdot B_N+(V_{OSM}+V_{OSN})\cdot A_N$ (6)

继续化简式(6)得到

$V_{OUT}=V_{OM}=A_N\cdot B_N(V_{IN}+\frac{V_{OSM}+V_{OSN}}{B_N})$ (7)

根据式(7)可以看到，整个电路的等效增益为 $k=A_N\cdot B_N$ ，而offset电压由 $V_{OSM}+V_{OSN}$ 变为了 $\frac{V_{OSM}+V_{OSN}}{B_N}$ ，通常 $B_N$ 都是10000甚至更高，因此如果运放初始的offset是mV级，经过这个电路，等效的offset电压就变为uV级，达到了近似“零”偏压的效果。

1.2 斩波型零偏运放

下图所示为新的斩波型零偏运放架构，其中主回路包括Gm1、Gm2、CHOP1和CHOP2，CHOP1和CHOP2将原1/f噪声、Vos1调制成方波，CHOP3采集CHOP2之后的波形，并将波形解调制还原为DC量，Gm4将Gm1输出的直流量调零（即将Vos1调零)，在反馈通路上还有一个陷波器(SC Notch filter)，用于滤除choper的频率。斩波形运放的输出仍然会存在一些chopper时钟同步的干扰，因此入往需要在输出增加一些滤波。

图1.2 斩波型零偏运放示意图

图1.3和图1.4显示了chopper电路的时域和频域波形，总体原理就是通过chopper将Vos变成调制信号，最终低通滤波将Vos调制后的信号滤掉或者通过反馈回路将Vos减掉。

图1.3 chopper工作电路的时域波形

图1.4 斩波型运放的频域波形

除了上述两种方式以外，还有其他的几种方式减小运放本身的offset，比如出厂通过标定环节trim运放内部的电路，将运放Vos调到较小的值等。

2. 不同类型运放的特性对比

2.1 Vos特性对比

普通运放、Trimmed运放、系统校正及零偏运放的Vos老化、温漂、随偏置电压情况的变化各均不相同，以下是Microchip将不同类型的运放对比后的数据。

Vos老化特性对比：普通运放>trimmed运放>系统校准>零偏运放

Vos温漂特性:普通运放>trimmed运放>系统校准>零偏运放

图2.1 老化特性(左)和温漂特性(右)

运放本身的Vos会受电路中运放的电压VDD、共模偏置电压Vcm以及输出电压Vout的影响，这里的数据仅供参考，现在许多通用运放的性能也做得很好，Vos受这些电压的影响在几十uV，但是确实会比零偏运放要大，可以根据真实系统的需求来进行选择。

零偏运放的Vos特性参数很好，但是带宽偏低，成本较高，最好还是根据系统需求来选用，如果系统中本来就在出厂做标定，标定效果也可以满足系统要求，那么零偏运放也不一定是必选项。

图2.2 Vos与Bias电压(供电、共模电压、输出电压)关系

2.2 输入偏置电流(Ibias)及失调电流(Ios)

理想运放的IN+和IN-管脚不会有电流消耗，但是真实的运放这两个管脚仍然存在漏电，输入偏置电流是IN+和IN-两管脚的电流平均值，而失调电流是两管脚电流差值；对于零偏运放来说，内部开关的寄生电容会构成一个电流通道，可能一个管脚是sink电流，另外一个管脚是source电流，这就导致失调电流Ios比偏置电流Ibias大许多，对于小电流的应用，这两个规格需要纳入考虑范围。

2.3 不同运放的噪声对比

不同类型的运放，本身的噪声频谱会有影响，图2.3是三种不同类型运放的噪声频谱对比。

对于零偏运放来说，1/f噪声等效为了Vos的一部分，零偏运放本身在降低Vos的同时也会降低1/f噪声；但是不同类型的零偏运放，噪声频偏还是有很大差异。

其中自调零的运放内部通过采样保持电路抵消offset电压影响，采样频率与信号频率的混叠会混入到运放带内；斩波型运放低频的噪声是最低的，通过chopper电路可以将1/f噪声基本消除，但是内部有chopper的同频噪声以及相应的奇次谐波，不过斩波型运放内部一般都有低通滤波或者notch filter，将斩波频率滤除；但是，内部主回路与校正回路之间可能还会有存在一些拍频噪声，如图8.6中蓝色曲线的19kHz的频率点。