半导体封装之倒装封装 （Flip Chip）

倒装封装 （Flipchip）是相对于引线键合(Wire Bonding)来说的，之所以叫做倒装，是因为flip chip是正面朝下放置。倒装芯片技术是通过芯片上的凸点直接将元器件朝下互连到基板、载体或者电路板上。引线键合的连接方式是将芯片的正面朝上，通过引线(通常是金线)将芯片与线路板连接。

倒装封装 （Flipchip）相对于传统的封装，是一种wafer 级的封装。不是先把晶圆切割成单个die，再进行封装，而是先针对晶圆进行封装，封装好后，再切割。称之为 Wafer Level CSP。

这种封装方式有一个特殊的工艺流程，就是bump。大家可以理解为长金球（锡球）。

要想长金球，首先要做的就是重新布局芯片pad的的位置，利用和芯片制造中相同的后段技术，将边缘部位的pad，安排到芯片中央来。这句话就是bump的核心目的。

大体思路就是将芯片的pad通过导线（红色）借接出来，然后在想要的位置上重新做一个pad，实际图形长这样子，中间的哪些深色部分就是导线。

为什么不在芯片的pad上直接长锡球呢？因为当芯片的引脚太多时，直接长金球的方式危险系数会大大提高，很容出现两个引脚短接的情况。这样重新分配pad布局的过程叫做RDL（re-distribution layer）。准确的说它是指连接新pad和旧pad的这一层，但是大家在使用的时候，就不再区分，直接把这个过程叫做RDL。

到这里之后，后面一步就是bump，也就是长金球（锡球）。长金球的过程就不再多说了，和芯片制造工艺中的曝光，刻蚀差不多。

直到长完球（bump）之后，整个wafer还没有被切割，所以这些都是批量操作，成本特别低。这些操作完成后再进行晶圆级测试。也正是因为bump过程是在wafer上制作的，所以大家都把它叫做WLCSP（wafer level CSP）。

测试完成之后再切割，把好的芯片拿出来。最后倒扣到基板上面。就这样，外部电压通过焊接点以及bump产生的球与芯片交流。

这种封装方式，最省面积，封装出来的芯片大小和原始大小相差不大。所以这种方式也是比较主流的封装方式，一般用在高端产品上。