关于FC设备Map 系统的一些需求思考

FC设备 需要读取 Wafermap（所有情况） 以及 Stripmap（多Unit情况下，Strip 不良识别还可以通过物理方式）

这句话描述的是半导体制造和测试环节中两种不同的缺陷检测和分析方法，主要涉及晶圆（Wafer）和条状单元（Strip）的检测技术。以下是分点解释：

1. 读取Wafermap（所有情况）

   - Wafermap 是晶圆测试后生成的一张数字地图，记录了晶圆上每个芯片（Die）的测试结果（良品/不良品）和缺陷位置。
   - 所有情况 指无论晶圆是否存在缺陷，FC设备都需要完整读取Wafermap，以全面掌握晶圆质量分布。
   - 用途：帮助定位缺陷芯片、优化切割路径、统计良率（Yield）等。

2. 读取Stripmap（多Unit情况下）

   - Stripmap 是针对条状单元（Strip）的缺陷分布图。在Flip Chip工艺中，晶圆切割后可能被排列成条状单元（多个芯片连成一条），方便后续封装。
   - 多Unit 指一条Strip中包含多个芯片单元（例如多芯片模块MCM）。
   - 物理方式识别Strip不良：除了通过电性测试（如Wafermap），还可以通过物理检测手段（如光学检测AOI、X射线、探针接触等）直接识别Strip中的缺陷。

3. 关键区别与应用场景

   - Wafermap：面向晶圆级的缺陷检测，用于早期工艺优化。
   - Stripmap：面向封装级的缺陷检测，适用于多芯片单元集成场景，物理检测可弥补电性测试的盲区（如封装应力导致的隐性缺陷）。

4. 技术意义

   - Wafermap + Stripmap 结合使用，可以实现从晶圆到封装的全流程质量监控。
   - 物理检测 在多Unit场景下更高效，例如通过机械探针或光学扫描快速定位Strip中的不良单元，避免仅依赖电性测试可能遗漏的物理缺陷（如裂纹、焊球缺失等）。