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阿拉伯梳子
1、2001-2011 行业技能:功能设计，需求分析，架构设计；
2、2011~2017 管理经验：产品开发管理，需求管理，项目管理，售前支持；
3、2017~2021 行业经验：半导体拉晶，外延片，晶圆制造，框架，先进封装，电子制造；
管理经验：项目管理，客户管理，售前支持；
4、2021~
担任岗位: IT经理；
行业经验：从0到1建设FAB信息化规划，团队组建；
管理经验：主导MES,EAP,RMS ,ERP ,OA各系统的互联互通；infra，应用系统的配套；
行业经验：idm模式FAB,外延+晶圆制造；
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晶圆级先进封装简述
**Fanout**: 这种技术涉及在芯片的外围形成一个额外的层，该层可以容纳更多的I/O点和布线，从而提高芯片的连接能力和性能。- **2.5D-TSV**: 2.5D封装通常涉及一个中介层（如硅中介层或有机基板），TSV用于连接芯片和中介层，实现水平方向的集成。- **集成优势**: 2.5D Fanout封装允许在不改变芯片设计的情况下增加功能的灵活性，可以集成更多的逻辑电路、内存或甚至其他小型芯片，以形成一个完整的系统。这种封装技术需要先进的制造工艺来确保焊盘的精确定位和连接的可靠性。原创 2024-05-08 09:53:59 · 415 阅读 · 0 评论 -
大数据和AI在半导体生产系统中的应用
**做法和方法**：收集设备运行数据，训练预测模型，设定阈值触发维护。- **做法和方法**：根据订单需求和设备状态，使用算法生成最优生产计划。- **做法和方法**：收集市场数据和客户反馈，使用文本分析了解市场情绪。- **做法和方法**：收集工艺参数和良率数据，使用优化算法调整参数。- **做法和方法**：集成生产数据，开发可视化界面，展示关键指标。- **做法和方法**：分析历史需求数据，预测未来需求，优化库存。- **做法和方法**：监测能源使用数据，使用模型优化能源分配。原创 2024-05-08 09:50:34 · 822 阅读 · 0 评论 -
Fab厂常见工艺平台
在独立式非易失性存储器平台，以常见的代工产品NOR Flash为例，随着工艺节点的前进，NOR Flash存储单元面积显著缩小，存储容量和工作温度的上限显著提升，产品差异显著，在90nm及以上的产品以存储容量小于16Mb为主，主要应用于一般消费类的产品；技术工艺先进性方面，目前台积电、联华电子等可以提供90nm以下基于BCD工艺的模拟与混合信号产品代工，其中台积电的模拟处理产品覆盖0.5µm-16nm工艺节点，第三代BCD工艺已前进至40nm，联华电子的BCD工艺覆盖0.5µm-55nm工艺节点。原创 2024-04-28 21:12:46 · 365 阅读 · 0 评论 -
SIC知识（8）--碳化硅的制备难点
6. 器件制造难点：碳化硅器件制造过程中的掺杂步骤需要在高温下完成，且需要采用高温离子注入的方式，这与传统硅基器件的扩散工艺不同。这些步骤需要精密的设备和严格的工艺控制，以确保器件的结构和功能。综上所述，碳化硅的制备难点相较于传统硅基器件主要在于更高的制备温度、更慢的生长速度、晶型控制的复杂性、后加工的难度、外延工艺的低效率以及器件制造的特殊要求和较高的成本。- **数据管理**：需要有效的数据管理系统来跟踪和记录生产过程中的每一个步骤，包括原料的批次、生长条件、加工参数等，以确保产品质量的可追溯性。原创 2024-04-27 11:14:01 · 388 阅读 · 0 评论 -
Micro-OLED（硅基OLED）的工艺简介
