7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65

最新推荐文章于 2024-09-13 00:02:18 发布
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分类专栏： 开关电源 二极管 半导体 文章标签： 单片机 嵌入式硬件 物联网
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本文详细介绍了ASEMI的7N65高压NPN型MOS管，其具有4A连续漏极电流、650V漏源电压等特性，特别适合于PWM应用、负载开关和电源管理等领域，如开关电源设计。
摘要由CSDN通过智能技术生成

编辑：ll

7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65

型号：7N65

品牌：ASEMI

连续漏极电流(Id)：4A

漏源电压(Vdss)：650V

栅极阈值电压：±30V

单脉冲雪崩能量：150mJ

集电极电流（脉冲）：8A

导通内阻RDS(on)：1.3Ω

功率(Pd)：50W

芯片个数：1

封装：TO-220F

工作温度：-55°C~150°C

引脚数量：3

类型：插件塑封二极管、高压MOS管

7N65描述：

采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关应用。

7N65应用领域

PWM应用

负载开关

电源管理

开关电源

SUNNYSPY001
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50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
01-06 452
50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
7N65-ASEMI小功率MOS管7N65
qyx3868的博客
06-08 4023
编辑-Z7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，反向恢复时间(Trr)为293nS，输出电容(Coss)为95pF，其中有3条引线。7N65参数描述型号：7N65封装：TO-220AB特性：小功率MOS管电性参数：7A
12N65-ASEMI高压MOS管12N65
qyx3868的博客
03-10 686
12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.57mm，宽度为10.66mm，高度为5.0mm，脚间距为2.54mm。
16N65-ASEMI高压MOS管16N65
qyx3868的博客
03-13 421
16N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.55Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N65的最大脉冲正向电流ISM为64A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N65的电性参数是：正向电流(Io)为16A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.5V，其中有3条引线。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.57mm，宽度为10.66mm，高度为5.0mm，脚间距为2.54mm。功耗（PD）：70W。
6N65-ASEMI的MOS管6N65
qyx3868的博客
10-23 465
编辑-Z 6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。 6N65参数描述 型号：6N65 封装：TO-220 特性：大电流MOS管 电性参数：6A 650V 芯片材质：GPP 连续二极管正向电流(IS)：6
ASE4N65SE-ASEMI高压MOS管ASE4N65SE
qyx3868的博客
02-21 438
ASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。
FCH041N65F-ASEMI原厂代理安森美MOS管FCH041N65F
qyx3868的博客
10-25 306
FCH041N65F的漏源导通电阻RDS(on)为36mΩ，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FCH041N65F的输入电容（Ciss）为9790pF，输出电容（Coss）为355pF。FCH041N65F的电性参数是：连续漏极电流（ID）为76A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为1.2V，反向恢复时间（trr）为213ns，其中有3条引线。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃。
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
01-08 562
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
STW78N65M5-ASEMI原厂代理意法MOS管STW78N65M5
qyx3868的博客
10-26 253
STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容（Ciss）为9000pF，输出电容（Coss）为210pF。STW78N65M5的电性参数是：连续漏极电流（ID）为69A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为1.5V，反向恢复时间（trr）为504ns，其中有3条引线。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃。
7N65高压MOS管RS7N65F TO-220F
05-25
根据给定文件的信息，我们可以提炼出关于RS7N65F高压MOS管的重要知识点。 ### 产品概述 RS7N65F是一款N沟道高压MOS场效应晶体管，采用无铅封装和表面处理工艺，适用于多种电源转换应用。该器件的主要参数包括650V...
12N65高压MOS管RS12N65T TO-220F
05-25
### 关于12N65高压MOS管RS12N65T TO-220F的关键知识点 #### 一、产品概述 12N65是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型MOS场效应晶体管，主要用于开关电源、不间断电源系统(UPS)以及功率因数校正(PFC)等应用场合。该...
4N65高压MOS管RS4N65F TO-220F
03-08
### 关于4N65高压MOS管RS4N65F TO-220F的知识点 #### 基本介绍与应用领域 **RS4N65F**是一款N通道高压MOS管，其封装形式为TO-220F。这款MOS管在设计上具有诸多优势，如高可靠性、低功耗特性以及优异的开关性能，...
12N65-TO220F-VB场效应管一款N沟道TO220F封装的晶体管
01-10
【12N65-TO220F-VB场效应管详解】 12N65-TO220F-VB是一款N沟道的功率MOSFET，其主要特点是具有低的导通电阻（Ron）乘以栅极电荷（Qg）的特性值，这意味着它在开关和传导过程中的损耗较低。此外，该器件还拥有低输入...
12N65-VB TO220F一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管
07-22
根据提供的文档信息，我们可以深入探讨12N65-VB TO220F这款N-通道功率MOSFET的相关特性及其应用场景。 ### 核心技术指标 #### 封装形式 - **TO220F封装**：该封装形式为常见的功率半导体器件封装之一，适合用于大...
面试高阶问题：单片机选型策略万字长文详解
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大模型大数据攻城狮的专栏
09-13 1166
这意味着开发者可以通过编程对单片机进行定制化的功能修改和优化，同时，固件升级机制能够确保在不需要更换硬件的情况下，通过软件更新来提升产品的性能和功能。例如，一些单片机提供了丰富的外设接口和片内资源，如多个SPI、I²C、UART等通信接口，以及大容量的RAM和ROM，这为未来添加新的功能模块提供了便利。同时，选型时还应充分考虑单片机的成本因素，以实现项目性能和成本的优化平衡。例如，在工业控制环境中，由于存在大量的电磁干扰和机械振动，单片机必须具备出色的抗干扰能力和高稳定性，以确保控制系统的可靠运行。
STM32与ESP8266的使用
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纯小白文，STM32第一步，从常量，RCC，GPIO，LED开始，点亮GPIOB上的LED。
物联网——USART协议
Vodka的博客
09-11 734
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