7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65

最新推荐文章于 2024-07-16 17:33:45 发布
最新推荐文章于 2024-07-16 17:33:45 发布
阅读量435 收藏 6
点赞数 7
分类专栏： 开关电源 二极管 半导体 文章标签： 单片机 嵌入式硬件 物联网
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/SUNNYSPY001/article/details/135451496
版权
半导体 同时被 3 个专栏收录
163 篇文章 0 订阅
订阅专栏
开关电源
128 篇文章 0 订阅
订阅专栏
二极管
83 篇文章 0 订阅
订阅专栏

编辑：ll

7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65

型号：7N65

品牌：ASEMI

连续漏极电流(Id)：4A

漏源电压(Vdss)：650V

栅极阈值电压：±30V

单脉冲雪崩能量：150mJ

集电极电流（脉冲）：8A

导通内阻RDS(on)：1.3Ω

功率(Pd)：50W

芯片个数：1

封装：TO-220F

工作温度：-55°C~150°C

引脚数量：3

类型：插件塑封二极管、高压MOS管

7N65描述：

采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关应用。

7N65应用领域

PWM应用

负载开关

电源管理

开关电源

SUNNYSPY001
关注
  • 7
    点赞
  • 踩
  • 6
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
专栏目录
7N65高压MOS管RS7N65F TO-220F
05-25
RS7N65F LED驱动电源 7A 650V 產品規格：4A-45A; 500V-600V-650V-700V-800V-900V-1000V-1200V-1500V 產品應用：LED驅動，小家電，開關電源，工業控制等
12N65高压MOS管RS12N65T TO-220F
05-25
RS12N65F 12A 650V LED驱动电源/适配器 產品規格：4A-45A; 500V-600V-650V-700V-800V-900V-1000V-1200V-1500V 產品應用：LED驅動，小家電，開關電源，工業控制等
50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
01-06 420
50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
7N65-ASEMI小功率MOS管7N65
qyx3868的博客
06-08 3812
编辑-Z7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，反向恢复时间(Trr)为293nS，输出电容(Coss)为95pF，其中有3条引线。7N65参数描述型号：7N65封装：TO-220AB特性：小功率MOS管电性参数：7A
16N65-ASEMI高压MOS管16N65
qyx3868的博客
03-13 366
16N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.55Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N65的最大脉冲正向电流ISM为64A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N65的电性参数是：正向电流(Io)为16A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.5V，其中有3条引线。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.57mm，宽度为10.66mm，高度为5.0mm，脚间距为2.54mm。功耗（PD）：70W。
12N65-ASEMI高压MOS管12N65
qyx3868的博客
03-10 645
12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.57mm，宽度为10.66mm，高度为5.0mm，脚间距为2.54mm。
6N65-ASEMI的MOS管6N65
qyx3868的博客
10-23 410
编辑-Z 6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。 6N65参数描述 型号：6N65 封装：TO-220 特性：大电流MOS管 电性参数：6A 650V 芯片材质：GPP 连续二极管正向电流(IS)：6
ASE4N65SE-ASEMI高压MOS管ASE4N65SE
qyx3868的博客
02-21 408
ASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。
FCH041N65F-ASEMI原厂代理安森美MOS管FCH041N65F
qyx3868的博客
10-25 282
FCH041N65F的漏源导通电阻RDS(on)为36mΩ，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FCH041N65F的输入电容（Ciss）为9790pF，输出电容（Coss）为355pF。FCH041N65F的电性参数是：连续漏极电流（ID）为76A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为1.2V，反向恢复时间（trr）为213ns，其中有3条引线。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃。
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
01-08 484
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
STW78N65M5-ASEMI原厂代理意法MOS管STW78N65M5
qyx3868的博客
10-26 225
STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容（Ciss）为9000pF，输出电容（Coss）为210pF。STW78N65M5的电性参数是：连续漏极电流（ID）为69A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为1.5V，反向恢复时间（trr）为504ns，其中有3条引线。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃。
4N65高压MOS管RS4N65F TO-220F
03-08
RS4N65F适配器功率MOS管 5A/650V高压MOS 產品技術指標： 高溫（150℃）漏電大 產品應用：LED驅動，小家電，開關電源，工業控制等
FIR4N65BPG-VB一种N沟道TO251封装MOS管
01-03
FIR4N65BPG-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它采用TO251封装，适用于各种电源管理、开关电源、驱动电路等应用。以下是关于这款MOSFET的关键特性、电气参数和性能规格的详细说明： 1. **低...
12N65-TO220F-VB场效应管一款N沟道TO220F封装的晶体管
01-10
【12N65-TO220F-VB场效应管详解】 12N65-TO220F-VB是一款N沟道的功率MOSFET，其主要特点是具有低的导通电阻（Ron）乘以栅极电荷（Qg）的特性值，这意味着它在开关和传导过程中的损耗较低。此外，该器件还拥有低输入...
Netty UDP
mqiqe的专栏
07-16 768
UDP是一种无连接的协议，它并不在通信双方之间建立连接，而是直接将数据包从发送端发送到接收端。UDP不保证数据包的可靠传输，也不保证数据包的顺序，因此其传输速度通常比TCP快，且系统开销较小。然而，这也意味着UDP在某些情况下可能会丢失数据包或数据包到达的顺序错乱。
GD32 MCU上电跌落导致启动异常如何解决
聚沃科技&GD32 MCU开发者社区
07-16 323
2、修改NRST引脚对应的RC阻容，调整MCU启动时间，避开电源电压跌落的时刻，MCU的启动不仅仅看VDD高于PDR，还需要看NRST引脚电压高于0.7VDD，调整NRST对应的RC阻容，可以调整MCU的启动时间。GD32 MCU上下电复位波形如下图所示，上电过程中如果存在吃电的模块，比如wifi模块/4G模块/开启某块电路等，可能存在电源电压跌落的情况，此时若MCU在启动过程中可能会造成MCU加载代码异常，进而导致启动异常。大家是否碰到过MCU上电过程中存在电源波动或者电压跌落导致MCU启动异常的问题？
【STM32】按键控制LED&光敏传感器控制蜂鸣器（江科大）
最新发布
2302_80796399的博客
07-16 324
【代码】【STM32】按键控制LED&光敏传感器控制蜂鸣器（江科大）
STM32学习历程（day6）
weixin_60039521的博客
07-10 1051
学好GPIO外设的使用方法 后面的这些外设使用起来都大差不差 而且ARM公司提供的库函数的函数注释也很详细 感觉最主要的就是要学会看框图 知道自己的工程需要哪些外设 然后他的电路图如何走 跟着一步步初始化和使能就可以。
英飞凌AIKB50N65DF5高速开关IGBT芯片技术规格
这款IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片在硬开关和谐振拓扑结构中表现出最佳能效，具有650V的击穿电压和低栅极电荷QG。其设计适用于最大结温175°C的工作环境，并已通过AEC-Q101汽车级质量标准认证，同时符合RoHS环保规定...

“相关推荐”对你有帮助么？

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值