请注意，上述工艺流程是一个高度简化的概述，实际的硅基IC设计与制造过程要复杂得多，涉及到精密的工程技术和严格的质量控制。Micro-OLED和Micro-LED是两种不同的微显示技术，它们在制造工艺上有一些共同点，但也存在显著差异。- 将微米级的LED晶粒转移到驱动基板上，这是Micro-LED制造中的关键步骤，需要高精度和高良率。- 在硅基IC上进行OLED的制造流程，包括阳极材料的沉积、有机发光层的蒸镀、阴极的沉积等。- 硅片是制造硅基IC的基础，需要经过严格的清洗和抛光，以确保表面无缺陷。原创 2024-04-24 19:47:55 · 364 阅读 · 0 评论 -
晶圆制造之MPW（多项目晶圆）简介
这种方法允许多个设计共享一个晶圆的制造成本，从而降低了单个设计的成本。然而，对于大批量生产，或者芯片面积较大的设计，直接使用 Full Mask（全掩膜）方式可能更为经济，因为 MPW 是按照晶圆上的占用面积收费的。因为芯片投资太贵了，而基于新工艺或者变化较大的新设计，如果设计有问题，投片的最差结果可能是无法点亮，或者关键的功能，性能不及预期，小则几百万，多则上千万打水漂；需要注意的是，因为MPW从生产角度是一次完整的生产流程，因此其还是一样耗时间，一次MPW一般需要6~9个月，会带来芯片的交付时间后延；原创 2024-04-21 22:06:22 · 534 阅读 · 0 评论 -
半导体制造工艺之分类浅述
与先进逻辑工艺相比，特色工艺在材料、工艺、器件结构与功能等方面存在不同，其不追求按照摩尔定律的规律缩小工艺节点，而是需要满足现实世界不同的物理需求，比如信号的感应、放大、转换、分隔、输出等，其产品线丰富程度较高，结构有其特定的复杂性，也需要在基础工艺之上投入大量的研发资源和时间成本，面对的典型应用也十分丰富，如采用BCD 工艺的模拟芯片将自然模拟生物特征、光、热、速度、压力、温度和声音准确地转换为数字信号。先进逻辑工艺是相对的概念，2005年全球先进逻辑工艺的工艺节点在65/55纳米，现在则变为3纳米。原创 2024-04-21 21:51:02 · 1138 阅读 · 0 评论 -
半导体成品测试详述（Final Test，简称FT）
FT测试(成品测试)主要使用仪器为测试机(teste0) 和分选机(Handed):分选机主要作用是机械手臂，自动夹取待测芯片，放在可临测区域，等到测试机完成测试后，根据测试结果，将芯片放置到对应区域，如好品区、坏品区等。FT测试的原理是通过将芯片安装在实际或模拟的应用环境中，并通过测试设备（如测试机Tester和分选机Handler）施加输入信号并检测输出信号，以判断芯片功能和性能是否达到设计要求。在测试过程中，测试机通过与芯片的引脚连接，发送特定的测试模式或信号，并监测芯片的响应。原创 2024-04-16 12:05:37 · 1128 阅读 · 0 评论 -
关于半导体检测知识的梳理分享
贯穿于半导体全产业链，包括失效分析（FA）、材料分析（MA）、可靠性分析（RA）等，主要是运用物性分析、电性分析、表面分析、化学分析等多类型检测技术，针对失效样品进行缺陷定位与故障分析，帮助客户实现问题判定，加速产品研发与工艺升级，提高产品良率和生产效率。主要应用于晶圆加工制造环节，检测对象是制造过程中的晶圆，通过对制造过程中每一晶圆的测量薄膜厚度、关键尺寸、检查晶圆图案缺陷等方面的质量进行量测或检查，确保工艺符合预设的指标，防止出现偏差和缺陷的不合格晶圆进入下一道工艺流程。原创 2024-04-16 10:17:01 · 566 阅读 · 0 评论 -
SIC知识--（7）：硅舟及碳化硅舟
01、硅舟是什么硅舟是为扩散工艺设计的，由于硅舟和硅片均使用高纯硅材料，具有相同的物理性质，因此可以避免因为热膨胀系数和热导系数不同，造成的晶格错位，提升硅片良率。可替代现有的石英和碳化硅产品，代表的是高纯度高性能的技术。它对消除颗粒至关重要。消除这些影响以提高良率，使得硅熔接舟成为新一代集成电路架构中重要的载体。可用于卧式炉和立式炉。它是一种在半导体制造过程中广泛使用的材料，主要用于承载和处理硅片。硅舟有多种类型和应用，包括但不限于盒式硅舟、一体式硅舟、碳化硅舟等。原创 2024-04-13 13:16:59 · 893 阅读 · 0 评论 -
SIC知识--（2）：衬底生产工艺难点
