Nor flash

NOR Flash和NAND Flash

NOR Flash和NAND Flash是市场上两种主要的非易失闪存技术。

NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），代码可以直接在Flash内运行，不必把代码读到RAM中；在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益；写入和擦除速度很低。 NAND Flash提供较高的存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND Flash需要特殊的系统接口。NAND Flash有多种类型：

SLC(Single-Level
Cell，单层单元)SSD在每个单元中存储一个Bit，这种设计提高了耐久性、准确性和性能。价格最高。

MLC(Multi-Level
Cell，多层单元)架构可以为每个单元存储2个Bit。在存储单元中存储多个Bit能够很好地利用空间，在相同空间内获得更大容量，但它的代价是使用寿命降低，可靠性降低。

TLC(Triple-Level
Cell，三层单元)每个单元存储3比特，通常用于性能和耐久性要求相对较低的消费级电子产品。最适合于包含大量读取操作的应用程序。

eMMC Boot分区

eMMC是embedded
MultiMediaCard的简称。MultiMediaCard，即MMC，是一种闪存卡(Flash Memory Card)标准，它定义了MMC的架构以及访问Flash Memory的接口和协议。而eMMC则是对MMC的一个拓展，以满足更高标准的性能、成本、体积、稳定、易用等的需求。

eMMC的整体架构如图一所示。目前，大部分移动设备中所使用的eMMC内部的Flash Memory都属于NAND Flash。

Flash Memory

eMMC在内部对Flash Memory划分了几个主要区域，如图二所示。

1. Boot Area Partition 1 & 2

主要用于存储Bootloader，支持SOC从eMMC启动系统。

两个 Boot Area
Partitions 的大小是完全一致的，由 Extended CSD register的 BOOT_SIZE_MULT Field 决定，大小的计算公式：

Size =
128Kbytes x BOOT_SIZE_MULT

一般情况下，Boot Area
Partition 的大小都为 4 MB，即
BOOT_SIZE_MULT 为 32，部分 芯片厂家会提供改写 BOOT_SIZE_MULT 的功能来改变 Boot Area Partition 的容量大小。 BOOT_SIZE_MULT 最大可以为 255，即 Boot Area Partition 的最大容量大小可以为255 x 128 KB = 32640 KB = 31.875 MB。

2.RPMB Partition

RPMB是Replay
Protected Memory Block的简称，它通过HMAC SHA-256和 Write Counter来保证保存在RPMB内部的数据不被非法篡改。在实际应用中， RPMB分区通常用 来保 存安全相关的数据，例如指纹数据、安全支付相关的密钥等。

3.General Purpose
Partition 1~4

此区域则主要用于存储系统或者用户数据。General Purpose Partition在芯片出厂时， 通常是不存在的，需要主动进行配置后才会存在。

4.User Data Area

此区域则主要用于存储系统和用户数据。

Flash
Controller

NAND Flash直接接入Host时，Host端通常需要有NAND
Flash Translation Layer，即NFTL或者NAND
Flash文件系统来做坏块管理、ECC等的功能。

eMMC则在其内部集成了Flash Controller，用于完成擦写均衡、坏块管理、ECC校验等功能。相比于直接将NAND Flash接入到Host端，可以减少Host端软件的复杂度。同时，eMMC通过使用Cache、Memory Array等技术，在读写性能上也比NAND Flash要好很多。

汇总和比较

Cypress做的关于NOR Flash、SLC
NAND和eMMC在嵌入式系统booting中性能的比较

结论是尽管SLC NAND和eMMC单位容量价格更低，但NOR Flash仍是嵌入式系统booting设备的最佳选择。