碳化硅产业链中，衬底供应商占据了核心话语权，主要体现在价值分配上。碳化硅衬底在产业链中占据了47%的比重，外延层占比23%，而器件设计和制造共占30%。这种价值量倒挂的现象主要源于前两者所面临的高技术壁垒。衬底长晶过程中存在三大技术难点：条件控制严格、长晶速度慢和晶型要求高。这些难点导致了加工过程的难度增加，进而造成了低产品良率和高成本。外延层的厚度和掺杂浓度是影响最终器件性能的关键参数。在碳化硅衬底的生产过程中，晶体生长是最核心的工艺环节，而切割环节则是产能的瓶颈。原创 2024-04-10 19:14:56 · 577 阅读 · 0 评论 -
SIC知识--（1）：来龙去脉
CVD是制备碳化硅涂层的常用方法，通过在高温下分解含硅及碳的原料气体，生成碳原子和硅原子，并在基底表面形成键合反应，制备出碳化硅涂层。50年代至60年代，随着化学气相沉积（CVD）技术的发展，美国贝尔实验室的科学家Rustum Roy等人开始研究CVD SiC技术，开发了SiC气相沉积工艺，为SiC涂层材料的CVD制备奠定了基础。碳化硅的晶体结构种类繁多，达200多种，主要分为立方结构（3C）、六方结构（H）和菱面结构（R），例如2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC和15R-SiC等。原创 2024-04-10 19:12:31 · 623 阅读 · 0 评论 -
半导体的主要四大应用
LED芯片是LED的核心部件，是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体的主要应用都有哪些？21世纪，随着云计算、5G、大数据、AI 和物联网技术的爆发，智能传感器成为了新的研究热点和应用领域，它不仅具有传统传感器的功能，还具有数据处理、通信、自适应、自校准等功能。LED芯片还有很多不同的类型，如普通LED、OLED、MiniLED、MicroLED等，它们根据不同的发光原理和结构，具有不同的性能和特点，也分别适用于不同的领域。原创 2024-04-09 10:55:48 · 714 阅读 · 0 评论 -
企业信息化建设之MCS/WCS的知识点精讲
近日，再做售前方案的时候，碰到WMS和WCS的对接的场景，有同事质疑MCS和WMS不会对接，其实大家在日常工作中碰到的都是一套系统， MCS和WCS都是指仓储控制系统，不过它们的应用场景和功能有所不同。在制造业中，MCS系统主要负责全厂物料的搬送路径指派和管理储存设备，统筹管理制造执行系统（MES）所下达的搬送命令，以优化生产管理和提高效率。原创 2024-04-07 13:36:34 · 736 阅读 · 0 评论 -
半导体制程离子注入注入的是哪些离子
通过该过程将一种元素的离子加速进入固体靶材，从而改变靶材的物理、化学或电学性质。离子注入用于半导体器件制造和金属精加工以及材料科学研究。如果离子停止并保留在目标中，则它们可以改变目标的元素成分（如果离子的成分与目标不同）。当离子以高能量撞击目标时，离子注入还会引起化学和物理变化。高能碰撞级联可能会损坏甚至破坏目标的晶体结构，并且足够高能量（数十兆电子伏）的离子可以引起核嬗变。在制造晶圆时，离子注入工艺中经常使用等有毒材料。其他常见的致癌、腐蚀性、易燃或有毒元素包括锑、砷、磷和硼。原创 2024-04-02 16:52:13 · 603 阅读 · 0 评论 -
晶圆划片工艺及贴膜知识分享
晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；刀片切割（Blade dicing or blade sawing）厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工艺过程更为复杂；原创 2024-04-01 19:13:56 · 1108 阅读 · 0 评论 -
Wafer的T7 Code是什么，怎么来的
在半导体Cim系统中，waferstart 业务需要支持 Sorter 读取 Wafer 的 T7 Code，与 MES 的 Wafer ID 进行绑定，以便向 前追溯 Wafer 历史，那么问题来了，T7code 是什么Wafer的T7 Code是一种，用于标识双面抛光的晶圆。这种标记采用二维矩阵代码符号，适用于各种尺寸的晶圆，不仅限于450mm无缺口晶圆7。T7 Code是衬底来料背面通常会有的供应商刻的追溯ID，这是一串数字和字母组成的流水码。原创 2024-04-01 17:24:06 · 993 阅读 · 0 评论 -
先进封装与传统封装和CU-CU混合键合的应用
而Cu-Cu混合键合的连接具有更高的强度和稳定性，可有效地提高封装的可靠性和稳定性。封装领域的一个突出进步是3D Cu-Cu混合键合技术，它提供了一种高密度、低成本、高性能的方案，可以有效提高封装的可靠性和稳定性，同时降低成本和尺寸。另外，随着焊料凸点间距的缩小，用于接合的凸点高度和表面积的减小使得建立可靠的电连接变得越来越困难，需要精确的制造工艺来避免误差。3D封装：在芯片堆叠封装中，通过Cu-Cu混合键合实现芯片之间的互连，将多个芯片堆叠在一起，从而在有限的空间内增加更多的功能和性能。原创 2024-03-31 21:19:58 · 791 阅读 · 0 评论 -
功率半导体IGBT模块封装工艺
将锡膏按设定图形印刷于散热底板和DBC铜板表面，为自动贴片做好前期准备 印刷效果；将IGBT芯片与FRED芯片贴装于DBC印刷锡膏表面；IGBT封装环节包括：丝网印、贴片、键合、功能测试等环节。这其中任何一个看似简单的环节，都需要高水准的封装技术和设备配合完成。例如贴片环节，将IGBT芯片与FRED芯片贴装于DBC印刷锡膏表面。这个过程需要对IGBT芯片进行取放，要确保贴片良率和效率，就要求以电机为核心的贴片机具有高速、高频、高精力控等特点。原创 2024-03-22 17:07:47 · 1175 阅读 · 0 评论 -
晶圆为什么要抛光？
晶圆的最终命运是被切成一枚枚芯片（die)，封装在暗无天日的小盒子里，只露出几枚引脚，芯片会看阈值，阻值，电流值，电压值，就是没人看它的颜值，我们在制程中，反复给晶圆打磨抛光，，这是因为随着芯片制程的缩小，光刻机的镜头要实现纳米级的成像分辨率，就得拼命增大镜片的数值孔径（Numerical Aperture)，但这同时会导致焦深（DoF）的下降，。简单说就是光刻机为了提高成像精度，牺牲了对焦能力，像新一代的EUV光刻机，数值孔径0.55，但垂直方向上的焦深，总共只有45纳米，光刻时的最佳成像区间则会更小。原创 2024-03-20 19:55:01 · 742 阅读 · 0 评论 -
FAB 中的EES系统是什么
PMS系统就是管理FAB中设备PM和BM，怎么样提升PM的效率，该做PM的时候才做PM,实现设备CBM的管理，另外线边仓 Parts的管理，利用无线Pad实现无纸化的做业等等，都会在PMS中去实现，OEE系统主要是针对FAB各个设备的效率，瓶颈机台，设备Loss, 设备Tacttime,Alarm, 进行分析和管理，让工程师更加了解整个FAB的设备效率是什么情况，设备问题是出在哪里,这样就可以快速去解决。原创 2024-03-20 16:58:47 · 233 阅读 · 0 评论 -
晶圆制造过程中常用载具的类型
OPEN CASSETTE主要在晶圆制造内工序间运送及清洗等工艺中使用，与FOSB、FOUP等载具一样，一般采用耐温、机械性能优异、尺寸稳定性以及坚固耐用、防静电、低释气、低析出、可回收再利用的材料。不同晶圆大小、工艺节点9以及工艺所选用的材质有所不同，一般材质有PFA9PTFE、PP、PEEK、PES、PC、PBT、PEI9、COP等。与其他晶圆载具相比，前开式晶圆传送盒具有能提高晶圆产量、提升晶圆良品率、无静电损害等优势。晶圆载具用于硅片生产、晶圆制造以及工厂之间晶圆的储存、传送、运输以及防护。原创 2024-03-19 20:56:11 · 902 阅读 · 0 评论 -
MES 价值点之数据追溯
通过MES的数据追溯技术，企业可以实现对材料、工艺、过程和质量等方面的全面追溯，从而确保产品质量、提高生产效率，并满足监管和合规要求。例如，在食品行业，如果某批产品出现质量问题，通过MES数据追溯可以确定受影响的批次并采取相应的措施。例如，在电子制造业中，通过MES数据追溯可以分析生产过程中的工序时间、工序顺序等信息，找到优化生产流程的方法，提高产品的交付速度。通过监控和追踪生产过程中的关键参数，如温度、压力、速度等，企业可以实现对产品质量和工艺稳定性的控制，及时发现并纠正潜在问题，确保产品符合质量标准。原创 2023-10-31 19:57:43 · 510 阅读 · 0 评论 -
多晶硅为什么能取代铝做栅极材料
栅，英文名Gate，门的意思。通过改变栅极电压，可以控制硅表面是否形成一个导电通道，进而控制电子（或空穴）的流动，就像开启或关闭一扇门一样。如果在如此高的温度将Al用作栅极材料，Al会熔化(铝的熔点660℃)，会扩散到下层的硅层而导致短路。早期的MOSFET使用铝（Al）作为栅材料，因为铝是具有较低的电阻率，能够有效地传递控制电压至栅氧化层，从而控制沟道中的电流。通过化学气相沉积（CVD）技术沉积一层均匀的多晶硅层，再通过掺杂过程（扩散或离子注入）引入杂质原子（如磷或硼），以调节其电导率。原创 2024-03-11 21:27:50 · 511 阅读 · 0 评论 -
SIC知识--（3）：激光在SIC晶圆制造中的应用
碳化硅是一种性能优异的第三代半导体材料，具有光学性能良好、化学惰性大、物理特性优良的特点，包括带隙宽、击穿电压高、热导率高和耐高温性能强等优点，常作为新一代高频、高功率器件的衬底材料，广泛应用在高端制造业领域，如新一代电子工业设备、航空航天等。尤为突出的是近年来兴起且不断壮大的新能源汽车行业，预估2025年中国新能源汽车年产近600万辆，对功率芯片的需求为1000-2000颗/台车，其中超过50%为碳化硅芯片。在激光与碳化硅材料的相互作用中，原创 2024-03-06 15:46:23 · 866 阅读 · 0 评论 -
STDF文件标准在半导体的应用
stdf：(Standard Test Data Format)通用测试数据格式STDF文件标准:晶圆工艺流程、工艺参数、工艺控制、缺陷管理、工艺模拟和优化及文件格式规范。原创 2024-03-06 15:33:40 · 461 阅读 · 0 评论 -
什么是片内&片间均匀性？
因为芯片通常具有上千个工艺步骤，如果不对均匀性进行卡控，越往后，制程的良率越低，造成的影响也就越大。均匀性在芯片制程的每一个工序中都需要考虑到，包括薄膜沉积，刻蚀，光刻，cmp，离子注入等。测量片内均匀性通常会选择若干代表性点，这些点涵盖了晶圆的主要区域，例如在晶圆的中心、边缘，边缘与中心之间。举个例子：如果我们在一个晶圆上测量刻蚀后的金属线条尺寸，并在多个位置找到的最大值是2000Å，最小值是1800Å，平均值是1850Å。片间均匀性指的是在一个批次内，不同晶圆之间的指标差异的一致性。原创 2024-03-02 21:55:31 · 468 阅读 · 0 评论 -
SIC知识--（4）：晶锭缺陷小知识
晶锭缺陷是在碳化硅（SiC）晶体生长过程中产生的晶体结构缺陷，尤其是在使用物理气相输运（PVT）法生长4H-SiC晶锭时。这些缺陷会影响晶体的电学和机械性能，限制其在高性能电子和光电子器件中的应用。了解晶锭缺陷的产生原因及控制方法对于优化生长过程和提高晶体质量具有重要意义。原创 2024-02-27 16:11:16 · 1009 阅读 · 0 评论 -
拉晶用的块状多晶硅是怎么来的？
在电极和多晶硅棒之间的水介质中，电脉冲产生大量的电荷，这些电荷在极短的时间内轰击多晶硅棒，这会在其内部产生强烈的振动，而使多晶硅棒裂解。多晶硅块首先在炉中加热至高温，然后迅速从高温环境转移到冷却水中，由于热胀冷缩的作用，多晶硅便出现裂解，再轻轻敲击，多晶硅即可粉碎为块状。颚式破碎机是通过动颚和静颚之间的相对运动来破碎物料。中的，但是通过改良西门子法制得的多晶U型硅棒，长度在2.5米左右，因此需要一个破碎过程，才能形成块状尺寸的多晶硅。目前的破碎方法主要有：人工破碎，机械破碎，热淬破碎，高压脉冲放电破碎等。原创 2024-02-27 15:58:19 · 144 阅读 · 0 评论 -
pirun是什么，半导体为什么要pirun?
通过进行小规模的试生产，可以评估CMP过程的效果、抛光结果的一致性以及所需的工艺参数。在试生产过程中，可以尝试不同的工艺参数、抛光液配方和设备设置，以找到最佳的抛光条件和参数组合。试生产可以提供实际的抛光效果和工艺参数，从而可以计算出每片晶圆的抛光成本。通过调整喷射参数，如喷射压力、喷射位置和喷射角度，可以控制抛光液在晶圆表面的分布和流动，从而调节抛光速率。2.清洗和冲洗:在CMP过程中，抛光液中的磨料和杂质可能会残留在晶圆表面，通过喷射清洗液或冲洗液，帮助去除这些残留物，保持表面的干净。原创 2024-02-26 17:32:26 · 901 阅读 · 0 评论 -
半导体工厂区域-Bay
一般采用把相同种类的工艺设备布局在同一海湾的方式，就是Bay方式，如图3所示，在图中，放入晶圆的载具和搭载FOUP（Front Opened Unified Pod，前开式晶圆传送盒）的OHV（Over Head Vehicle，置顶传送车）被传送到各个设备，据说，大规模的晶圆厂的传送线总长度达到几十千米。前段制程主要包括：（1）清洗、（2）离子注入和热处理、（3）光刻、（4）刻蚀、（5）成膜、（6）平坦化（CMP），由这6种组合而成，这些组合多次循环并把前段制程集成化。在这样的循环型前段制程生产线中，原创 2024-02-23 09:45:30 · 342 阅读 · 0 评论 -
方块电阻及其测量方法
测量薄膜的绝对电阻需要精确知道薄膜的几何尺寸（长度、宽度、厚度），变量很多，对于非常薄或不规则形状的薄膜，十分复杂。而方阻仅与薄膜的厚度有关，可以快速地被直接测试出来，无需复杂的尺寸计算。四探针法可测量方阻电阻范围从1E-3到1E+9Ω/sq之间的方阻。四探针法可以避免由于探头和样品之间的接触电阻而产生的测量误差。，是一个材料固有的性质，表征了该材料对电流流动的阻碍程度。，半导体薄膜需要测方阻，而绝缘薄膜则不需要测。在硅基外延生产过程中，通常也会测试方块电阻。在半导体掺杂中，也会测硅的方阻。原创 2024-02-22 14:57:50 · 641 阅读 · 0 评论 -
SIC知识（9）--碳化硅晶片C面和Si面详解
数字放在前面，用来表示基本重复单元的Si-C双原子层的层数。SiC 晶体结构还可以采用层状结构方法描述，如图所示，晶体中的若干C原子均占据在同一平面上的六方格位点中，形成一个C原子密排层，而Si原子也占据在同一平面上的六方格位点中并形成一个Si原子密排层。SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。举个例子，Si原子直径大，相当于苹果，C原子直径小，相当于橘子，把数量相等的橘子和苹果堆在一起就成了SiC晶体。原创 2024-02-21 17:50:20 · 530 阅读 · 0 评论 -
薄膜的知识（4）...生长技术
影响： 一般而言，较高的温度通常会导致更高的生长速率。不同的应用和材料体系可能需要不同的温度条件，而在某些情况下，需要仔细平衡不同因素以实现最佳的薄膜生长结果。在某些情况下，提高温度可能有助于提高薄膜的均匀性，但也可能导致非均匀性，特别是在复杂的化学反应涉及的情况下。温度是影响薄膜生长过程的重要参数，对于薄膜的结晶性、成分均匀性、生长速率和表面质量等方面都有显著的影响。- 随着对二维材料（如石墨烯、过渡金属硫化物等）的研究兴起，研究人员正在开发新的薄膜生长技术，以在基底上实现高质量的二维材料生长。原创 2024-01-23 15:40:25 · 405 阅读 · 0 评论 -
薄膜生长的定义、原理、应用
通过化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等技术在生物医学材料表面上生长薄膜，用于改善其表面性质、生物相容性和功能性。- 利用化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）等技术在传感器表面上生长特定材料的薄膜，用于检测生物分子、细胞和生物标志物。- 通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）等技术在光催化表面上生长光敏薄膜，用于光催化水分解和二氧化碳还原等反应。- 通过物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）等技术在周期性结构上生长光子晶体，用于调控光的传播特性。原创 2024-01-23 15:30:39 · 1066 阅读 · 0 评论 -
常见半导体设备厂商介绍
产品主要包括半导体涂胶显影设备、热处理成膜设备、干法刻蚀设备、化学气相沉积设备、物理气相沉积设备、电化学沉积设备、清洗设备，封测设备等，几乎覆盖了半导体制造流程中的所有工序。世界上超过一半以上的半导体是使用泰瑞达机器进行测试的，尽管半导体的营收占据泰瑞达收入的大部分，但泰瑞达的业务已突破芯片制造行业，进入汽车、机器人和电信（无线天线、WiFi 等）领域，是集成电路后道封装测试领域的重要合作伙伴。在整个产业链上，除我们耳熟能详的英特尔、AMD、高通、台积电等生产商外，还包括了众多著名的材料商和设备商。原创 2024-01-16 16:16:57 · 1268 阅读 · 0 评论 -
SIC知识--（5）：单晶衬底的常用检测技术
AFM的核心部件是一根微小的悬臂，其一端固定，另一端带有微小的针尖。特别是在SiC功率半导体器件中，由于采用了同质外延技术，衬底的质量直接影响外延材料的品质，进而决定了功率半导体器件的性能。因此，AFM是一种高效、精准的方式，用于分析SiC衬底表面的微观结构和粗糙度，对于提升半导体器件的质量和性能具有重要意义。在SiC生长过程中形成的晶体缺陷和污染可能会延伸到外延层和表面，形成各种表面缺陷，如胡萝卜缺陷、多型夹杂物、划痕等，这些缺陷可能进一步转化产生其他缺陷，从而对SiC器件的性能产生不利影响。原创 2024-01-14 14:43:36 · 1085 阅读 · 0 评论 -
为什么光刻要用黄光
在这个过程中，会将有二氧化硅绝缘层的硅晶圆涂上光阻，并于上方套上光罩（特定位置中有洞），透过紫外光照射，被光照过的光阻会变得容易溶解，将特定位置的光阻以显影液溶解掉，再进行蚀刻，就只蚀刻到特定位置的二氧化硅，其他地方则被光阻保护。无尘室（Cleanroom）排除掉空间范围内空气中的微尘粒子等污染物，获得一个相当洁净的环境，常用于高精度制造的产业，包括半导体制造、生物技术、精密机械、医疗等，其中以半导体业对室内温湿度、洁净度要求最为严格、必须控制在某个需求范围内，才不会对制程产生影响。原创 2024-01-14 13:24:29 · 595 阅读 · 0 评论 -
外延工艺知识精讲
由于SiCl4等硅源的氢还原及SiH4的热分解反应的△H为正值，即提高温度有利于硅的淀积，因此反应器需要加热，加热方式主要有高频感应加热和红外辐射加热。SiHCl3和SiCl4常温下是液体，外延生长温度高，但生长速度快，易提纯，使用安全，所以它们是较通用的硅源。1、反应气体从钟罩顶部气体入口处进入反应室，从排成一圈的六个石英喷嘴喷出，经石英挡板阻挡，沿基座与钟罩之间向下，在高温下反应而在硅片表面沉积生长，反应尾气在下部排出。气相外延不需要掺杂。基座是导体，处于涡旋磁场中，产生感生电流，电流加热基座。原创 2024-01-08 19:08:28 · 1100 阅读 · 0 评论 -
（06）金属布线——为半导体注入生命的连接
因为，从半导体制造商的角度来看，要以更低廉的成本令导线用于更多的晶体管，半导体制造工艺也需要同步发展，而当时的工艺并无法解决铜配材带来的新问题。在成功研发出新的微细工艺，出现各种技术难关后，要本着正直的态度，将这些新的技术难题与业界分享，然后再联合起来发挥创新能力，一同将难题攻克。前边提到的钨配线似乎只有优点，其实不然。然而，采用铜作为配线材料时，金属与电介质层的沉积顺序要反过来：即先沉积电介质层，再通过光刻工艺刻蚀电介质层，接着形成铜籽晶层（Seed Layer），在电介质层之间加入铜，最后去除残余铜。原创 2024-01-07 17:19:38 · 1029 阅读 · 0 评论